Методическое пособие 445
.pdfРис. 74. Выходные характеристики транзистора КТ339А
15.Для транзистора КТ339А, включенного по схеме с общей базой, при изменении тока эмиттера на 10 мА ток коллектора изменяется на 9,7 мА. Определить коэффициент усиления по току для транзистора в схеме с ОЭ.
16.По семейству выходных характеристик транзистора КТ312А в схеме с общим эмиттером (рис. 75) определить значения коэффициентов усиления тока базы h21э при напряжениях на коллекторе Uк = 5; 10; 15 В и токе базы Iб = 0,4 мА. Построить зависимость h21э = f(Uк).
17.По семейству выходных характеристик транзистора
КТ312А в схеме с общим эмиттером (рис. 75) определить выходное сопротивление транзистора при напряжении на коллекторе Uк =10 B и токах базы Iб = 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 мА. Построить график зависимости Rвых = f(Iб).
60
Рис. 75. Выходные характеристики транзистора КТ312А
18. Дана схема, изображенная на рис. 76. Определить коллекторный ток, если коэффициент передачи тока базы
транзистора β = 50, |
обратный ток |
коллекторного |
перехода |
IКБ0 ≈ 0, EЭ = –30В, |
EК = –40В. |
Воспользуйтесь |
методом |
эквивалентного генератора. |
|
|
Рис. 76. Схема
19. На низких частотах коэффициент передачи тока эмиттера транзистора h21Б0 = –0,98, его предельная частота fh21Б = 5 МГц. Определить: а) модуль коэффициента передачи тока эмиттера |h21Б| этого транзистора на частоте 10 МГц;
61
б) частоту, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается до значения 0,6.
Известно, что коэффициент передачи тока эмиттера fh21Б изменяется с частотой согласно выражению:
h |
h |
|
|
|
|
|
|
||
21Б |
21Б0 |
|
1 |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1 j f
|
|
|
|
|
|
f |
h21Б |
|
|
|
.
20.При |
T = 300 |
К в |
рабочей точке |
с координатами |
|
Iк = 10 мА и UКЭ = 10 В на низких частотах транзистор имеет |
|||||
следующие значения |
h-параметров: h11Э = 500 Ом, |
h12Э = 10–4, |
|||
h21Э = 100, |
h22Э = 50 |
мкСм. |
Вычислить |
все |
параметры |
гибридной схемы замещения, если fгр = 50 МГц и CК = 3 пФ.
Контрольные вопросы
1.На чем основана работа транзистора? Почему ширина базы выбирается меньше длины свободного пробега носителей заряда в этой области?
2.Объясните физический смысл прямого и обратного включения р-n-перехода.
3.Изобразите схемы включения транзисторов.
4.Сравните значение выходных сопротивлений биполярных и полевых транзисторов.
5.При каком способе включения транзистора входной ток не усиливается?
62
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.Бойт, К. Цифровая электроника [Текст] / К. Бойт. – М.: Техносфера, 2007. – 472 с.
2.Расчет электронных схем. Примеры и задачи [Текст]: учеб. пособие для вузов по специальности электронной техники / Г. И. Изъюрова, Г. В. Королев, В. А. Терехов и др. –
М.: Высш. шк., 1987. – 335 с.
3.Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника [Текст]: учеб. пособие / А. И. Кучумов. – М.: Гелиос АРВ, 2011. – 336 с.
4.Опадчий, Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника [Текст] / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров. – М.: Горячая линия–Телеком, 2000. – 768 с.
5.Прянишников, В. А. Электроника. Полный курс лекций [Текст] / В. А. Прянишников. – 7-е изд. – СПб: КОРОНА– Век, 2014. – 416 с.
63
СОДЕРЖАНИЕ |
|
Практическое занятие № 1 |
|
Составление комбинационных схем...................................... |
2 |
Теоретические сведения.......................................................... |
2 |
Задания.................................................................................... |
12 |
Контрольные вопросы ........................................................... |
19 |
Практическое занятие № 2 |
|
Составление схем устройств с памятью .............................. |
20 |
Теоретические сведения........................................................ |
20 |
Задания.................................................................................... |
34 |
Контрольные вопросы ........................................................... |
39 |
Практическое занятие № 3 |
|
Полупроводниковые диоды .................................................. |
40 |
Теоретические сведения........................................................ |
40 |
Задания.................................................................................... |
44 |
Контрольные вопросы ........................................................... |
48 |
Практическое занятие № 4 |
|
Транзисторы. Одиночные каскады транзисторов............... |
49 |
Теоретические сведения........................................................ |
49 |
Задания.................................................................................... |
57 |
Контрольные вопросы ........................................................... |
62 |
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК .................................. |
63 |
64
ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к практическим занятиям по дисциплине «Электроника и схемотехника» для студентов специальностей
090301 «Компьютерная безопасность»,
090302 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 090303 «Информационная безопасность автоматизированных систем»
очной формы обучения
Составитель Москалева Екатерина Алексеевна
В авторской редакции
Подписано к изданию 01.06.2015. Уч. - изд. л. 4,0.
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»
394026 Воронеж, Московский просп., 14