окр пром электроника, Ящиковская

1. Резистор — пассивный элемент электрических цепей Назначение: ограничение тока, поддержание напряжения, ослабление сигнала. Виды: постоянные (углеродистые, проволочные, тонкопленочные, толстопленочные), переменные (потенциометры, реостаты) и подвид переменных - нелинейные. Строение: постоянные: Резистивный элемент (углерод, металл, оксиды) на основе изолятора. Переменные: резистивный элемент на дорожке или намотке, регулируемый движком. Способы маркировки: цветная маркировка и буквенно-цифровая маркировка.

2. Конденсатор - это радиоэлемент, который обладает свойством сохранять заряд на своих обкладках. Назначение: накопление энергии, сглаживание пульсаций, фильтрация сигнала. Виды: буманные, керамические, пленочные, вакумные, электролитические. Строение: две токопроводящие пластины, разделенные диэлектриком. Способы маркировки: цветная маркировка, буквенно-цифровая маркировка.

3. Катушка индуктивности — винтовая катушка из свёрнутого изолированного проводника, обладающая значительной индуктивностью при относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении. Назначение: создание магнитного поля, фильтрация сигнала, стабилизация тока. Виды: воздушные, ферритовые, солиноиды, плоские.Строение: состоит извинтовых или винтоспиральных катушек однослойных или многослойных намоток изолированного одножильного или многожильного проводника, прямоугольного или квадратного сечения, часто на каркасе или, при использовании толстого провода и малом числе витков — без каркаса. Способы маркировки: цветная и кодовая маркировка.

4. Полупроводники - это материалы, которые обладают свойствами проводников и диэлектриков. Одно из ключевых свойств полупроводников - это способность изменять свою электропроводность под воздействием внешних факторов, таких как температура, электрическое поле или освещение. Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Полупроводниковые приборы делятся на: безпереходные, с 1- n переходом, с 2-n переходами, интегральные микросхемы. Беспереходные полупроводниковые приборы: терморезисторы (сопротивление зависит от температуры), резисторы, позисторы(с увеличением температуры сопротивление возрастает), фоторезисторы (сопротивление зависит от освещенности), варистор (сопротивление зависит от приложенного напряжения).

5. Электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости (дырочной и электронной). Свойство: способность выполнять функцию диода, пропуская электрический ток только в одном направлении. Когда PN-переход подключен в прямом направлении (положительный полюс к P-области и отрицательный к N-области), он пропускает ток, а в обратном направлении создается высокое сопротивление, препятствующее току.

6. Полупроводниковые диоды – приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами, обладающие односторонней проводимостью тока. ВАХ: зависимость тока анода от напряжения анод–катод. Основные параметры: постоянный обратный ток, постоянное обратное напряжение, сопротивление. Сфера применения: в электронике повседневного использования, выпрямителях, которые преобразуют переменный ток в постоянный, в электронике высоких частот(смесителях, детекторах и усилителях). Строение: состоит из анода и катода.

7. Выпрями́тельные дио́ды — диоды, используемые для преобразования переменного тока в постоянный. ВАХ диодов представляют собой графики зависимостей прямых и обратных токов и напряжений при различных температурах. Обозначается как полупроводниковый диод. Основные параметры: прямой ток, обратное напряжение, быстродействие. Сфера применения: радиоэлектроника, контроллеры, передатчики, фильтрующие устройства, блоки питания. Строение: состоит из анода и катода.

8. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор с тремя выводами и двумя электронно-дырочными переходами. ВАХ: зависит от ОЭ, ОБ, ОК. Обозначение: различают два их вида: PNP(стрелка к базе)-транзистор — эмиттер относится к типу P, база — к N, коллектор — к P; NPN(стрелка от базы)-транзистор — оснащен эмиттером с электропроводимостью N, базой P, коллектором N Управляют током в цепи нагрузки с помощью тока в цепи управления. Параметры: обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера, обратный ток коллектор-эмиттер, входное сопротивление, напряжение на входе база-эмиттор, коэффициент ООС по напряжения. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

9. Характеристики биполярного транзистор: входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер; Выходная характеристика - это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы.

10. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом— это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника (p или n-типа), имеет на противоположных концах электроды (исток и сток), с помощью которых она включена в управляемую цепь.

11. Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами. Вах всех тиристоров имеет участок отрицательное дифферинцильное сопротивления. Амплитуда макс. токов некоторых тиристоров достигает десятков тысяч ампер, а напряжение анод-катод достигает несколько кВ. Обозначение:(как диод с управляющим электродом). Основные параметры: напряжение включения, прямое напряжение, обратное напряжение, сила тока, сопротивление. Сфера применения: для монтажа сигнализаций; в системах освещения, полива и других схемах, которые предполагают режим автозапуска; в автомобильных, промышленных и других двигателях; в преобразователях, усилителях, инверторах; в электрооборудовании. Строение: тремя или более p-n-переходами

12. Полупроводниковые фотоэлектронные приборы- приборы, предназ преобразования световой энергии в электрическую. Основные параметры: сила тока, выходное напряжение, сопротивление. Сфера применения: ГЭС (солнечные панели).

13. Оптоэлектронный прибор — это прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях. Основные параметры: сила тока, напряжение, сопротивление. Применение: для связи блоков аппаратуры, для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок. Строение: p-n переход

14. Интегральные микросхемы (ИМС) - называют микроэлектронное изделие, которое выполняет требуемую функцию преобразования и обработки электрических сигналов и состоит из множество транзисторов. Гибридная интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности и др.)

15. Полупроводниковые ИМС имеют в своей основе кристалл полупроводникового материала, в поверхностном слое которого создаются все элементы ИМС (транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы) Строение: содержат только активные компоненты (транзисторы, диоды), реализованные в едином полупроводниковом кристалле. Применение: компьютеры, мобильные телефоны, медицинское оборудование.

16. Электронно-лучевая трубка представляет собой стеклянную или металлическую колбу, внутри которой создан высокий вакуум. в узкой части колбы расположена система электродов (электронная пушка), служащая для создания электронного пучка. электронная пушка (электронный прожектор), которая включает: катод , управляющий электрод 2 ускоряющий электрод и два анода ; отклоняющая система из двух пар отклоняющих пластин. Применение: осциллографы, радары,старые телевизоры.

17. Полупроводниковые и жидкокристаллические индикаторы. Полупроводниковые: виды: по отобраению информации (единичные, шкальные, цифровые, графические), по виду информационного поля, по способу управления (с встроенным управление, без встроенного управления). Строение: матрица светоизлучающих элементов. Жидкокристаллические: виды: пассивные, активные, символьные и графические. Строение: зеркало, поляризационная пленка, катод, жидкие кристаллы, анод.

18. Обратные связи в усилителях: Отрица́тельная обра́тная связь (ООС), Положительная обратная связь(ПОС)

Характеристика ООС: уменьшает усиление, повышает стабильность. Характеритика ПОС: увеличивает усиление, используется в генераторах и триггерах. Простейшая схема с ООС: инвертирующий усилитель с резистором обратной связи, подключенным между выходом и инвертирующим входом