Шумахер У. Полупроводниковая электроника
.pdf
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 582 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
Прерывание |
|
Размах (peak-to-peak) |
|
|||
Приостановка работы текущей программы |
Характеристика |
переменного |
сигнала, |
|||
микроконтроллера, вызванная появлением |
отображающая его амплитуду «от пика до |
|||||
соответствующего сигнала прерывания, и |
пика», т.е. от максимального отрицательно- |
|||||
запуск специальной подпрограммы, кото- |
го до максимального положительного зна- |
|||||
рая осуществляет действия по определён- |
чения сигнала. |
|
|
|||
ному сценарию. После завершения подпро- |
Разрядность (ширина) шины |
|
||||
граммы-обработчика прерывания исполне- |
|
|||||
Количество линий передачи данных в шине |
||||||
ние текущей программы возобновляется. |
||||||
параллельного типа. |
|
|||||
|
|
|
|
|||
Проводящие дорожки |
|
Ранний отказ |
|
|
||
Элементы разводки электрических соеди- |
|
|
||||
Выход компонента из строя в период при- |
||||||
нений на печатной плате, выполненные пу- |
||||||
работки или в начальный период эксплуа- |
||||||
тём использования металлической плёнки. |
||||||
тации. |
|
|
||||
|
|
|
|
|
||
Проволочное соединение |
Реальное время |
|
|
|||
Как правило, это тонкая золотая проволо- |
|
|
||||
Термин, изначально относившийся к про- |
||||||
ка, |
соединяющая |
полупроводниковый |
||||
ектированию систем с разомкнутым или за- |
||||||
кристалл ИС с выводами корпуса. |
||||||
мкнутым контуром обратной связи. В отли- |
||||||
|
|
|
||||
Программа начальной загрузки |
чие от систем пакетной обработки данных, |
|||||
Процедура операционной системы, под уп- |
для которых время не является критичес- |
|||||
равлением которой |
инициализационные |
ким параметром, системы реального време- |
||||
данные загружаются из носителя данных в |
ни должны обладать высоким быстродейс- |
|||||
рабочую область памяти. |
твием и малым временем отклика на вне- |
|||||
Программное обеспечение |
шние сигналы, чтобы обеспечить коррект- |
|||||
ность обработки данных. |
|
|||||
Нематериальная, в отличие от аппаратных |
|
|||||
|
|
|
||||
средств, часть компьютера. Представляет |
Регенерация (памяти) |
|
||||
собой совокупность данных и программ, |
См. Обновление. |
|
|
|||
используемых в компьютере. |
Регистр сдвига |
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
Проектирование на стандартных ячейках |
Модуль памяти данных (регистр), содержи- |
|||||
Технология разработки заказных полупро- |
мое которого может сдвигаться на опреде- |
|||||
водниковых микросхем с использованием |
лённое количество разрядов (битов). Дан- |
|||||
готовых моделей (стандартных ячеек). |
ная операция используется при умножении |
|||||
Протокол |
|
двоичных чисел |
(см. также Циклическое |
|||
|
сдвиговое устройство). |
|
||||
Набор правил и соглашений, относящихся |
|
|||||
|
|
|
||||
к выполнению определённых задач. В сис- |
Режим ожидания |
|
|
|||
темах |
дистанционной передачи данных |
Режим работы системы, в котором она не |
||||
протокол включает в себя все правила уп- |
активна, но может быть активизирована не- |
|||||
равления и действий для реализации требу- |
замедлительно (по первому требованию). |
|||||
емых процедур. |
|
Резервирование |
|
|
||
|
|
|
|
|
||
Прототип |
|
Режим работы электронной системы, когда |
||||
Опытный образец, макет. Первая, предва- |
параллельно с основным устройством всег- |
|||||
рительная версия реализации продукции. |
да работает запасное («горячий резерв»), |
|||||
Процент брака |
|
что обеспечивает |
возможность |
быстрого |
||
582 |
16. Глоссарий |
|
|
|
|
|
Процент дефектных изделий в партии про- |
переключения системы на резервное уст- |
|
ройство в случае отказа основного. |
||
дукции. |
||
|
||
Процессор |
Сброс (reset) |
|
Процедура, в результате которой электрон- |
||
Интегральная схема, предназначенная для |
||
ное устройство переводится в исходное со- |
||
исполнения компьютерных программ (см. |
||
стояние или в режим ожидания. |
||
также Микропроцесссор, MPU, CPU). |
||
|
|
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 583 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
|||
|
|
|
|
|
16. Глоссарий 583 |
||
|
|
|
|
|
|
||
Свет |
|
|
логии сетей: звезда, кольцо, сотовая струк- |
||||
Электромагнитное излучение, воспринима- |
тура. Обмен данными, изменение направ- |
||||||
емое человеческим глазом, с длиной волны |
ления потока данных или другие изменения |
||||||
в диапазоне от 380 до 700 нм. |
|
в потоках данных осуществляются в так на- |
|||||
СВЧ |
|
|
зываемых узловых точках (узлах) сети. |
||||
|
|
|
|
|
|||
Диапазон частот около 1 ГГц. |
|
Сжатие данных (компрессия) |
|||||
Секционированный процессор |
|
Сокращение объёма данных без потери |
|||||
|
ценной информации, основанное на методе |
||||||
Микропроцессорный чип, |
разрабатывае- |
||||||
удаления избыточных данных. Такая проце- |
|||||||
мый для осуществления специальных задач |
|||||||
дура позволяет обеспечить более эффектив- |
|||||||
в соответствии с требованиями пользовате- |
|||||||
ное хранение (упаковку) или передачу дан- |
|||||||
ля. Функционирует подобно обычным про- |
|||||||
ных. |
|
|
|||||
цессорам, но обладает меньшей разряднос- |
|
|
|||||
|
|
|
|||||
тью (обычно 2 или 4 бит). Если требуется |
Силиконовая долина |
||||||
обрабатывать данные с большей разряднос- |
Долина Санта-Клара — район в Калифор- |
||||||
тью, то несколько секционированных про- |
нии к югу от бухты Сан-Франциско, между |
||||||
цессоров могут быть объединены в единый |
городами Пало-Альто и Сан-Хосе. Здесь со- |
||||||
процессорный модуль. |
|
средоточены предприятия, занимающиеся |
|||||
Семафор |
|
|
исследованием, разработкой и производс- |
||||
|
|
твом электроники и компьютерной техни- |
|||||
В системах обработки данных и управления |
|||||||
ки, и расположены штаб-квартиры целого |
|||||||
технологическими процессами данный тер- |
|||||||
ряда ведущих |
компаний-производителей |
||||||
мин означает контрольный сигнал (флаг), |
|||||||
полупроводниковых компонентов. Многие |
|||||||
который устанавливается при выполнении |
|||||||
из этих компаний были основаны именно в |
|||||||
определённых условий. Управляющая про- |
|||||||
Силиконовой долине. |
|||||||
грамма в некоторые моменты времени про- |
|||||||
|
|
|
|||||
изводит опрос семафоров и тем самым по- |
Система (комплект) разработки |
||||||
лучает информацию о состоянии системы. |
Набор компонентов аппаратного и про- |
||||||
Примером семафоров (применительно к та- |
граммного обеспечения, необходимых при |
||||||
кой системе, как управление дорожным |
разработке тех или иных прикладных про- |
||||||
движением) являются уличные светофоры. |
грамм. |
|
|
||||
Сенсор (датчик) |
|
|
Системное прерывание |
||||
Электронный |
компонент, |
используемый |
Аппаратное или программное прерывание, |
||||
при реализации Сенсорной технологии. |
возникающее в том случае, если в процессе |
||||||
Сенсорная технология |
|
работы микроконтроллера было выполнено |
|||||
|
некое заранее заданное условие (т.е. срабо- |
||||||
Технология преобразования тех или иных |
|||||||
тала «ловушка»). |
|
|
|||||
физических величин (например, давления |
|
|
|||||
|
|
|
|||||
или температуры) в электрический сигнал |
Скорость нарастания (сигнала) |
||||||
(в напряжение, частоту или длительность |
Характеризует величину отклика электрон- |
||||||
импульсов), который затем может быть |
ной схемы на импульсное воздействие. |
||||||
проанализирован. |
|
Скремблирование |
|||||
|
|
|
|
||||
Сенсорный переключатель |
|
1. Шифрование |
адреса — процедура, ис- |
||||
Контактный переключатель. Имеет прово- |
пользуемая в запоминающих устройствах. |
||||||
дящую поверхность, лёгкое прикосновение |
Входной виртуальный адрес пересчитыва- |
||||||
к которой вызывает его срабатывание. |
ется таким образом, чтобы осуществить об- |
||||||
Сертификация |
|
|
ращение к заданной физической ячейке па- |
||||
|
|
мяти. Это необходимо по той причине, что |
|||||
Подтверждение |
соответствия определён- |
||||||
ячейки в микросхеме памяти обычно не об- |
|||||||
ным стандартам качества (см. также Аттес- |
|||||||
разуют «идеальную» матрицу. |
|||||||
тация). |
|
|
|||||
|
|
2. Помимо шифрования адреса, существует |
|||||
|
|
|
|
||||
Сеть |
|
|
также скремблирование (шифрование) дан- |
||||
Взаимосвязанная структура, предназначен- |
ных. В зависимости от того, происходит ли |
||||||
ная для коммуникационных или транспор- |
адресация числовой шины (строк) или раз- |
||||||
тных целей. Существуют различные топо- |
рядной шины (столбцов), текущий сигнал |
||||||
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 584 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
584 16. Глоссарий
сохраняется в инвертированном или в неиз- |
его эффективность доказана на практике, |
|||||||||||
менном виде. При реализации этого метода |
либо его продвижение лоббируют достаточ- |
|||||||||||
требуется иметь информацию о реальном |
но влиятельные силы. Однако подобным |
|||||||||||
физическом расположении ячеек памяти. |
стандартам часто не хватает признания со |
|||||||||||
Скрытая регенерация |
|
стороны официальных организаций в об- |
||||||||||
|
ласти стандартизации, таких как ANSI или |
|||||||||||
Режим работы микросхем DRAM, позволя- |
||||||||||||
ISO (см. также Стандарт де-юре). |
||||||||||||
ющий исключить задержки при обращении |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
к ОЗУ, вызванные необходимостью перио- |
Стандарт де-юре |
|
|
|
||||||||
дического обновления (регенерации) дан- |
Стандарт, официально принятый в резуль- |
|||||||||||
ных |
и |
снижающие производительность |
тате осуществления формальной процеду- |
|||||||||
системы. Так же, как и в режиме «CAS |
ры одним из общепризнанных институтов в |
|||||||||||
before RAS», адресный счётчик указывает и |
области стандартизации (см. также Стан- |
|||||||||||
адрес |
ячейки, подлежащей регенерации. |
дарт де-факто). |
|
|
|
|||||||
Отличие, однако, состоит в том, что, на- |
Стек |
|
|
|
|
|
||||||
пример, в цикле чтения выход микросхемы |
|
|
|
|
|
|||||||
Устройство (регистр или область памяти) |
||||||||||||
остаётся активным даже после того, как был |
||||||||||||
хранения |
данных «магазинного типа». |
|||||||||||
запущен цикл регенерации. |
||||||||||||
В стеке |
сохраняются |
адреса |
возврата из |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
См |
|
|
|
|
|
подпрограмм или процедур обработки пре- |
||||||
Сименс — единица электрической прово- |
рываний. Кроме того, через стек может |
|||||||||||
димости. |
|
|
|
быть организован обмен параметрами меж- |
||||||||
Совместимость «вверх» |
|
ду основной программой и подпрограмма- |
||||||||||
|
ми. Управление стеком |
осуществляется с |
||||||||||
Совместимость с продукцией более поздне- |
||||||||||||
помощью |
регистра-указателя |
стека. При |
||||||||||
го поколения. Совместимость достигается |
||||||||||||
каждой операции загрузки (PUSH) или из- |
||||||||||||
проще, когда продукция соответствует об- |
||||||||||||
влечения (POP) данных из стека значение |
||||||||||||
щепринятым |
стандартам |
и соглашениям |
||||||||||
указателя стека соответствующим образом |
||||||||||||
(см. также Совместимость «вниз»). |
||||||||||||
инкрементируется или декрементируется. |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
Совместимость «вниз» |
|
Степень (уровень) интеграции |
|
|||||||||
Совместимость с продукцией предыдущего |
|
|||||||||||
Характеристика, задающая «плотность упа- |
||||||||||||
поколения |
(см. |
также |
Совместимость |
|||||||||
ковки» элементов интегральной схемы (т.е. |
||||||||||||
«вверх»). |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
связанная с количеством транзисторов и |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
Совместимый |
|
|
|
функциональных элементов, входящих в её |
||||||||
Соответствующий |
заданным параметрам; |
состав). |
|
|
|
|
|
|||||
подходящий для совместной работы; сопос- |
Сторожевой таймер |
|
|
|
||||||||
тавимый по параметрам, согласованный. |
|
|
|
|||||||||
Следящее устройство (супервизор), входя- |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
Спад мощности |
|
|
щее в состав микроконтроллера и генериру- |
|||||||||
Снижение или резкое уменьшение мощ- |
ющее аварийный сигнал или соответствую- |
|||||||||||
ности. |
|
|
|
|
щие выходные сигналы, если происходит |
|||||||
Спадающий фронт |
|
|
заранее определённое событие ошибки (см. |
|||||||||
|
|
также Зависание). |
|
|
|
|||||||
Окончание (область спада) электрического |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
импульса (см. также Нарастающий фронт). |
Стохастический |
|
|
|
||||||||
Сплавное соединение |
|
Нестационарный, с неопределёнными ин- |
||||||||||
|
тервалами. |
Например, |
стохастическая |
|||||||||
Соединение оптических волноводов, реа- |
||||||||||||
ошибка |
представляет |
собой |
случайные |
|||||||||
лизованное таким образом, чтобы два вол- |
||||||||||||
сбои, которые трудно локализовать вследс- |
||||||||||||
новода |
оказались |
очень |
плотно прижаты |
|||||||||
твие их непредсказуемости. |
|
|||||||||||
друг к другу (сплавлены), так что свет может |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
проникать из одного волновода в другой |
Структура данных |
|
|
|
||||||||
(см. также Гибкий соединенитель). |
Организационная схема записи или масси- |
|||||||||||
Стандарт де-факто |
|
|
ва данных (см. также Формат данных). |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Технический |
стандарт, ставший таковым |
|
|
|
|
|
|
|||||
«естественным» образом. Это означает, что |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 585 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
||||
|
|
|
|
16. Глоссарий 585 |
|||
|
|
|
|
||||
Сумматор |
лений, температур и напряжений, чтобы от- |
||||||
1. Структурный элемент ЦПУ, реализую- |
казы, вызванные производственными де- |
||||||
щий операцию сложения двух чисел. |
фектами, были выявлены прежде, чем пар- |
||||||
2. Аппаратная схема суммирования ампли- |
тия продукции будет направлена потребите- |
||||||
туд двух сигналов. |
лям. Использование данных испытаний поз- |
||||||
Сухое соединение |
воляет повысить надёжность электронных |
||||||
компонентов (см. также Bathtub-кривая). |
|||||||
Соединение без пайки; непропаянное со- |
|||||||
|
|
|
|
|
|||
единение. |
Тетрада |
|
|
|
|||
Схема с общей базой |
См. Полубайт. |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
Схема включения биполярного транзисто- |
Технологическая норма |
|
|
||||
ра, когда электрод базы является общим для |
Минимальная ширина (размер) полупро- |
||||||
входного и выходного сигналов. Схема с об- |
водниковой структуры на кристалле, обес- |
||||||
щей базой характеризуется низким вход- |
печиваемая той или иной технологией. Зна- |
||||||
ным импедансом. |
чение этого параметра год от года уменьша- |
||||||
Схема с общим коллектором |
ется. Например, для разработанной компа- |
||||||
нией Infineon технологии производства мик- |
|||||||
Схема включения транзистора, при кото- |
|||||||
росхем, предусматривающей использование |
|||||||
рой выходной сигнал формируется за счёт |
|||||||
полупроводниковых |
пластин размером от |
||||||
протекания тока через резистор в цепи кол- |
|||||||
300 мм, технологическая норма составляет |
|||||||
лектора (см. также Эмиттерный повтори- |
|||||||
110 нм (для арсенид-галлиевых ИС — 0.5 |
|||||||
тель). |
|||||||
или |
0.8 мкм). Стандартная технологичес- |
||||||
|
|
||||||
ТЕМ-камера |
кая норма при производстве логических |
||||||
Камера поперечной электромагнитной вол- |
микросхем ещё недавно составляла 180 нм, |
||||||
ны. Используется при тестировании элект- |
однако в 2004 году компания Infineon при- |
||||||
ронных компонентов на EMC. |
ступила к выпуску 90-нм модулей памяти. |
||||||
Темновой ток |
Технология «чистой комнаты» |
|
|
||||
Обратный ток в фотоэлементе при отсутс- |
При |
изготовлении |
полупроводниковых |
||||
твии света. |
компонентов чрезвычайно важно обеспе- |
||||||
Тепловой удар |
чить чистоту воздуха в производственных |
||||||
помещениях, поскольку даже мельчайшие |
|||||||
Метод испытаний электронных компонен- |
|||||||
частички пыли оказываются достаточно ве- |
|||||||
тов, заключающийся во внезапном нагрева- |
|||||||
лики по сравнению с полупроводниковой |
|||||||
нии или охлаждении компонента, вследс- |
|||||||
структурой кристалла ИС, и их наличие мо- |
|||||||
твие которого могут проявляться его скры- |
|||||||
жет стать причиной возникновения дефек- |
|||||||
тые дефекты. |
|||||||
тов в ИС. В зависимости от требуемого |
|||||||
|
|
||||||
Теплоотвод (радиатор) |
уровня чистоты, технологии «чистой комна- |
||||||
Конструктивный элемент, который рассеи- |
ты» подразделяются на несколько классов. |
||||||
вает тепловую энергию, выделяемую элект- |
Технология канализированной вентильной |
||||||
ронным компонентом, предотвращая его |
|||||||
матрицы |
|
|
|
||||
перегрев. Теплоотводы обычно изготавли- |
|
|
|
||||
Технология производства ИС |
на основе |
||||||
ваются из металла и имеют охлаждающие |
|||||||
вентильных матриц, когда базовые ячейки |
|||||||
рёбра. |
|||||||
(логические вентили) соединяются между |
|||||||
|
|
||||||
Термистор |
собой с помощью проводящих каналов в |
||||||
Пассивный компонент, электрическое со- |
кристалле. |
|
|
|
|||
противление которого уменьшается с рос- |
Тип данных |
|
|
|
|||
том температуры. Также называется NTC- |
|
|
|
||||
Категория, относящаяся к описанию дан- |
|||||||
резистором. |
|||||||
ных |
определённого |
формата, |
например |
||||
|
|
||||||
Термотренировка |
констант, переменных, строковых перемен- |
||||||
Испытания на устойчивость к внешним воз- |
ных, и т.д. |
|
|
|
|||
действиям, в ходе которых электронные |
|
|
|
|
|
||
компоненты работают в течение нескольких |
Тиристорный эффект (эффект защёлкивания) |
|
Паразитный эффект в полупроводниковых |
||
часов или дней в условиях повышенных дав- |
||
устройствах, проявляющийся в необрати- |
||
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 586 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
586 16. Глоссарий
мом отпирании паразитных тиристоров, |
Установки по умолчанию |
|
|||||
образованных слоями различной проводи- |
Стандартные, базовые, исходные установки |
||||||
мости внутри КМОП-структур. Это приво- |
(значения) тех или иных параметров. |
||||||
дит к внезапному возникновению сквозных |
Устойчивый отказ |
|
|
||||
токов (токов короткого |
замыкания) |
в |
|
|
|||
Отказ, вызванный неисправностью обору- |
|||||||
КМОП-устройствах, что может вывести их |
|||||||
дования. |
|
|
|||||
из строя. «Отключить» защёлкивание мож- |
|
|
|||||
|
|
|
|||||
но лишь снятием напряжения питания. |
|
Файл |
|
|
|||
Точка останова |
|
|
Некоторая совокупность элементов инфор- |
||||
|
|
мации, имеющая индивидуальное имя, на- |
|||||
Контрольная точка (строка) в последова- |
|||||||
пример: программа; таблица данных, ис- |
|||||||
тельности команд программы, в которой |
|||||||
пользуемых при работе программы; доку- |
|||||||
выполнение |
программы |
останавливается |
|||||
мент, созданный |
пользователем. Файлы |
||||||
по условию ошибки. Использование точек |
|||||||
представляют собой основные |
единицы |
||||||
останова играет важную роль при отладке |
|||||||
хранения информации в компьютере, обес- |
|||||||
программ. |
|
|
|
||||
|
|
|
печивая возможность обращения к конк- |
||||
|
|
|
|
||||
Транзисторная логика |
|
|
ретным «блокам» информации. |
|
|||
Метод реализации логических функций пу- |
ФАПЧ (PLL) |
|
|
||||
тём использования транзисторных схем, |
|
|
|||||
Фазовая автоподстройка частоты. Схемо- |
|||||||
часто в сочетании с резисторами и диодами. |
|||||||
техническое решение, позволяющее стаби- |
|||||||
Логические |
состояния представляются |
в |
|||||
лизировать или синхронизировать частоту |
|||||||
виде уровней электрических сигналов (см. |
|||||||
генератора. |
|
|
|||||
также DTL, RTL). |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
Трансивер |
|
|
|
Фиксирующий (ограничительный) диод |
|||
|
|
|
Диод (обычно, обратный), который также |
||||
Термин, образованный путём слияния двух |
|||||||
используется для подавления помех при пе- |
|||||||
английских слов — transmitter (передатчик) |
|||||||
реключении. |
|
|
|||||
и receiver (приёмник). Данный термин оз- |
|
|
|||||
|
|
|
|||||
начает устройство или модуль, способный |
Фильтр верхних частот |
|
|||||
как передавать, так и принимать сигналы. |
|
Фильтр, не пропускающий сигналы с часто- |
|||||
Триггер Шмитта |
|
|
той ниже граничной и практически не ос- |
||||
|
|
лабляющий сигналы, частота которых вы- |
|||||
Двухпороговый мультивибратор с гистере- |
|||||||
ше граничной частоты фильтра (см. также |
|||||||
зисом, который переключается по достиже- |
|||||||
Фильтр нижних частот). |
|
||||||
нии входным сигналом порогового уровня |
|
||||||
|
|
|
|||||
и возвращается в исходное состояние лишь |
Фильтр нижних частот |
|
|||||
тогда, когда напряжение входного сигнала |
Фильтр, полоса пропускания которого про- |
||||||
оказывается на определённую величину ни- |
стирается от нуля до некоторой граничной |
||||||
же этого порогового уровня. |
|
частоты. Для частот, превышающих гранич- |
|||||
Триггер |
|
|
|
ную, фильтр является заградительным (см. |
|||
|
|
|
также Фильтр верхних частот). |
|
|||
Схема с двумя устойчивыми состояниями, |
|
||||||
|
|
|
|||||
один из базовых элементов цифровой тех- |
Фильтр |
|
|
||||
ники; применяется также при организации |
1. Устройство, обладающее определёнными |
||||||
статической памяти с произвольным досту- |
характеристиками пропускания или за- |
||||||
пом (SRAM). |
|
|
|
граждения. Так, |
механические |
фильтры |
|
Указатель стека |
|
|
пропускают (или не пропускают) опреде- |
||||
|
|
лённые вещества; электрические и оптичес- |
|||||
Регистр микропроцессора, в котором хра- |
|||||||
кие фильтры «настроены» на сигналы опре- |
|||||||
нится текущий адрес обращения к стеку. |
|
||||||
|
делённой частоты. |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
Ультрафиолетовый |
|
|
2. Дополнительная прикладная программа, |
||||
Оптическое излучение (света) с длиной |
которая преобразует формат внешнего фай- |
||||||
волны в диапазоне от 30 до380 нм. |
|
ла таким образом, что он может быть про- |
|||||
|
|
|
|
читан и затем обработан основной при- |
|||
Уровневая модель |
кладной программой. |
|
См. OSI. |
||
|
|
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 587 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
||
|
|
|
|
16. Глоссарий 587 |
||
|
|
|
|
|
|
|
Флаг |
|
|
Большинство фоторезисторов изготавлива- |
|||
Битовая переменная, значение которой со- |
ются из сульфида кадмия (CdS). |
|||||
ответствует текущему состоянию отслежи- |
Фототранзистор |
|||||
ваемого сигнала или результата операции |
||||||
Транзистор, коллекторный ток которого |
||||||
(см. также Семафор). |
|
|||||
|
под воздействием света возрастает. |
|||||
|
|
|
|
|||
Флэш-память |
|
ЦАП |
||||
Память |
с постраничной |
перезаписью. |
||||
Цифро-аналоговый преобразователь — уст- |
||||||
Электрически перезаписываемое ПЗУ. Сти- |
||||||
ройство, осуществляющее преобразование |
||||||
рание области данных произвольного раз- |
||||||
сигналов, представленных в цифровой фор- |
||||||
мера осуществляется путём подачи на соот- |
||||||
ме, в аналоговые сигналы (как правило, |
||||||
ветствующий вход ПЗУ импульса напряже- |
||||||
ЦАП служит для восстановления исходной |
||||||
ния (flash); после этого в указанную область |
||||||
аналоговой формы сигнала после аналого- |
||||||
могут быть записаны новые данные (см. |
||||||
цифрового преобразования, см. также Ана- |
||||||
также EAROM, FAMOS). |
|
|||||
|
лого-цифровой преобразователь). |
|||||
|
|
|
|
|||
ФМ (PM) |
|
Цветовой код |
||||
Фазовая модуляция. |
|
|||||
|
Маркировка резисторов и других электрон- |
|||||
|
|
|
|
|||
Фон-неймановская архитектура |
ных компонентов при помощи различных |
|||||
Наиболее часто используемая на сегодняш- |
цветовых комбинаций, в которых зашифро- |
|||||
ний день компьютерная архитектура (пред- |
ваны номиналы или названия компонентов. |
|||||
ложена фон Нейманом). Одна из важней- |
Целостность данных |
|||||
ших её особенностей состоит в том, что |
||||||
Корректность передачи (состояния) дан- |
||||||
данные и программный код могут сохра- |
||||||
ных. |
||||||
няться в одном универсальном модуле па- |
||||||
|
|
|||||
мяти (в отличие от Гарвардской архитекту- |
Цикл |
|||||
ры, предусматривающей раздельное хране- |
1. Последовательность работы какого-либо |
|||||
ние данных и программ). |
|
устройства или системы. |
||||
Формат данных |
|
2. Одно из важных понятий, используемых |
||||
|
в программировании. |
|||||
Определённая система представления и за- |
||||||
|
|
|||||
писи данных, которая может варьироваться |
Циклическое сдвиговое устройство |
|||||
от программы к программе. Обмен данны- |
Устройство, входящее в состав аппаратного |
|||||
ми между различными программами возмо- |
ядра микропроцессора или микроконтрол- |
|||||
жен лишь в том случае, если эти программы |
лера и предназначенное для осуществления |
|||||
поддерживают соответствующие форматы |
нескольких операций сдвига данных в од- |
|||||
данных (см. также Структура данных). |
ном цикле исполнения команды. Наличие |
|||||
Фотолитография |
|
этого устройства существенно повышает |
||||
|
быстродействие системы. |
|||||
Технология, используемая в |
производстве |
|||||
|
|
|||||
ИС. Уменьшенное до размеров кристалла |
Цифровизация (оцифровка) |
|||||
изображение структуры микросхемы (фото- |
Запись аналогового сигнала в цифровом |
|||||
маска) |
используется для экспонирования |
(обычно двоичном) виде. Обычно предпо- |
||||
на поверхность полупроводниковой плас- |
лагает использование процедуры дискрети- |
|||||
тины-заготовки, покрытой слоем фоторе- |
зации — периодической выборки и записи |
|||||
зиста. Под воздействием света, проходяще- |
в буфер значений (отсчётов) аналогового |
|||||
го через фотомаску, поверхностная структу- |
сигнала. В более широком понимании, |
|||||
ра полупроводника соответствующим обра- |
цифровизацией можно назвать и процесс |
|||||
зом изменяется. Непроявленные остатки |
цифрового преобразования и сохранения |
|||||
фоторезиста затем удаляются с поверхности |
символов в системах передачи информации |
|||||
пластины, после чего она обрабатывается |
(см.также Выборка и хранение, Частота дис- |
|||||
методом химического травления. |
кретизации). |
|||||
Фоторезистор |
|
Цифровой |
||||
Компонент, омическое сопротивление ко- |
От лат. «digitus» — палец. Данный термин |
|||||
торого под воздействием света снижается. |
относится к представлению результатов тех |
|||||
|
|
|
|
или иных действий в виде счётных величин |
||
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 588 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
588 16. Глоссарий
(целых чисел). Таким образом, он не при- |
Чип |
|
меним к промежуточным (не дискретным) |
Полупроводниковый кристалл электронно- |
|
величинам. В системах обработки данных |
го компонента. |
|
практически вся информация представле- |
Чип-карта |
|
на в цифровом виде. Применительно к ком- |
||
Пластиковая карта (например, телефон- |
||
пьютерам, это двоичное представление, |
||
ная), в которую встроена полупроводнико- |
||
поскольку едва ли не все логические схемы |
||
вая микросхема, предназначенная для за- |
||
технически основаны на использовании |
||
писи и хранения информации. |
||
именно двоичной логики (см. также Бит, |
||
|
||
Байт). Противоположным термином явля- |
Чипсет |
|
ется термин аналоговый. |
Набор различных полупроводниковых мик- |
|
Цоколёвка |
росхем, которые работают как единый блок |
|
и выполняют общую задачу. |
||
Назначение выводов ИС или другого элект- |
||
|
||
ронного компонента. |
Число с плавающей точкой |
|
Частота дискретизации |
Используемый в процессоре способ пред- |
|
ставления двоичных чисел, когда положе- |
||
Частота, с которой осуществляется дискре- |
||
ние десятичной точки (т.е. количество раз- |
||
тизация (выборка) сигнала, соответствую- |
||
рядов в соответствующих им десятичных |
||
щего измеряемой физической величине |
||
числах) не фиксировано, а зависит от зна- |
||
(например, звуковому сигналу). |
||
чения экспоненты («плавает»; см. также |
||
|
||
Частота обновления |
Число с фиксированной точкой). |
|
Частота, с которой производится обновле- |
Число с фиксированной точкой |
|
ние (регенерация) содержимого (контента) |
||
Десятичное число с фиксированным (в от- |
||
при выводе изображения на экран дисплея. |
||
личие от Числа с плавающей точкой) коли- |
||
Значение этого параметра должно быть до- |
||
чеством разрядов. |
||
статочно высоким (обычно для кадровой |
||
|
||
развёртки используются частоты в диапазо- |
Шестнадцатеричная система |
|
не 75…120 Гц), чтобы обеспечить стабиль- |
Система счисления на базе числа 16. Каж- |
|
ное изображение без эффекта мерцания. |
дая цифра в этой системе может быть пред- |
|
Частота отказов |
ставлена с помощью 4 разрядов. Благодаря |
|
этому данная система очень удобна для об- |
||
Количество отказов за определённый пери- |
||
работки данных. Для числового представле- |
||
од времени. Частота отказов является одной |
||
ния используются цифры от 0 до 9 и латин- |
||
из важнейших характеристик при оценке |
||
ские буквы от A до F, в конце числа добав- |
||
надёжности устройств или компонентов |
||
ляется буква h. |
||
(см. также Надёжность). |
||
|
||
Чередование адресов памяти |
Шина |
|
Система межсоединений, обеспечивающая |
||
Процедура адресации, когда каждое новое |
||
доступ к системе передачи данных путём |
||
обращение происходит не по последова- |
||
механического подключения через разъёмы |
||
тельным (ближайшим) адресам, а с интер- |
||
(слоты), своего рода автобусные остановки, |
||
валом в один или два адреса от текущего. |
||
на которых потоки данных (словно пасса- |
||
Обращение по следующему (ближайшему) |
||
жиры) могут входить в систему или выхо- |
||
адресу может производиться лишь в начале |
||
дить из неё. Большинство подобных систем |
||
каждого нового цикла. Такой метод адреса- |
||
являются параллельными, однако существу- |
||
ции обеспечивает более высокую произво- |
||
ют и последовательные шины (см. USB). |
||
дительность при обращении к данным; при |
||
|
||
выводе графической информации на экран |
Шум |
|
дисплея уменьшается заметное для глаз |
Отклонение сигнала от «идеального» связа- |
|
мерцание экрана. |
но с наличием в цепи его прохождения не- |
|
Четырёхполюсника модель |
желательных шумовых токов и напряже- |
|
ний. Источниками этих шумов, как прави- |
||
Модель для представления и описания ха- |
||
ло, являются тепловые эффекты в провод- |
||
рактеристик транзистора на основе четы- |
||
никах, эффекты дисперсии и отражения |
||
рёхполюсника. |
||
сигнала, а также воздействия внешних ис- |
||
|
|
|
|
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 589 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
||
|
|
|
|
|
|
16. Глоссарий 589 |
||
|
|
|
|
|||||
точников помех (см. также Дробовой шум, |
Электронная ловушка |
|||||||
NF, NEP, RIN). |
|
|
|
Маленькая полупроводниковая структура, |
||||
эВ |
|
|
|
|
в которую «попадают» электроны из-за воз- |
|||
|
|
|
|
действия различных квантово-механичес- |
||||
Электрон-вольт — внесистемная |
единица |
|||||||
ких эффектов. На основе таких структур |
||||||||
энергии, определяемая как энергия, приобре- |
||||||||
разработаны компоненты памяти (см. так- |
||||||||
таемая или теряемая электроном при его пе- |
||||||||
же ETOM). |
||||||||
ремещении в электрическом поле между точ- |
||||||||
|
|
|||||||
ками с разностью потенциалов 1 В. Численно |
Электронная печатная плата |
|||||||
эта величина соответствует 1.602210–19 Дж. |
Пластиковая плата, на которую устанавли- |
|||||||
Эйринга модель |
|
|
|
ваются электронные компоненты схемы и |
||||
|
|
|
наносятся соединительные проводящие до- |
|||||
Модель ускоренных испытаний полупро- |
||||||||
рожки (см. также PCB, Печатная плата). |
||||||||
водниковых компонентов на надёжность, в |
||||||||
|
|
|||||||
которой с целью увеличения интенсивнос- |
Электросмог |
|||||||
ти отказов компоненты подвергаются воз- |
«Проникновение» в окружающую среду |
|||||||
действию повышенной температуры |
и по- |
электрических и магнитных полей, связан- |
||||||
вышенной |
электрической нагрузки |
(см. |
ных с протеканием тока в проводниках. |
|||||
также Аррениуса модель, Пека модель). |
|
Влияние электросмога на здоровье челове- |
||||||
Эквивалентная схема |
|
|
ка до сих пор обсуждается. |
|||||
|
|
|
|
|||||
Упрощённая гипотетическая схема элект- |
Эмиссия |
|||||||
ронного компонента или устройства, вход- |
Испускание электромагнитного излучения |
|||||||
ные и выходные характеристики которой в |
или носителей электрического заряда в ок- |
|||||||
точности соответствуют характеристикам |
ружающую среду. |
|||||||
реального устройства. |
|
|
Эмиттерный повторитель |
|||||
|
|
|
|
|
|
|||
Экранирование |
|
|
|
Схема включения транзистора, при кото- |
||||
Создание барьера, препятствующего элект- |
рой выходной сигнал формируется за счёт |
|||||||
рическим, электромагнитным и/или маг- |
протекания тока через резистор в цепи |
|||||||
нитным полям проникать в защищаемую |
эмиттера (см. также Схема с общим коллек- |
|||||||
область пространства или выходить из неё. |
тором). |
|||||||
Экранирование от электрических и элект- |
Эмулятор |
|||||||
ромагнитных полей наиболее эффективно |
||||||||
Аппаратно-программное устройство, реа- |
||||||||
осуществляется с использованием клеток, |
||||||||
лизующее функции эмуляции той или иной |
||||||||
экранов или корпусов из проводящего ма- |
||||||||
системы. |
||||||||
териала, лучше всего — металла. В случае |
||||||||
|
|
|||||||
защиты от магнитного поля, корпус следует |
Эмуляция |
|||||||
изготавливать из материала с высокой диэ- |
Воспроизведение (моделирование аппарат- |
|||||||
лектрической проницаемостью (см. также |
ными или программными средствами) ра- |
|||||||
EMC). |
|
|
|
|
боты той или иной системы. Данный метод |
|||
Электрическая связь |
|
|
часто используется при тестировании ком- |
|||||
|
|
пьютерных технологий. В отличие от симу- |
||||||
В электротехнике — обеспечение возмож- |
||||||||
ляции, которая производится «в отрыве» от |
||||||||
ности обмена электрической энергией меж- |
||||||||
моделируемой системы, эмуляция обычно |
||||||||
ду двумя смежными токопроводящими ли- |
||||||||
осуществляется непосредственно в рамках |
||||||||
ниями (в частности, обмотками |
катушек |
|||||||
самой этой системы. |
||||||||
индуктивности) за счёт эффекта электро- |
||||||||
|
|
|||||||
магнитной индукции. |
|
|
Энергозависимая память |
|||||
Электролюминесценция |
|
|
Память, содержимое которой теряется при |
|||||
|
|
выключении питания (см. также Память). |
||||||
Люминесцентное |
излучение. Излучение |
|||||||
|
|
|||||||
света под воздействием протекающего тока, |
Энергонезависимая |
|||||||
которое может происходить в некоторых |
Характеристика памяти, означающая, что |
|||||||
материалах |
при |
определённых |
условиях |
хранящаяся в ней информация не будет по- |
||||
(см. также ELD). |
|
|
|
теряна, даже если отключить напряжение |
||||
|
|
|
|
|
|
питания (см. также ROM, ПЗУ). |
||
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 590 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
590 16. Глоссарий
Эталонная модель |
приятия приближаются к «реальному» че- |
|
См. OSI. |
ловеческому языку (как правило, английс- |
|
Язык программирования |
кому), а также машинно-ориентированные |
|
языки, которые гораздо труднее для вос- |
||
Система символов и правил, аналогичная |
||
приятия (см. также Ассемблер, Машинный |
||
языку в лингвистике, предназначенная для |
||
код). |
||
создания последовательностей компьютер- |
||
|
||
ных команд. Существуют так называемые |
Язык разметки |
|
языки программирования высокого уровня, |
Например, язык разметки гипертекста |
|
которые по уровню доступности для вос- |
HTML (см. также SGML). |