Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

новая папка / 4006340

.html
Скачиваний:
6
Добавлен:
29.11.2022
Размер:
102.49 Кб
Скачать

4006340-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)

Patent Translate Powered by EPO and Google

French

German

  Albanian

Bulgarian

Croatian

Czech

Danish

Dutch

Estonian

Finnish

Greek

Hungarian

Icelandic

Italian

Latvian

Lithuanian

Macedonian

Norwegian

Polish

Portuguese

Romanian

Serbian

Slovak

Slovene

Spanish

Swedish

Turkish

  Chinese

Japanese

Korean

Russian

      PDF (only translation) PDF (original and translation)

Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation

Very good

Good

Acceptable

Rather bad

Very bad

Your reason for this translation: Overall information

Patent search

Patent examination

FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ US4006340A[]

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ BACKGROUND OF THE INVENTION 1.

Область изобретения Field of the Invention Настоящее изобретение относится к способу и устройству для быстрого нанесения оксидов тонкими слоями, которые хорошо прилипают к пластмассовым основам. The present invention concerns a method and device for the rapid depositing of oxydes in thin layers which adhere well to plastic supports. 2.

Описание предшествующего уровня техники Description of the Prior Art Известно, что существует несколько методов, позволяющих наносить тонкие слои на подложку. It is known that there are several methods making it possible to deposit thin layers on a substrate. Одним из наиболее известных методов, обеспечивающих получение высокоадгезивных слоев, является катодное напыление. One of the best known methods, providing very adhesive layers is cathode sputtering. Тем не менее, скорость напыления очень мала, так как в лучшем случае достигает сотой доли микрона в минуту, и этот метод невозможно адаптировать к действительно промышленным применениям для крупносерийного производства. Другой метод, который также хорошо известен, состоит в формировании отложений путем испарения подлежащего осаждению материала. Этот способ позволяет работать с гораздо более высокой скоростью нанесения, но слои, нанесенные таким образом на пластиковую подложку, очень редко удовлетворяют пользователя. Nevertheless, the depositing speed is very slow, since it reaches about a hundredth of a micron per minute in the best cases and it is not possible to adapt that method to really industrial applications for large mass-producing operations. Another method which is also well-known consists in forming deposits by evaporation of the material to be deposited. That method makes it possible to operate at a very much higher depositing speed, but the layers thus deposited on the plastic support only very rarely give the user satisfaction. Настоящее изобретение направлено на разработку и применение недавно усовершенствованного способа, заключающегося в формировании из напыляемого оксида плазмы в дуговом состоянии и в напылении ее на подложку, находящуюся в вакууме. The present invention aims at developing and applying a method, recently perfected, consisting in forming with the oxide to be sprayed, a plasma in an arc state and in spraying it onto the substrate kept in a vacuum. Таким образом получают слои отличного качества при скорости осаждения в 50-100 раз выше, чем при катодном напылении. Известно, что согласно этому недавнему способу разряд в дуговой среде индуцируется внутри полости, стенки которой облицованы осаждаемым материалом. В этой полости просверлено отверстие, сообщающее ее с корпусом, содержащим подложку. При установлении дуговой среды частицы осаждаемого материала вытесняются из полости через образовавшееся в ней отверстие, проникают в камеру, где преобладает более низкое давление, чем в полости, и вступают в контакт с подложкой. и откладываются на нем. Layers having excellent quality are thus obtained at a depositing speed 50 to 100 times higher than with cathode sputtering. It is known that according to that recent method, the discharge in an arc medium is induced within a cavity whose walls are lined with the material to be deposited. That cavity is drilled with an opening putting it into communication with the enclosure containing the substrate. When the arc medium is established, the particles of the material to be deposited are driven out of the cavity through the opening formed in the latter, penetrate in the enclosure where a lower pressure than in the cavity prevails, and come into contact with the substrate and are deposited thereon. Известно, что разряд представляет собой дуговое состояние, созданное таким образом, имеет тенденцию к увеличению интенсивности, если последний не контролируется. It is known that the discharge is an arc state thus set up has a tendency to increase in intensity if the latter is not controlled. СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ SUMMARY OF THE INVENTION Целью, которую преследовал изобретатель при разработке данной технологии оксидного осаждения, было получение удовлетворительной ровности оксидного слоя на большой пластиковой поверхности, а также как можно более незначительный нагрев пластиковой подложки, при этом следует понимать, что полученный таким образом слой всегда сохранял все свои адгезивные свойства, которые обеспечивает используемый метод, независимо от типа используемой пластиковой подложки, и, наконец, скорость осаждения оставалась очень высокой или даже улучшалась каждый раз, когда это было возможно. The aim which the inventor had in view when developing that oxyde depositing technology was to obtain a satisfactory evenness of the oxyde layer on a large plastic surface, as well as the slightest possible heating up of the plastic support, it being understood, moreover, that the layer thus obtained always retained all its adhesive qualities which the method used enables, whatever the type of the plastic substrate used may be and lastly that the depositing speed remained very high or was even improved each time this was possible. В соответствии с изобретением усовершенствованный способ имеет своей целью быстрое осаждение оксидов тонкими и клейкими слоями на пластиковые подложки, расположенные в камере, находящейся под вакуумом, напротив круглого отверстия исходной полости, внутри облицованной оксидами, подлежащими осаждению. указанная полость источника поддерживается с помощью нагнетаемого кислорода при более высоком давлении, чем преобладающее в камере, при этом плазма в дуговом состоянии формируется в указанной полости источника за счет высокочастотного возбуждения индукционной катушки, окружающей указанную камеру. полость источника, отличающаяся тем, что для получения ровного слоя, с одной стороны, стабилизируется дуговое состояние разряда, а с другой стороны, пластмассовые опоры, подлежащие покрытию, отодвигаются от указанного круглого отверстия 17 по оси последний. According to the invention, the method perfected has for its object the rapid depositing of oxides in thin and adhesive layers on plastic substrates arranged in an enclosure kept under vacuum, opposite the circular opening of a source cavity internally lined with the oxides to be deposited, the said source cavity being kept, by means of injected oxygen, at a pressure higher than that prevailing in the enclosure, a plasma in an arc state being formed in the said source cavity by the high-frequency excitation of an induction coil surrounding the said source cavity, characterized in that to obtain an even layer, on the one hand, the arc state of the discharge is stabilized and on the other hand, the plastic supports to be coated are moved away from the said circular opening 17 along the axis of the latter. Разряд в дуговом состоянии, создаваемый в устройстве, применяющем вышеупомянутый метод, имеет тенденцию к увеличению интенсивности, быстрому испарению материала, выстилающего полость, изменению состояния осаждения и, в частности, изменению ровности осажденного слоя. . Таким образом, стабилизация состояния дуги является необходимым условием достижения ровности слоев. Поэтому обстоятельства приводят к обязательному введению средств стабилизации дуги. Кроме того, заметив, что для данной конструкции устройства ровность нанесенного слоя увеличивается с увеличением расстояния, на котором пластиковая подложка была помещена от круглого отверстия полости, изобретатель был вынужден внести изменения в структуру устройства. устройство особой формы, позволяющее довести расстояние между круглым отверстием полости и пластиковой опорой до 500 мм и более, что почти в 10 раз больше диаметра полости. Для того чтобы свободный поток частиц осаждаемого материала был достаточным, необходимо снизить давление в камере, поддерживая давление в полости в 10-100 раз выше, что позволяет одновременно увеличить скорость осаждения. в очень заметных пропорциях. The discharge in an arc state which is set up in a device applying the aforementioned method tends to increase in intensity, to rapidly set up vaporing of the material lining the cavity to modify the depositing state and more particularly to alter the evenness of the layer deposited. The stabilizing of the arc state is therefore a necessary condition to achieving evenness of the layers. Circumstances therefore lead to the compulsory introducing of a means for stabilizing the arc. Moreover, having observed that for a given structure of the device, the evenness of the layer deposited increased with the distance at which the plastic support was placed from the circular opening of the cavity, the inventor has been induced to impart to the structure of the device a particular shape making it possible to bring the distance between the circular opening of the cavity and the plastic support to 500 mm and more, this being nearly 10 times the diameter of the cavity. For the free flow of the particles of the material to be deposited to be sufficient, it is necessary to reduce the pressure in the enclosure while maintaining a pressure 10 to 100 times higher within the cavity, that condition enabling simultaneously the increasing of the depositing speed in very appreciable proportions. Наконец, за счет отодвигания пластиковой опоры от открывающегося круглого отверстия полости одновременно снижается ее нагрев. Lastly, by moving the plastic support away from the opening circular opening of the cavity, the heating up thereof is simultaneously reduced. Таким образом, устройство, реализующее способ согласно изобретению, обеспечивающий быстрое осаждение тонких и клейких слоев оксидов на поверхность пластиковых подложек, состоит из: кожуха, снабженного насосным агрегатом, обеспечивающим высокий вакуум в кожухе; цилиндр с полостью источника, облицованный внутри слоем оксида, подлежащего осаждению, закрытый в нижней части заглушкой, через которую проходит трубка для ввода газа, и имеющий в верхней части с круглым осевым отверстием обмотку возбуждения полости источника образованный витками токопроводящей трубки, охлаждаемой изнутри и электрически соединенной с колебательным контуром, снабженным средствами регулировки; стартера, размещенного на уровне полости источника; пластиковой подложки, закрепленной на подложкодержателе и размещенной, по существу, на оси осевой окружности. отверстие цилиндра полости источника и обращенное к отверстию; In this way, the device implementing the method according to the invention, enabling the rapid depositing of thin and adhesive layers of oxides on the surface of plastic supports is constituted by:an enclosure provided with a pumping unit ensuring a high vacuum to the enclosure;a source cavity cylinder internally lined with a layer of oxide to be deposited, closed at its lower part by a plug through which a gas injection tube passes and provided, at its top, with a circular axial opening, an excitation winding of the source cavity formed by turns of a conductor tube internally cooled and electrically connected to an oscillating circuit provided with adjusting means;a starter placed at the level of the source cavity;a plastic substrate fixed on a substrate support and placed substantially on the axis of the axial circular opening of the source cavity cylinder and facing the opening; отличающийся тем, что расстояние между покрываемой подложкой и осевым круглым отверстием цилиндра полости источника больше, чем в несколько раз, диаметра упомянутого цилиндра полости источника. characterized in that the distance between the substrate to be coated and the axial circular opening of the source cavity cylinder is greater than several times the diameter of the said source cavity cylinder. Верхняя часть корпуса, как правило, цилиндрическая, а сам ее диаметр также более чем в несколько раз превышает диаметр цилиндра полости источника. The upper part of the enclosure is generally cylindrical and its diameter itself is also greater than several times the diameter of the source cavity cylinder. Нижняя часть кожуха в районе цилиндра резонатора источника может, наоборот, иметь диаметр, почти такой же или немного больший диаметра резонатора. В этом случае соединение верхней части корпуса с нижней частью осуществляется с помощью усеченного конуса, стенка которого раскрывается под углом 60° и более. The lower part of the enclosure in the vicinity of the source cavity cylinder may, on the contrary, have a diameter which is nearly the same as or slightly greater than that of the cavity. In that case, the connection of the upper part of the enclosure with the lower part is effected by means of a truncated cone whose wall opens at an angle of 60 DEG or more. Нижняя часть корпуса вблизи полости может, наоборот, иметь тот же диаметр, что и верхняя часть, при этом корпус в целом имеет форму цилиндра, диаметр которого равен диаметру верхней части корпуса. боковые стенки которого отстоят от полости источника. Затем электромагнитное поле концентрируется внутри цилиндра с полостью источника с помощью средства концентрации, образованного по существу двумя концентрическими проводящими цилиндрами, электрически соединенными друг с другом и образующими вторичную обмотку трансформатора импеданса, первичная обмотка которого образована индукционной катушкой. Таким образом, можно считать, что во всех случаях индукционная катушка размещается в непосредственной близости от полости либо внутри оболочки, либо снаружи последней. Стабилизация тока может быть достигнута, как и ранее, введением в первичную обмотку постоянной индуктивности. Эта стабилизация также была достигнута путем включения регулятора известного типа в питание первичной цепи и управления им напряжением отводом на клеммах витка первичной обмотки. The lower part of the enclosure in the vicinity of the cavity may, on the contrary, have the same diameter as the upper part, the enclosure as a whole then having the shape of a cylinder whose diameter is that of the upper part of the enclosure whose lateral walls are spaced apart from the source cavity. The electromagnetic field is then concentrated within the source cavity cylinder by a concentration means formed essentially by two concentric conductive cylinders electrically connected together, constituting the secondary winding of an impedance transformer whose primary winding is formed by the induction coil. In this way, it may be considered that in all cases, an induction coil is placed in the immediate vicinity of the cavity, either inside the enclosure or outside the latter. The stabilization of the current may be obtained as previously by inserting in the primary winding a fixed inductance. That stabilization has also been obtained by inserting a regulator of a known type, in the feeding of the primary circuit and by controlling it with a voltage by a tap at the terminals of a turn of the primary winding. ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖА DESCRIPTION OF THE DRAWING Пример варианта осуществления, описанный ниже, и цифровые значения, приведенные в качестве примера, не имеющего ограничительного характера, в отношении осаждения диоксида кремния на пластиковых носителях путем осаждения различных оксидов, таких как, в частности, оксид хрома, оксид олова и оксид индия , были сформированы на пластиковых опорах без внесения заметных модификаций в устройство, так что нижеследующее описание может иметь общий характер, хотя оно сделано со ссылкой на: The example of embodiment described hereinbelow and the digital values, given by way of an example having no limiting character, concerning the depositing of silica on plastic supports by deposits of various oxides such as, more particularly, chromium oxide, tin oxide, and indium oxide, have been formed on plastic supports without making appreciable modifications to the apparatus implemented so that the following description may have a general character all although it is made with reference to: Единственная РИСУНОК, показывающая схематически установку для нанесения тонкого слоя кремнезема на поверхность подложки из пластического материала. The single FIGURE showing diagrammatically an installation for depositing a thin layer of silica at the surface of a support made of a plastic material. ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ВОПЛОЩЕНИЯ DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Цилиндрический кожух, окружающий полость источника 2, виден позицией 1. Согласно одному варианту индукционная катушка 3 показана в виде двух витков полого проводника, внутри которого протекает охлаждающая жидкость. Цилиндрический корпус 1 продолжается в своей верхней части круглой пластиной 5, в которой просверлено отверстие 6. Корпус 7 или цилиндр полости источника, образующий полость источника, поддерживает в своей верхней части герметичное кольцо 8, препятствующее попаданию загрязняющих веществ в индукционную катушку 3. В других вариантах (не показаны) индукционная катушка расположена снаружи цилиндрического корпуса 1, окружающего полость источника 2, но тогда внутри корпуса применяется средство для концентрации поля, и виток указанного концентратора, ближайший к исходная полость 2 охлаждается прямо или косвенно контуром охлаждающей жидкости, так что в общих случаях охлаждается стенка цилиндра 7 полости. A cylindrical casing surrounding the source cavity 2 may be seen at 1. According to one embodiment, the induction coil 3 is shown in the form of two turns of a hollow conductor inside which a cooling fluid flows. The cylindrical casing 1 extends, in its upper part, by a circular plate 5 drilled with an opening 6. The casing 7 or source cavity cylinder forming the source cavity supports, at its upper part, a fluid-tight ring 8 preventing the ingress of polluting substances into the induction coil 3. In other embodiments (not shown), the induction coil is situated outside the cylindrical casing 1 surrounding the source cavity 2, but then, a means for concentrating the field is applied inside the enclosure and the turn of the said concentrator which is the nearest of the source cavity 2 is cooled directly or indirectly by a circuit of cooling fluid, so that in general cases, the wall of cylinder 7 of the cavity is cooled. Внутри цилиндр 7 полости источника облицован одним или несколькими цилиндрами 10 из диоксида кремния; дно цилиндра 7 полости источника покрыто кремнеземной шайбой 11, в которой просверлено отверстие 12, у которого оканчивается трубка 14, поддерживающая посредством пластины 32 цилиндр 7 полости источника. Эта трубка используется для подачи газа, в данном случае кислорода; его слив регулируется микроклапаном 15. Шайба из кремнезема 16 завершает формирование верхней части полости. Эта шайба 16 имеет круглое осевое отверстие 17 сверла, центрированное по круглому отверстию 6. Internally, the source cavity cylinder 7 is lined with one or more cylinders 10 of silica; the bottom of the source cavity cylinder 7 is covered with a silica washer 11 drilled with an opening 12 at which a tube 14 supporting, by means of the plate 32, the cylinder 7 of the source cavity terminates. That tube is used for injecting the gas, in this case oxygen; its discharge is regulated by a microvalve 15. A silica washer 16 completes the forming of upper part of the cavity. That washer 16 carries a circular driller axial opening 17 centred on the circular opening 6. Круглая пластина 5, ограничивающая цилиндрическую часть кожуха 1, герметично соединена с кожухом 18 в форме усеченного конуса, который сужается кверху и осевое поперечное сечение которого открыто под углом более 60o. The circular plate 5 limiting the cylindrical part of the enclosure 1 is connected in a fluid-tight manner to a truncated cone shaped casing 18 which tapers upwards and whose axial cross-section open at an angle of more than 60 DEG. Верхний конец корпуса 18 в форме усеченного конуса продолжается горизонтально круглой пластиной 20, на которую опирается верхняя часть 21 корпуса через уплотнительное кольцо 22. Этот элемент 21 имеет форму перевернутого сливного бака. В центре верхняя часть a1 корпуса поддерживает ось или вал 23, поддерживающий опору 24 подложки и, в свою очередь, подложку 29. Круглый фланец 25 позволяет подсоединить насосную трубу 26 к корпусу, при этом трубка 26 снабжена клапаном 27 и соединена с насосным агрегатом 28, имеющим высокий напор, способный обеспечить вакуум менее 10°-@6. Торр. The upper end of the truncated cone shaped casing 18 is extended horizontally by a circular plate 20 on which rests the upper part 21 of the enclosure through an O-ring 22. That element 21 assumes the form of an inverted draining tank. At its centre, the upper part a1 of the enclosure supports an axle or shaft 23, supporting the substrate support 24 and in turn the substrate 29. A circular flange 25 makes it possible to connect up the pumping tube 26 to the enclosure, tube 26 being provided with a valve 27 and connected to the pumping unit 28 having a high discharge capable of providing a vacuum of less than 10@-@6 Torr. Таким образом, корпус состоит из цилиндрической трубы 1, герметично опирающейся на опорную плиту 32, продолжающуюся кожухом 18 в форме усеченного конуса, который сужается вверх и соединяется в своей верхней части 21 с корпусом. The enclosure is therefore constituted by the cylindrical tube 1 bearing in a fluid tight manner on a support plate 32, extended by the truncated cone shaped casing 18 which tapers upwards and connects up at its upper part 21 of the enclosure. Наиболее часто применяемая установка имеет следующие размеры: цилиндр полости источника имеет диаметр снаружи 50 мм, внутри 30 мм, круглое отверстие 12, просверленное в верхнем диске 16, имеет диаметр 10 мм. Общая высота полости источника 2 составляет 50 мм. Расстояние между круглым отверстием 17 и подложкой регулируется в пределах от 200 мм (опора подложки утоплена в корпус в форме усеченного конуса 18) до более 500 мм (подложка 29). находится в верхней части 21 корпуса). The installation most frequently used has the following dimensions:the source cavity cylinder has a diameter of 50 mm on the outside and 30 mm on the inside;the circular opening 12 drilled in the upper disk 16 is 10 mm. The total height of the source cavity 2 is 50 mm.the distance between the circular opening 17 and the substrate is adjustable between 200 mm (the substrate support being sunk into the truncated cone shaped casing 18) and more than 500 mm (the substrate 29 being in the upper part 21 of the enclosure). Используемая электрическая схема позволяет стабилизировать интенсивность разряда дуги, что необходимо при любой промышленной эксплуатации устройства. Высокочастотный колебательный контур содержит самоиндукцию 33, реактивную самоиндукцию 35, включенную последовательно с витком индукции 3 в колебательный контур, который может регулироваться емкостью 34. Регулировка мощности осуществляется автотрансформатором (не показан). Когда достигается состояние дуги, индукционный виток 3 может считаться находящимся в состоянии короткого замыкания; полная собственная индуктивность цепи становится суммой собственных индуктивностей 33 и 35; полное сопротивление колебательного контура немного уменьшается, так что анодный ток увеличивается лишь незначительно (порядка 10 процентов) вместо того, чтобы вызывать гонку частоты, что не могло бы произойти с схемой, в которой индукционный виток не соединены последовательно с высоким импедансом. The electric circuitry used makes it possible to stabilize the intensity of the discharge of the arc which is indispensable for any industrial operation of the device. The high-frequency oscillating circuit comprises a self-inductance 33, a reaction self-inductance 35 connected in series with the induction turn 3 in the oscillating circuit which may be adjusted by the capacity 34. The adjustment for power is effected by a self-transformer (not shown). When the arc state is reached, the induction turn 3 may be considered as being in short-circuit; the total self inductance of the circuit becomes the sum of the self inductances 33 and 35; the impedance of the oscillating circuit decreases slightly, so that the anode current increases only slightly (in the order of 10 percent) instead of causing the racing of the rate, which would not fail to occur with a circuitry in which the induction turn is not connected in series with a high impedance. Запуск разряда осуществляется через пусковое устройство, расположенное снаружи или внутри корпуса на уровне полости. The priming of the discharge is obtained through a starter arranged on the outside or on the inside of the enclosure, at the level of the cavity. Работа устройства требует, во-первых, создания в корпусе вакуума порядка 10@-@6 торр. Затем в полость источника 2 вводят кислород для создания в ней давления порядка от 2 до 7,10-3 торр, давление в полости которого зависит от диаметра круглого отверстия 17 полости источника 2 и от Напор насосов 28 в данном случае устанавливается в соответствии с нагнетанием этих последних при значении от 2,10-5 Торр до 7,10-4 Торр, причем первое значение является предпочтительным, поскольку более высокая скорость осаждения наблюдается из-за высокого градиента давления, возникающего при открытии полости. Тем не менее, достаточно, чтобы отношение между давлениями было порядка 10, при этом давление в вакуумной камере было, например, 7,10-@4 Торр, а давление в полости 7,10-@3. Торр. Полученный таким образом градиент давлений достаточен для достижения идеально ровного клея и быстрого осаждения оксида на подложке. The operation of the device requires firstly the setting up in the enclosure of a vacuum in the order of 10@-@6 Torr. Then, oxygen is brought into the source cavity 2 to form a pressure in the order of 2 to 7.10@-@3 Torr therein, the pressure in the cavity which depends on the diameter of the circular opening 17 of the source cavity 2 and on the discharge of the pumps 28 is set up in the present case according to the discharge of these latter at a value comprised between 2.10@-@5 Torr to 7.10@-@4 Torr, the first value being preferred, as much because of the higher depositing speed observed as because of the high pressure gradient which appears at the opening of the cavity. Nevertheless, it is sufficient for the ratio between the pressures to be in the order of 10, the pressure in the enclosure under vacuum being, for example, 7.10@-@4 Torr and whereas the pressure in the cavity is 7.10@-@3 Torr. The gradient of the pressures thus obtained is then sufficient to reach a perfectly even adhesive and rapid deposit of the oxide on the substrate. При достижении этих давлений и применении высокочастотного сигнала, регулируемого в диапазоне от 2 до 6 МГц/с, скорость, которая формируется, как только достигается воспламенение с помощью стартера 36 в скорости холодного разряда, заставляет плазму иметь светло-голубой цвет. Через определенное время плазма обогащается; приобретает очень интенсивный синий цвет, насыщенный ультрафиолетовыми лучами; состояние дуги заполняется, и начинается отложение в состоянии дуги. When these pressures are reached and a high-frequency adjustable between 2 and 6 Mc/s is applied, the rate which is formed as soon as priming is obtained by means of the starter 36 in the cold discharge rate, causes the plasma to have a light blue colour. After a certain time, the plasma becomes enriched; it turns a very intense blue colour, rich in ultra-violet rays; the arc state is primed and depositing in the arc state begins. На протяжении всей работы анодное напряжение остается постоянным и равным в целом 6 кВ в указанной схеме. Анодный ток, который составляет 1 ампер без нагрузки, принимает значение 1,1 ампера при образовании плазмы и достигает 1,4 ампера в дуговом состоянии из-за ограничения тока, налагаемого собственной индуктивностью. Эти немногочисленные экспериментальные детали позволяют специалисту в данной области техники основательно убедиться в том, что наблюдаемый процесс совершенно отличен от катодного распыления в кислородной плазме. Throughout the whole operation, the anode voltage remains constant and equal in general to 6 KV in the aforementioned circuitry. The anode current which is 1 ampere without load assumes the value of 1.1 ampere when the plasma is formed and reaches 1.4 ampere in the arc state due to the limiting of the current imposed by the self inductance. These few experimental details make it possible for the man in the art to convince himself thoroughly that the process observed is totally different from cathode sputtering in an oxygen plasma. Полученные отложения легко достигают толщины 3 микрона, оставаясь идеально однородными и липкими. The deposits obtained easily reach a thickness of 3 microns while remaining perfectly homogenous and adhesive. По оси источника наблюдалась скорость осаждения порядка 2 мкм в минуту на расстоянии около 200 мм от источника. Скорость осаждения уменьшается с осевым расстоянием, увеличивается между подложкой и полостью источника и уже не превышает 0,5 мкм в минуту на осевом расстоянии 400 мм, что абсолютно нормально из-за угла раскрытия плазмы. пучок, выходящий из круглого отверстия резонатора источника. In the axis of the source, a depositing speed in the order of 2 microns per minute at a distance of about 200 mm from the source has been observed. The depositing speed decreases with the axial distance, increase between the substrate and the source cavity, and it is no longer greater than 0.5 micron per minute at an axial distance of 400 mm, this being absolutely normal because of the angle of opening of the plasma beam leaving the circular opening of the source cavity. Распределение в пространстве толщины осадка на плоской подложке точно следует идеальной кривой закона излучения по косинусу для источника с малой поверхностью. Замечено, что закон тем лучше соблюдается, чем больше осевое расстояние между подложкой и круглым отверстием полости источника. Так, на осевом расстоянии 200 мм отклонение идеальной кривой от измеренной толщины составляет 20 %, а на расстоянии 500 мм отклонение составляет не более 5 %. The distribution in space of the thickness of the deposit on a plane substrate closely follows the ideal curve of the law of the emission in a cosine for a source having a small surface. It is observed that the law is all the better followed as the axial distance between the substrate and the circular opening of the source cavity is made larger. Thus, at an axial distance of 200 mm, the deviation between the ideal curve and the thickness measured is 20 percent but at a distance of 500 mm, the deviation is no more than 5 percent. Таким образом, для полости источника диаметром 50 мм целесообразно размещать подложку на осевом расстоянии от отверстия полости, равном, по меньшей мере, 4-кратному диаметру полости. For a source cavity having a diameter of 50 mm, it is therefore an advantage to place the substrate an axial distance from the cavity opening at least equal to 4 times the diameter of the cavity. При толщине 200 мм осаждение происходит быстро, но изменение толщины все еще довольно далеко от идеальной кривой. При 400 мм (в 8 раз больше диаметра полости источника) скорость осаждения по-прежнему составляет порядка полмикрона в минуту, а отклонение толщины отложения составляет менее 10 процентов от идеального слоя. При 500 мм (в 10 раз больше диаметра полости источника) скорость осаждения составляет менее половины микрона в минуту, но, с другой стороны, непрерывность толщины практически идеальна. At 200 mm, depositing is rapid, but the variation of the thicknesses isstill fairly far away from the ideal curve. At 400 mm, (8 times the diameter of the source cavity) the depositing speed is still in the order of half a micron per minute and the variation in thickness of the deposit is less than 10 percent from the ideal layer. At 500 mm (10 times the diameter of the source cavity) the depositing speed is less than half a micron per minute but on the other hand the continuity of thickness is virtually perfect. Эти два последних расстояния были выбраны в качестве предпочтительных пределов. These last two distances have been selected as preferred limits. Операции по нанесению слоев на пластические материалы, имеющие определенную форму, могут быть осуществлены способом, который представляет собой преимущество, только если температура подложки не достигает высоких значений, способных вызвать какое-либо изменение формы. На выбранных расстояниях температура подложек никогда не превышает 50°С. The operations for depositing layers on plastic materials having a determined shape can be effected in a way which constitutes an advantage only if the temperature of the substrate does not reach high values liable to produce any alteration in shapes. At the distances selected, the temperature of the substrates never exceeds 50 DEG C. Качество месторождений было исследовано по двум другим аспектам: The quality of the deposits has been examined under two other aspects: его устойчивость к погодным условиям, холоду, дождю, ветру, солнцу, пыли была проверена в течение нескольких месяцев, но без каких-либо изменений в осадке, наблюдаемых под микроскопом. its resistance to weather, cold, rain, wind, sun, dust, has been tested during several months but without any alteration in the deposit having been observed with a microscope. Сопротивление истиранию определяли по трению органического тела, нагруженного зернами абразивного материала, давление которых на слой определяется дополнительными грузами, стремящимися прижать поверхность трения к образцу. The resistance to abrasion has been determined by the rubbing of a organic body loaded with grains of abrasive material whose pressure on the layer is determined by additional weights which tend to press the frication surface against the sample. Было замечено, что большинство пластиковых веществ, с которыми проводились эксперименты на чистом веществе, забивались, как только дополнительный вес достигал 10 граммов. It has been observed that the majority of plastic substances on which experiments were carried out on the bare substance were scored as soon as the additional weight reached 10 grammes. С другой стороны, царапины не появлялись на отложениях размером 2 микрона, имеющих толщину 2 микрона, за исключением дополнительных утяжелений в 200 граммов. On the other hand, the scores did not appear on a deposit of 2 microns having a thickness of 2 microns except with additional weights of 200 grammes. Наконец, на отложениях толщиной 3 микрона удалось добиться появления зазубрин даже при дополнительном весе более 800 г. Lastly, on a deposit having a thickness of 3 microns, it has been possible to make scores appear even with an additional weight of more than 800 g. Эти различные эксперименты и усовершенствованная технология показывают, что в настоящее время можно осуществить согласно способу и устройству, описанным выше, покрытие слоем тонкого, но совершенно защитного и прозрачного слоя кремнезема, различных предметов промышленного характера, таких как очки для очков и часов, экраны, маски и шлемы для мотоциклистов, пилотов и т. д., кабины для автомобилей, самолетов, ветровые стекла и т. д. These various experiments and the technology perfected show that it is possible now to effect according to the method and the device described above, the coating with a layer thin but perfectly protective and transparent layer of silica, of various objects of an industrial nature, such as glasses for spectacles, and watches, screens, masks and helmets for motor-cycle riders, pilots, etc., cockpits for cars, aeroplanes, wind screens, etc. Хотя может показаться, что только что описанное устройство обеспечивает наибольшие преимущества для реализации изобретения в конкретной технической ситуации, следует понимать, что специалист в данной области техники может внести в него различные модификации, не выходя за рамки объема настоящего изобретения. изобретения, в частности, когда требуется получить однородное осаждение оксида на поверхность, имеющую определенную форму, или одновременное осаждение на две стороны подложки из пластического материала. Although the device which has just been described may appear to afford the greatest advantages for the implementing of the invention in a particular technical situation, it will be understood that various modifications may be made thereto by the man in the art without going beyond the scope of the invention, more particularly when it is required to obtain a homogenous deposit of oxyde on a surface having a particular shape or a simultaneous deposit on the two sides of a substrate made of a plastic material.

Please, introduce the following text in the box below Correction Editorclose Original text: English Translation: Russian

Select words from original text Provide better translation for these words

Correct the proposed translation (optional) Submit

Соседние файлы в папке новая папка