сабуров 23 вопрос инверторы

равным заданному. Отклонения от заданного значения i могут быть также заданы и составляют 5...10%. Чем меньше i, тем выше частота коммутации, больше потери в АИН, но меньше потери в двигателе. Преобразователь работает в режиме частотно-широтно-импульсной модуляции (ЧШИМ).

На рис. 11.25 приведена функциональная схема системы управления АИН, формирующая выходные токи. Она выполняется замкнутой. Сигналы от датчиков фазных токов ДТ А, ДТ В, ДТ С подаются на один из входов триггеров Шмидта (регенеративных компараторов) РК А, РК В, РК С, а на вторые входы подаются сигналы заданных токов. Выходные сигналы триггеров усиливаются и обеспечивают переключение силовых транзисторов. Суммы мгновенных и действующих значений токов фаз в трехфазной системе без нулевого провода всегда равны нулю:

iA + iB + iC = 0 , I A + I B + IC = 0 .

(11.68)

Поэтому два заданных тока iAз , iBз задаются,		а третий формируется по
формуле
	iCз = −(iAз + iBз ) .	(11.69)

Рис. 11.25. Функциональная схема системы управления АИН, формирующей выходные токи

Формирование выходного тока позволяет осуществить самые быстродействующие системы электропривода.

Контрольные вопросы

1.Какие виды импульсной модуляции вы знаете?

2.Зачем вводится задержка при переключении противофазных транзисторов?

266

3.Чем отличается ШИР от ШИМ?

4.Как формируются фазные напряжения с помощью обобщенного пространственного вектора?

5.В чем отличия обобщенного пространственного вектора и временных векторов, введенных в курсе ТОЭ?

6.Как формируются средние напряжения на выводах по отношению к средней точке источника питания?

7.Как формируются фазные токи?

8.Сравните способы импульсной модуляции, применяемые в трехфазных АИН для формирования выходного напряжения.

9.Как регулируется в АИН величина выходного напряжения?

10.Каковы пути улучшения качества выходного напряжения?

11.6. Многоуровневые АИН

Рассмотренные АИН с ШИМ можно назвать двухуровневыми, так как мгновенное значение линейного напряжения в них может быть равно двум величинам: либо +Ud, либо – Ud. Дальнейшее повышение качества выходного напряжения возможно при увеличении числа уровней путем построения многоуровневых схем. На рис. 11.26 приведена схема трехуровневого АИН. Схема выполнена на запираемых тиристорах, однако, она может быть выполнена и на транзисторах. Схема более сложная, чем двухуровневая, и поэтому ее применение оправдано при больших мощностях (более 1 МВт). Отсюда и целесообразность применения тиристоров.

На рис. 11.27 а – в показаны возможные пути тока при формировании напряжения фаза – средняя точка источника питания [10]. Видно, что фазный вывод по отношению к средней точке источника питания может приобретать три потенциала: + (U d 2) , – (U d 2) и 0.

На рис. 11.28 а показана форма фазного напряжения по отношению к средней точке источника питания uф0 при ШИМ по синусоидальному закону.

На рис. 11.28 б показана форма линейного напряжения, полученная при суммировании напряжений uф0 двух фаз. Линейное напряжение uл0 формируется пятью уровнями напряжений: +Ud, + (U d 2) , 0, – (U d 2) и – Ud. Это

обеспечивает меньшее содержание гармоник в линейном напряжении при той же несущей частоте, чем в двухуровневых АИН. Это позволяет снизить несущую частоту, что особенно важно при применении тиристоров. Снижение частоты ШИМ также способствует снижению коммутационных потерь.

Формирование фазных напряжений осуществляется с помощью пространственного вектора. Однако, алгоритм существенно усложняется [43].

267

+
U d
2
+
U d
2
ZA	U А	ZB	U B	ZC	UC
U A0		U B0		UC 0
Рис. 11.26. Схема трехуровневого АИН

Контрольные вопросы

1.Какие силовые ключи применяются в многоуровневых АИН?

2.Какие основные преимущества многоуровневых АИН можно выделить по сравнению с двухуровневыми?

11.7.Характеристики АИН с ШИМ

11.7.1.Регулировочные характеристики АИН с ШИМ

ВАИН с ШИМ существуют две возможности регулирования: регулирование выходного напряжения и регулирование частоты. Регулировочная характеристика АИН по напряжению – это зависимость выходного на-

пряжения от коэффициента модуляции. Уравнение (11.44) по существу являются уравнениями регулировочной характеристики АИН с ШИМ по напряжению (регулировочной

характеристики преобразователя – РХП). Представим эти уравнения в виде:

U л = μU лmax ; Uф = μUфmax .

(11.70)

Эти уравнения справедливы при выполнении условия µ ≤ 1. На рис. 11.29 а приведены эти зависимости.

268

+

U d

2

U d

2

+

U d

2

U d

2

+

U d

2

U d

2

+

U d

2

U d

2

+

U d

2

U d

2

+

U d

2

U d

2

Рис. 11.27. Схемы прохождения тока через вентили одной фазы:

а) uф0 > 0 ; б) uф0 = 0 ; в) uф0 < 0

269

	u	uф0	−	U d
				2
а)
	0	U d		t
		2
	u	U d	uл0
		2
б)
		U d
	0			t
Рис. 11.28. Форма фазного напряжения uф0 (а) и линейного напряжения uл0
	(б) многоуровневого АИН при ШИМ по синусоидальному закону

При аналоговом управлении глубина регулирования определяется соотношением амплитуды управляющего напряжения Uупр.m и амплитуды опорного напряжения Uоп.max. Регулировочная характеристика системы управления (РХСУ) и регулировочная характеристика преобразователя вместе с системой управления (РХПСУ) приведены на рис. 11.29 б – в.

Регулирование частоты осуществляется изменением частоты управляющего (модулирующего) напряжения.

При подаче напряжения пониженной частоты на статор асинхронного двигателя во избежание насыщения стали необходимо снижать напряжение. Наиболее часто при управлении электроприводами до номинальной скорости реализуется закон

U f = const .

(11.71)

Рис. 11.29 г иллюстрирует, как изменяются частота и напряжение при регулировании по этому закону. Частота и напряжение не снижаются ниже какой-то величины (например 5 Гц). При повышении частоты выше 50 Гц напряжение не меняется, так как этого не допускает электрическая машина. Эти участки показаны пунктиром.

Представленные характеристики строго говоря справедливы только для идеального АИН с идеальным источником питания. Как будет показано в дальнейшем они мало отличаются в реальном АИН.

Удобнее связать выходные напряжения при регулировании с напряжением источника питания. В соответствии с формулами (11.42), (11.43), (11.66) и (11.67) можно записать в обобщенном виде:

U лmax = kлU d , Uфmax = kфU d ,

(11.72)

где коэффициенты kл и kф зависят от способа модуляции (см. табл. 11.5).

270

U			U
	л	,		ф
U лmax
		Uфmax
					μ

μ

U упр.m

U оп.max

U			U
	л	,		ф
U лmax
		Uфmax
					U упр.m
					Uоп.max
U	л		f
		,
U лmax					f
			fном
					U
					μ

Рис. 11.29. Регулировочные характеристики АИН с ШИМ (а), регулировочная характеристика системы управления (б), регулировочная характеристика преобразователя вместе с системой управления (в) и совместные регулировочные характеристики по напряжению и частоте при выполнении закона U f = const

Таблица 11.5

Способ реализации ШИМ

kл

kф

kлmax

kфmax

1

Формирование средних

3

=0,35

6

2

напряжений на выводах

2 2

=0,61

2 2

π

=0,78

π =0,45

Формирование напряже-

1

1

=0,71

=0,41

6

2

ний с помощью про-

π

0,78

π 0,45

2

6

странственного вектора

Тогда действующие значения первой гармоники линейного и фазного напряжения на нагрузке при коэффициенте модуляции μ , удовлетворяющем условию µ ≤ 1

271

U л = μkлU d , Uф = μkфU d .

(11.73)

В п. 11.5.3 было указано, что можно увеличивать амплитуду управляющего напряжения так, что перестает выполняться условие µ ≤ 1. Режим при котором µ > 1 получил название «сверхмодуляция». При µ > 1 зависимость напряжения от µ становится нелинейной, устремляясь к пределу, зависящему от вида ШИМ.

Максимальные действующие значения первой гармоники линейного и фазного напряжения на нагрузке при коэффициенте модуляции μ , удовле-

творяющем условию µ > 1
U лmax = kлmaxU d , Uфmax = kфmaxU d ,	(11.74)

где коэффициенты kлmax и kфmax зависят от способа модуляции (см. табл. 11.5) и определены, как действующее значение первой гармоники при прямоугольном выходном напряжении в соответствии с формулами (11.23),

(11.27), (11.28).

На рис. 11.30 приведены полные регулировочные характеристики с учетом зоны «сверхмодуляции».

U л ,	Uф
U d	U d
	U л
	Uф

μ

Рис. 11.30. Полные регулировочные характеристики с учетом зоны «сверхмодуляции»

11.7.2. Внешние характеристики трехфазного мостового АИН

На рис. 11.31 а приведена схема замещения трехфазного мостового АИН с учетом потерь в инверторе и с неидеальным источником питания. Ток фазы нагрузки всегда проходит либо через транзистор, либо через диод. Примем для упрощения, что их сопротивления в проводящем состоянии равны друг другу и равны rк. Чтобы превратить АИН в идеальный, сопротивления ключей вынесены за границы идеального АИН.

Идеальный АИН с ШИМ преобразует без потерь постоянное напряжение в трехфазное. В идеальном преобразователе на входе стоит конденса-

272

тор, что позволяет считать напряжение Ud постоянным (без пульсаций). На рис. 11.31 а идеальный АИН питается от источника питания, представленного его схемой замещения, характеризующейся напряжением холостого хода Ud0 и внутренним сопротивлением rип.

Введем обозначения:

Uф0max – максимальное действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при идеальном источнике питания (rип = 0), идеальных ключах (rк = 0), заданном способе модуляции и коэффициенте модуляции μ = 1.

Uф1max – максимальное действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при неидеальном источнике питания, идеальных ключах, но включении сопротивления ключей в сопротивление нагрузки, заданном способе модуляции и коэффициенте модуляции μ = 1.

Uфmax – максимальное действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при неидеальном источнике питания, неидеальных ключах, заданном способе модуляции и коэффициенте модуля-

ции μ = 1.

	rип
U do	U d

rк

rк

rк

Uф1

Zф

Zф

Zф

Uф

	Uф1
	Uф	U xф
ψ	ϕ
	Urф	Iф

Рис. 11.31. Схема замещения трехфазного АИН (а), векторная диаграмма для стороны переменного напряжения (б)

Uф1 – действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при неидеальном источнике питания, идеальных ключах, но

273

включении сопротивления ключей в сопротивление нагрузки, заданном способе модуляции и коэффициенте модуляции μ .

Uф – действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при неидеальном источнике питания, неидеальных ключах, заданном способе модуляции и коэффициенте модуляции μ .

В соответствии с определениями:
Uф1 = μUф1max , Uф = μUфmax .	(11.75)

Если источник питания идеален (rип = 0) и идеальны ключи (rк = 0), то в соответствии с формулами (11.74)

Uф0max = kфU d 0 .

(11.76)

Если, источник питания неидеален, то, с учетом сопротивления rип, напряжение на входе АИН

U d = U d 0 − Id rип ,	(11.77)
и, следовательно,
Uф1max = kфU d .	(11.78)

Тогда действующее значение гладкой составляющей фазного напряжения на нагрузке при неидеальном источнике питания, идеальных ключах, но включении сопротивления ключей в сопротивление нагрузки, заданном токе нагрузки и коэффициенте модуляции μ

Uф1 = μkфU d = μkф (U d 0 − I d rип ) ,

(11.79)

а действующее значение гладкой составляющей напряжения на нагрузке Uф при неидеальном источнике питания, неидеальных ключах, заданном токе нагрузки и коэффициенте модуляции μ может быть определено, если из

напряжения Uф1 вычесть падение напряжения на ключах ∆U.

Векторная диаграмма для стороны переменного напряжения приведена на рис. 11.31 б. Для упрощения и получения аналитических соотношений учтем, что всегда rк << Zф , поэтому U << Uф . Следовательно, углы φ и ψ

близки по величине. Опустим перпендикуляр из точки А на отрезок OB. Тогда отрезок CB равен разности Uф1 – ∆U cos ψ. Учтем, что углы φ и ψ близки по величине, а катет CB близок по длине к гипотенузе AB, так как катет AC мал по причинам, указанным выше. Тогда

Uф = Uф1 − Iфrкcos ϕ = μkф (U d 0 − I d rип ) − Iфrкcos ϕ ,

(11.80)

Для идеального АИН можно записать равенство активных мощностей на входе и выходе схемы

			U d 0 I d		= 3μU ф0max Iфcos ϕ .			(11.81)
Отсюда с учетом (11.76)					= 3μkфIфcos ϕ .			(11.82)
			I d
Тогда (11.80) перепишется в виде
U	ф	= μ(U	ф0max	− 3μk 2 I		r cos ϕ ) − I	r cos ϕ ,	(11.83)
					ф	ф ип	ф к

274

а после преобразований

U	ф	= μU	ф0max	− I	ф	cos ϕ (3μ	2k 2 r	+ r ) .	(11.84)
							ф ип	к

В соответствии с уравнением (11.84) построена схема замещения, приведенная к стороне переменного напряжения. На схеме рис. 11.32 а

E	э	= μU	ф0max	,	r	= 3μ	2 k 2 r	+ r .	(11.85)
					э		ф ип	к

Выражение (11.84) является уравнением внешней характеристики АИН с ШИМ.

Внешняя характеристика – это зависимость выходного напряжения от тока нагрузки при заданном коэффициенте модуляции и cosϕ нагрузки.

Как видно из формулы (11.84) и схемы замещения (см. рис. 11.32 а) наклон внешней характеристики зависит от сопротивления ключей rк, внутреннего сопротивления источника питания rип, глубины регулирования μ ,

способа модуляции kф и угла сдвига нагрузки φ. С ростом глубины регулирования μ и угла сдвига φ характеристики становятся жестче. На рис. 11.32 б приведены внешние характеристики АИН с ШИМ.

Uф

rэ

Uфmax

μ = 0,

75

μ = 0,5

Eэ

Uф

μ = 0,25

Iф

Iф.ном

Рис. 11.32. Схема замещения одной фазы АИН с ШИМ (а) и внешние характеристики (б)

Уравнение (11.84) справедливо при rк << Zф, что обычно справедливо. Обычно ВАХ ключей во включенном состоянии нелинейна. Достаточно точный расчет может быть обеспечен при расчете rк по формуле

rк = U , (11.86)

Iфmax

где Iфmax – максимальный ток фазы.

При выполнении расчета не учтены коммутационные потери в транзисторах и потери в конденсаторах. Для более точного расчета rк, определен-

275