ТЭМ_экзамен_билеты

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 26 Кафедра ППЭ	Утверждаю: Зав.
МЭИ	Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника	кафедрой
	Институт радиотехники и электроники	«14» 06 2011 г.
g-параметры транзистора как четырехполюсника. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 27 Кафедра ППЭ	Утверждаю: Зав.
МЭИ	Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника	кафедрой
	Институт радиотехники и электроники	«14» 06 2011 г.
h-параметры транзистора как четырехполюсника. Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип работы. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 28 Кафедра ППЭ	Утверждаю: Зав.
МЭИ	Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника	кафедрой
	Институт радиотехники и электроники	«14» 06 2011 г.
Барьер металл-полупроводник. Явления на границе раздела. Область пространственного заряда. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 29 Кафедра ППЭ	Утверждаю: Зав.
МЭИ	Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника	кафедрой
	Институт радиотехники и электроники	«14» 06 2011 г.
МДП структура. Область пространственного заряда. Явления обогащения, обеднения, и инверсии на границе раздела. Типы тиристоров и их ВАХ. Зависимости ВАХ pn-перехода от температуры.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 30 Кафедра ППЭ	Утверждаю: Зав.
МЭИ	Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника	кафедрой
	Институт радиотехники и электроники	«14» 06 2011 г.
Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми. Диод Шоттки. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------