новая папка / 4006437

4006437-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)

Patent Translate Powered by EPO and Google

French

German

  Albanian

Bulgarian

Croatian

Czech

Danish

Dutch

Estonian

Finnish

Greek

Hungarian

Icelandic

Italian

Latvian

Lithuanian

Macedonian

Norwegian

Polish

Portuguese

Romanian

Serbian

Slovak

Slovene

Spanish

Swedish

Turkish

  Chinese

Japanese

Korean

Russian

      PDF (only translation) PDF (original and translation)

Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation

Very good

Good

Acceptable

Rather bad

Very bad

Your reason for this translation: Overall information

Patent search

Patent examination

FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ US4006437A[]

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ BACKGROUND OF THE INVENTION 1.

Область изобретения Field of the Invention Настоящее изобретение относится к частотным фильтрам. This invention relates to frequency filters. Более конкретно, изобретение направлено на такие фильтры, образованные соединением множества электромеханических фильтров для достижения возможности высокочастотной фильтрации. More particularly, the invention is directed to such filters formed by coupling a plurality of electromechanical filters to attain a high frequency filtering capability. 2.

Описание предшествующего уровня техники Description of the Prior Art Хорошо известно, что для многих применений электромеханические фильтры предпочтительнее фильтров, использующих дискретные резистивные, емкостные и индуктивные компоненты. It is well known that electromechanical filters are preferred over filters using discrete resistive, capacitive and inductive components, for many applications. Такие электромеханические фильтры чрезвычайно точны, воспроизводимы и обладают присущей им стабильностью частоты в зависимости от температуры и времени. Such electromechanical filters are extremely accurate, repeatable and have inherent frequency stability as to temperature and time. Настоящее изобретение может быть легко понято при обсуждении принципов и концепций, относящихся к конкретному электромеханическому фильтру - монолитному кристаллическому фильтру, - описанному в патенте США No. № 3,564,463 на имя W.D. Beaver and R.A. Sykes, который закреплен за Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Мюррей-Хилл, Нью-Джерси. Такой кристаллический фильтр может состоять из двух пар выровненных металлических электродов, нанесенных на противоположные стороны пьезоэлектрической кристаллической пластины кварца. Энергия, подаваемая на пару входных электродов на основной частоте режима сдвига кристаллической пластины или вблизи нее, будет вызывать пьезоэлектрические колебания пластины в режиме сдвига, который будет ощущаться на выходной паре электродов. Соответственно, со входа на выход фильтра будут передаваться только частоты, соответствующие основным частотам и обертонам кристаллической пластины, и ограниченная полоса частот около таких частот. Все остальные частоты будут подавлены в высокой степени. The instant invention can be readily understood by discussing the principles and concepts as they relate to a particular electromechanical filter -- the Monolithic Crystal Filter -- described in U.S. Pat. No. 3,564,463 to W.D. Beaver and R.A. Sykes which is assigned to Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Murray Hill, New Jersey. Such a crystal filter may be comprised of two pairs of aligned metallic electrodes plated on opposite faces of a piezoelectric quartz crystal wafer. Energy supplied to an input electrode pair at or near the shear mode fundamental frequency of the crystal wafer will piezoelectrically vibrate the wafer in the shear mode which will be sensed at an output pair of electrodes. Accordingly, only the frequencies corresponding to the fundamental and overtone frequencies of the crystal wafer and a limited band of frequencies about such frequencies will be transmitted from the input to the output of the filter. All other frequencies will be suppressed to a high degree. Хотя существуют и другие факторы, решающим вкладом в основную или резонансную частоту такого кристаллического фильтра является толщина кристалла кварца, захваченного между электродами. Толщина кристаллической пластины кварца обратно пропорциональна его основной частоте. Соответственно, максимальная основная частота кварцевого фильтра ограничена уровнем техники притирки кварцевых кристаллов. В настоящее время кристалл кварца можно притирать для получения пригодных для использования пластин, имеющих основную частоту примерно до 60 МГц. Однако такие пластины должны иметь толщину примерно 0,0011 дюйма (0,0028 см) для достижения таких частот, что делает такие пластины очень сложными в изготовлении, хрупкими, подверженными поломке и чрезвычайно дорогими. Although there are other factors, the controlling contribution to the fundamental or resonant frequency of such a crystal filter is the thickness of the quartz crystal captured between the electrodes. The thickness of the quartz crystal wafer is inversely proportional to its fundamental frequency. Accordingly, the maximum fundamental frequency of the crystal filter is limited by the state of the quartz crystal lapping art. Presently, quartz crystal can be lapped to yield usable wafers having a fundamental frequency up to approximately 60 MHz. However, such wafers must be lapped to about 0.0011 inch (0.0028 cm) in thickness to attain such frequencies which makes such wafers very difficult to fabricate, delicate, subject to breakage and extremely expensive. Альтернативой использованию основной частоты кварцевого фильтра для достижения возможностей высокочастотной фильтрации (т. е. около 40 МГц) является пропускание частот в заданной одной из полос частот обертонов кварцевого фильтра. Однако это обычно требует использования дополнительных LC-фильтров для подавления входных частот, соответствующих основной частоте, и обертонов, которые не должны проходить через кварцевый фильтр. An alternative to using the fundamental frequency of a crystal filter to attain high frequency filtering capabilities (i.e., about 40 MHz) is to pass frequencies at a predetermined one of the overtone frequency bands of the crystal filter. However, this normally requires the use of additional LC filters to suppress input frequencies corresponding to the fundamental frequency and overtones that should not pass through the crystal filter. СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ SUMMARY OF THE INVENTION Вышеупомянутые проблемы были решены с помощью настоящего полосового фильтра, который содержит множество связанных электромеханических фильтров, при этом по меньшей мере один из электромеханических фильтров имеет полосу основной частоты, отличную от других фильтров. Каждый электромеханический фильтр имеет одну полосу частот обертонов, которая выровнена или совпадает с одной полосой частот обертонов всех других связанных фильтров, чтобы позволить только частотам в этой полосе частот обертонов, общей для всех фильтров, проходить, практически без подавления, через полосу. пройти фильтр. The foregoing problems have been solved by the instant band-pass filter which comprises a plurality of coupled electromechanical filters, wherein at least one of the electromechanical filters has a fundamental frequency band different from the other filters. Each electromechanical filter has one overtone frequency band that is aligned, or coincides with, one overtone frequency band of all of the other coupled filters to permit only frequencies within that overtone frequency band common to all filters to pass, substantially unsuppressed, through the band-pass filter. Путем сопряжения электромеханических фильтров частоты, соответствующие основной полосе частот каждого фильтра, а также его нежелательные полосы обертонов, подаваемые на вход связанной комбинации, будут подавляться по меньшей мере одним из других связанных фильтров. Однако входные частоты, которые соответствуют частотам в совпадающей полосе частот обертонов, будут проходить через связанную комбинацию по существу беспрепятственно. By coupling the electromechanical filters, the frequencies corresponding to the fundamental frequency band of each filter, as well as undesirable overtone bands thereof, which are presented to the input of the coupled combination will be suppressed by at least one of the other coupled filters. However, the input frequencies which correspond to the frequencies in the coincident overtone frequency band will pass through the coupled combination substantially uninhibited. Преимущественно такие фильтры могут быть изготовлены просто и экономично с использованием известных способов изготовления кристаллических фильтров. Advantageously such filters can be simply and economically fabricated with known crystal filter production methods. Кроме того, системы передачи, которым требуются фильтры для частот выше примерно 40 МГц, больше не будут требовать внешней LC-фильтрации для подавления нежелательных полос пропускания. Furthermore, transmission systems requiring filters for frequencies above approximately 40 MHz will no longer require external LC filtering to suppress undesired pass bands. КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ РИСУНКОВ BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS ИНЖИР. 1 - общий вид пьезоэлектрического монолитного кристаллического фильтра; FIG. 1 is a perspective drawing of a piezoelectric monolithic crystal filter; ИНЖИР. 2 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления настоящего изобретения, в котором первый и второй пьезоэлектрические монолитные кристаллические фильтры соединены тандемно; FIG. 2 is a diagrammatic representation of an embodiment of the instant invention wherein first and second piezoelectric monolithic crystal filters are coupled in tandem; ФИГ. 3А, 3В и 3С представляют собой частотные характеристики связанных монолитных кристаллических фильтров, показанных на фиг. 2; FIGS. 3A, 3B and 3C are frequency response curves of the coupled monolithic crystal filters shown in FIG. 2; ИНЖИР. 4 - вид в перспективе дискретного пьезоэлектрического кристаллического резонатора; а также FIG. 4 is a perspective drawing of a discrete piezoelectric crystal resonator; and ИНЖИР. 5 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления настоящего изобретения, в котором первый и второй резонаторы на пьезоэлектрическом кристалле соединены последовательно. FIG. 5 is a diagrammatic representation of an embodiment of the instant invention wherein first and second piezoelectric crystal resonators are coupled in tandem. ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Мгновенный фильтр может быть изготовлен с использованием различных механических или электромеханических резонаторов или фильтров. В электромеханических фильтрах, таких как камертонные фильтры, кварцевые фильтры и т.п., могут успешно использоваться идеи настоящего изобретения. Любой фильтр или резонатор, имеющий основную частоту и сопутствующие обертоны такой основной частоты, может включать идеи настоящего изобретения. Однако в примерном варианте осуществления заявители используют конкретный электромеханический фильтр, известный в данной области техники как монолитно-кристаллический фильтр (MCF), который полностью описан в упомянутом выше документе Beaver et al. патент. The instant filter can be fabricated using a variety of mechanical or electromechanical resonators or filters. Electromechanical filters, such as tuning fork filters, crystal filters or the like, can advantageously make use of the instant inventive concepts. Any filter or resonator having a fundamental frequency and attendant overtones of such fundamental frequency can incorporate the instant inventive concepts. However, in an exemplary embodiment, applicants make use of a particular electromechanical filter known in the art as a monolithic crystal filter (MCF) which is fully described in the above-referred to Beaver et al. patent. ИНЖИР. 1 показан такой MCF 11 в виде устройства, имеющего две пары выводов 12, 13 и 14, 15, осажденных из паровой фазы или иным образом нанесенных на противоположные главные поверхности пьезоэлектрической кристаллической пластины 21, такой как кварцевый кристалл с АТ-срезом. Площадки 22-22 выводов 12, 13, 14 и 15 проходят через край пластины 21 к противоположной ее поверхности. Эта компоновка преимущественно делает площадки 22-22 доступными для электрического соединения с любой стороны MCF 11. Выводы 12, 13, 14 и 15 заканчиваются на электродах 23, 24, 25 и 26 соответственно. Каждая пара электродов 23, 24 и 25, 26 с частью пластины 21, захваченной между ними, образует резонатор. FIG. 1 shows such a MCF 11 in the form of a device having two pairs of leads 12, 13 and 14, 15 vapor deposited or otherwise plated on opposite major faces of a piezoelectric crystal wafer 21, such as an AT-cut quartz crystal. Land areas 22--22 of leads 12, 13, 14 and 15 extend across the edge of the wafer 21 to the opposite face thereof. This arrangement advantageously makes the land areas 22--22 accessable for electrical connection from either side of the MCF 11. The leads 12, 13, 14 and 15 terminate at electrodes 23, 24, 25 and 26, respectively. Each pair of electrodes 23, 24 and 25, 26, with a portion of the wafer 21 captured therebetween, form a resonator. Энергия, подаваемая на электроды 25 и 26 на основной частоте режима сдвига кристаллической пластины 21 или вблизи нее, будет вызывать пьезоэлектрические колебания пластины в режиме сдвига, которые будут восприниматься схемой, подключенной к электродам 23 и 24. Другими словами, когда MCF 11 возбуждается полем переменного электрического тока, он демонстрирует изменения физических размеров, которые имеют тенденцию иметь характеристическую или основную резонансную частоту и множество обертоновых частот, кратных основной частоте. Размер кварцевой кристаллической пластины 21, способ разрезания пластины относительно ее кристаллической структуры, протяженность и толщина электродов 23, 24, 25 и 26 в совокупности определяют собственную или основную частоту и связанные с ней обертоны. МКФ 11. Energy supplied to the electrodes 25 and 26 at or near the shear mode fundamental frequency of the crystal wafer 21 will piezoelectrically vibrate the wafer in the shear mode which will be sensed by circuitry connected to the electrodes 23 and 24. In other words, when the MCF 11 is excited by an alternating electric current field, it exhibits physical dimensional changes which tend to have a characteristic or fundamental resonant frequency and a plurality of overtone frequencies which are multiples of the fundamental frequency. The size of the quartz crystal wafer 21, the manner in which the wafer is cut relative to its crystalline structure, and the extent and thickness of the electrodes 23, 24, 25 and 26 all combine to determine the natural or fundamental frequency and related overtones of the MCF 11. MCF 11 обычно используется в качестве частотного фильтра переменного тока. Например, когда на MCF 11 подается широкий спектр частот, только узкая полоса частот, сосредоточенная вокруг резонансной или основной частоты, или узкие полосы частот, сосредоточенные вокруг ее обертонов, проходят без подавления через MCF. The MCF 11 is commonly used as an alternating current frequency filter. For example, when a broad spectrum of frequencies is presented to the MCF 11, only a narrow band of frequencies, centered about the resonant or fundamental frequency or narrow bands centered about the overtones thereof, pass, unsuppressed, through the MCF. Такие MCF 11 нашли широкое применение в телефонных сетях и радиосистемах. Однако максимально возможная основная или резонансная частота МКФ 11 ограничивается в основном толщиной пьезоэлектрической кристаллической пластины 21, которая обратно пропорциональна основной частоте пластины. Such MCF's 11 have found a high degree of use in telephone carrier and radio systems. However, the highest possible fundamental or resonant frequency of the MCF 11 is limited mainly by the thickness of the piezoelectric crystal wafer 21 which is inversely proportional to the fundamental frequency of the wafer. Такие MCF 11 могут быть изготовлены с использованием стандартных технологий производства для основных частот ниже 30 МГц. Однако для основных частот выше этого значения возникают проблемы из-за тонкости, необходимой для получения таких высоких частот. Например, для MCF 11, имеющего характеристику основной частоты 54,6 МГц, требуется, чтобы толщина кристаллической пластины составляла приблизительно 0,0012 дюйма (0,003 см). Существующий уровень техники для практического производства пьезоэлектрических кристаллических пластин составляет около 0,002 дюйма (0,005 см), а для более тонких кристаллических пластин стоимость непомерно высока, а их надежность низка. Such MCF's 11 can be fabricated using standard production techniques for fundamental frequencies below 30 MHz. However, for fundamental frequencies above that value problems arise, due to the thinness required to obtain such high frequencies. For example, a MCF 11 having a fundamental frequency response of 54.6 MHz requires the crystal wafer thickness to be approximately 0.0012 inch (0.003 cm). The present state of the art for practical piezoelectric crystal plate production is in the neighborhood of 0.002 inch (0.005 cm), and for thinner crystal plates the cost is prohibitive and their reliability low. Одним из решений этой проблемы является использование MCF 11, имеющего характеристику основной частоты значительно ниже 30 МГц, которую относительно легко изготовить. Затем для целей фильтрации выбирается заданный обертон этой основной частоты. По этому принципу были изготовлены фильтры, способные пропускать частоты значительно выше 60 МГц. Однако существенный недостаток использования таких фильтров заключается в необходимости обеспечения дополнительной LC-фильтрации, чтобы по существу исключить любую реакцию такого фильтра на его основную частоту или ее нежелательные обертоны. One solution to this problem is to use a MCF 11 having a fundamental frequency response well below 30 MHz, which is relatively easy to fabricate. Then, a predetermined overtone of that fundamental frequency is selected for filtering purposes. Filters capable of passing frequencies well above 60 MHz have been fabricated using this principle. However, a substantial drawback to the use of such filters lies in the necessity of providing additional LC filtering to substantially preclude any response of such a filter to its fundamental frequency or unwanted overtones thereof. ИНЖИР. 2 схематически изображает данную изобретательскую концепцию, которая преодолевает вышеупомянутые проблемы. Первый и второй MCF 31 и 32 соответственно показаны расположенными в каскаде или тандеме между источником 33 сигнала и схемой 34 использования с конденсатором 36, электрически соединяющим выход первого MCF со входом второго MCF. Каждая из MCF 31 и 32 имеет различную основную частоту и множество частот обертонов. Соответственно, каждый MCF 31 или 32 будет пропускать частоты, попадающие в узкие полосы частот, сосредоточенные вокруг их основных частот и частот обертонов. Однако только одна из полос частот обертонов MCF 31 будет такой же, как полоса частот обертонов MCF 32, и только эта полоса частот будет проходить, по существу, без подавления, от источника 33 сигнала к схеме 34 использования через спаренные MCF. Все частоты за пределами общей полосы пропускания обертона будут ослаблены. FIG. 2 diagrammatically depicts the instant inventive concept which overcomes the aforementioned problems. A first and a second MCF 31 and 32, respectively, are shown arranged in cascade or tandem relationship between a signal source 33 and a utilization circuit 34 with a capacitor 36 electrically coupling the output of the first MCF to the input of the second MCF. The MCF's 31 and 32 each have a different fundamental frequency and a plurality of overtone frequencies. Accordingly, each MCF 31 or 32 will pass frequencies which fall within narrow bands centered about their fundamental and overtone frequencies. However, only one of the overtone frequency bands of the MCF 31 will be the same as the overtone frequency band of the MCF 32 and only that band of frequencies will pass, substantially unsuppressed, from the signal source 33 to the utilization circuit 34 via the coupled MCF's. All frequencies outside the common overtone pass band will be attenuated. В конкретном рабочем варианте осуществления настоящего изобретения использовалась MCF 31, в которой пластина 21 имела толщину 0,003 дюйма (0,008 см) и диаметр 0,220 дюйма (0,559 см). MCF 31 имел полосу пропускания основной частоты около центральной частоты 18,2 МГц и полосу пропускания частоты около центральной частоты третьей обертонной частоты 54,6 МГц (см. фиг. 3А). MCF 32 имел пластину 21 толщиной 0,006 дюйма (0,015 см) и диаметром 0,590 дюйма (1,519 см). MCF 32 имел полосу пропускания основной частоты около центральной частоты 10,9 МГц и полосу пропускания частоты около центральной частоты частоты пятого обертона 54,6 МГц (см. фиг. 3B). MCF 31 и 32 были соединены разделительным конденсатором 36 емкостью 7 мкФ, который также регулирует ширину полосы пропускания. A specific working embodiment of the instant invention employed a MCF 31 in which the wafer 21 was 0.003 inch (0.008 cm) thick and the diameter was 0.220 inch (0.559 cm). The MCF 31 had a fundamental frequency pass-band about a center frequency of 18.2 MHz and a frequency pass-band about a center frequency of a third overtone frequency of 54.6 MHz (see FIG. 3A). MCF 32 had a wafer 21 0.006 inch (0.015 cm) thick and a diameter of 0.590 inch (1.519 cm). The MCF 32 had a fundamental frequency pass-band about a center frequency of 10.9 MHz and a frequency pass-band about a center frequency of a fifth overtone frequency of 54.6 MHz (see FIG. 3B). The MCF's 31 and 32 were coupled by the coupling capacitor 36 of 7 uuf which also controls the width of the pass-bands. Широкий спектр частот (т.е. от 100 кГц до 100 МГц) был представлен тандемной комбинации MCF 31 и 32 источником сигнала 33, что привело к получению узкой полосы частот около частоты обертона 54,6 МГц, принимаемой на схема 27 использования, как показано на фиг. 3С. A broad spectrum of frequencies (i.e., 100 KHz to 100 MHz) was presented to the tandem coupled combination of MCF's 31 and 32 by the signal source 33 which resulted in a narrow band of frequencies about the overtone frequency of 54.6 MHz being received at the utilization circuit 27, as represented in FIG. 3C. Хотя два монолитных кристаллических фильтра 31 и 32 соединены последовательно в примерном варианте осуществления, показанном на фиг. 2, настоящее изобретение не ограничено этим. Можно использовать более двух MCF, если хотя бы один из фильтров имеет полосу основной частоты, отличную от других MCF, и каждый из них имеет одну полосу обертонов, совпадающую с полосой обертонов всех других MCF. Although two monolithic crystal filters 31 and 32 are coupled in tandem in the exemplary embodiment depicted in FIG. 2, the instant invention is not so limited. More than two MCF's may be used as long as at least one of the filters has a fundamental frequency band different from the other MCF's and each has one overtone band coincident with an overtone band of all the other MCF's. ИНЖИР. 4 изображено устройство в виде дискретного пьезоэлектрического кристаллического резонатора, обычно обозначенного цифрой 51, в котором могут быть выгодно использованы идеи настоящего изобретения. Дискретный резонатор 51 состоит из пьезоэлектрической кристаллической пластины или пластины 52, имеющей первый и второй металлические электроды 53 и 54, нанесенные на противоположные главные поверхности 56 и 57 соответственно пластины. Первый и второй металлические выводы 58 и 59 также нанесены на поверхности 56 и 57 соответственно для соединения первого и второго электродов 53 и 54 со схемой (не показана). Такие резонаторы 51 имеют основную частоту и множество частот обертонов, причем основная частота также обратно пропорциональна толщине кварцевой пластины 52. Соответственно, изложенные выше проблемы, относящиеся к MCF 11, также применимы к дискретному резонатору 51 и решаются по существу таким же образом. FIG. 4 depicts a device in the form of a discrete piezoelectric crystal resonator, generally indicated by the numeral 51, which can advantageously employ the instant inventive concepts. The discrete resonator 51 is comprised of a piezoelectric crystal wafer or plate 52 having first and second metallic electrodes 53 and 54 deposited on the opposite major faces 56 and 57, respectively, of the wafer. First and second metallic leads 58 and 59 are also deposited on faces 56 and 57, respectively, to connect the first and second electrodes 53 and 54 to circuitry (not shown). Such resonators 51 have a fundamental frequency and a plurality of overtone frequencies and the fundamental frequency is also inversely proportional to thickness of the quartz wafer 52. Accordingly, the problems hereinbefore set forth relating to the MCF 11 also apply to the discrete resonator 51 and are solved in substantially the same manner. ИНЖИР. 5 показан источник 66 сигнала, подключенный к схеме 67 использования через первый и второй пьезоэлектрические резонаторы 71 и 72 соответственно, которые соединены каскадом или тандемом и электрически связаны конденсатором 73 связи. Основная частота первого резонатора 71 отличается от основной частоты второго резонатора 72, но основные частоты выбираются таким образом, чтобы заданная одна из частот обертонов первого резонатора была совмещена с одной частотой обертонов второго резонатора. Соответственно, широкий спектр частот на выходе источника сигнала 66 будет возбуждать основную и обертонную частоты резонатора 71, которые будут направляться в резонатор 72. Резонатор 72 будет пропускать только ту частоту, которая соответствует выровненной частоте обертона, а все другие частоты будут существенно заблокированы или ослаблены. Таким образом, только желаемая интересующая частота и узкая полоса частот будут проходить от источника 66 сигнала к схеме 67 использования без необходимости использования дополнительной дорогостоящей LC-фильтрации. FIG. 5 depicts a signal source 66 connected to a utilization circuit 67 via first and second piezoelectric crystal resonators 71 and 72, respectively, which are connected in a cascade or tandem and coupled electrically by a coupling capacitor 73. The fundamental frequency of the first resonator 71 is different from the fundamental frequency of the second resonator 72 but the fundamental frequencies are selected so that a predetermined one of the overtone frequencies of the first resonator will be aligned with one overtone frequency of the second resonator. Accordingly, a broad spectrum of frequencies at the output of the signal source 66 will excite the fundamental and overtone frequencies of resonator 71 which will be forwarded to resonator 72. Resonator 72 will pass only that frequency that corresponds to the aligned overtone frequency, and all other frequencies will be substantially blocked or attenuated. Thus, only the desired frequency of interest and a narrow band of the frequencies thereabout will pass from the signal source 66 to the utilization circuit 67 without the necessity of using additional expensive LC filtering. Как и в случае с MCF 11, более двух резонаторов могут быть соединены вместе, если хотя бы один из резонаторов имеет основную частоту, отличную от других резонаторов, и одна частота обертона каждого резонатора совмещена с одной и той же частотой обертона каждого резонатора. все остальные резонаторы на нужной частоте полосы пропускания. As was the case with the MCF's 11, more than two resonators may be coupled together as long as at least one of the resonators has a fundamental frequency different from the other resonators and one overtone frequency of each resonator is aligned with the same overtone frequency of all the other resonators at the desired pass-band frequency. В конкретном рабочем варианте с использованием дискретных резонаторов первый резонатор 71 имел основную частоту 18,2 МГц с частотой третьего обертона 54,6 МГц. Резонатор 72 имел основную частоту 10,9 МГц и частоту пятого обертона 54,6 МГц. Резонаторы 71 и 72 были связаны через разделительный конденсатор 73 емкостью 56,6 мкФ. Результаты использования такого тандемного расположения связанных резонаторов по существу такие же, как и результаты, полученные при использовании связанных MCF 31 и 32, показанных на фиг. 2, 3А, 3В и 3С. In a specific working embodiment using discrete resonators, the first resonator 71 had a fundamental frequency of 18.2 MHz with a third overtone frequency of 54.6 MHz. Resonator 72 had a fundamental frequency of 10.9 MHz and a fifth overtone frequency of 54.6 MHz. The resonators 71 and 72 were coupled via the coupling capacitor 73 having a value of 56.6 uuf. The results of using such a tandem coupled resonator arrangement is substantially the same as those obtained with the coupled MCF's 31 and 32 shown in FIGS. 2, 3A, 3B and 3C. Хотя настоящая изобретательская концепция была успешно применена к фильтрам, работающим на частотах выше 40 МГц, их использование не ограничено этим. Фильтры, работающие на частотах ниже 40 МГц, могут быть изготовлены с использованием настоящих концепций. Настоящие концепции могут быть реализованы всякий раз, когда необходимо пропустить полосу частот, в то время как все другие частоты должны быть подавлены без использования дополнительной LC-фильтрации, внешней по отношению к электромеханическому фильтру. Although the instant inventive concept has been advantageously applied to filters operating at frequencies above 40 MHz, their use is not so limited. Filters operating at frequencies below 40 MHz may be fabricated using the instant concepts. The instant concepts may be implemented whenever a band of frequencies is to be passed while all other frequencies are to be suppressed without the use of additional LC filtering external to the electromechanical filter.

Please, introduce the following text in the box below Correction Editorclose Original text: English Translation: Russian

Select words from original text Provide better translation for these words

Correct the proposed translation (optional) SubmitCancel