Смирнова_КИ_-_ПМиН_(УМПпВКП__2007)

10

разделом 2», «… согласно 3.1», «… по 3.1.1»; «… в соответствии с 4.2.2, перечисление б»; (приложение В); «… как указано в приложении Г».

Ссылки в тексте на номер формулы дают в скобках, например: «… согласно формуле (8.1)»; «… как следует из выражения (2.5)».

Ссылки в тексте на таблицы и иллюстрации оформляют по -ти пу: (таблица 4.3); «… в таблице 1.1, графа 4»; (рисунок (2.11); «… в соответствии с рисунком 1.2»; «… как показано на рисунке Г.7, поз.12

и 13».

4.6.2. При ссылке в тексте на использованные источники следует приводить порядковые номера по списку использованныхисточни-

ков, заключенные в квадратные скобки, например: «… как указано в

монографии [10]»; «… в работах [11,12,15-17]».

При необходимости в дополнение к номеру источника указывают номер его раздела, подраздела, страницы, иллюстрации, таблицы, например: [12, раздел 2]; [18, подраздел 1.3, приложение А], [19, с.35,

табл.8.3].

Допускается вместо квадратных скобок выделять номер источника двумя косыми чертами, например: /10/.

4.7. Сокращения

4.7.1.При многократном упоминании устойчивых словосочетаний в тексте ТД следует использовать аббревиатуры или сокращения.

4.7.2.При первом упоминании должно быть приведено полное название с указанием в скобках сокращенного названия или аббревиа-

туры, например: «фильтр нижних частот(ФНЧ)»; «амплитудная модуляция (AM)», а при последующих упоминаниях следует употреблять сокращенное название или аббревиатуру.

Расшифровку аббревиатур и сокращений, установленных государственными стандартами (ГОСТ 2.316, ГОСТ 7.12) и правилами русской орфографии, допускается не приводить, например: ЭВМ, НИИ, АСУ, с. (страница), т.е. (то есть) и др.

4.8. Оформление расчетов

4.8.1.Порядок изложения расчетов в ТД определяется характером рассчитываемых величин.

4.8.2.Все расчеты, как правило, должны выполняться в СИ.

11

3. Запись числовых расчетов выполняют, как правило, в следующем порядке:

-формула;

-знак «=» (равно);

-подстановка числовых значений величин и коэффициентов(как правило, в основных единицах СИ) в последовательности буквенных обозначений в формуле и, через пробел, - обозначение единицы физической величины результата;

-знак «=» (равно);

-результат с единицей физической величины.

Пример – Запись пункта расчета:

3.4.3. Сопротивление рассчитываем по формуле [2, таблица 3.1, строка 3]:

R =	U	=		125	Ом = 7,8 ×103 Ом = 7.8кОм . (3.5)
			16 ×10-3
	I

4.9. Нумерация листов ТД

4.9.1.Все листы ТД, включая приложения, должны иметь сквозную нумерацию.

Первым листом является титульный лист.

4.9.2.Номер листа проставляется в его правом верхнем углу. На титульном листе номер не проставляется.

12

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1.Т.И.Данилина, К.И.Смирнова, В.А.Илюшин, А.А.Величко. Процессы микро – и нанотехнологии. Учебное пособие. – Томск, ТУ-

СУР, 2005 – 316 с.

2.К.И.Смирнова. Процессы микро – и нанотехнологии. Учебное пособие. – Томск, ТУСУР, каф. ФЭ, 2006 – 185 с.

3.Э.А.Матсон, Д.В.Крыжановский. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Минск: Вышейшая школа, 1982 – 224 с.

4.И.Е.Ефимов, И.Л.Козырь, Ю.И.Горбунов. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. – М.: Высшая школа, 1986. – 464 с.

5.З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.

6.Технология СБИС/ под ред. С.Зи. – М.: Мир, 1986. Т.1,2.

7.А.А.Щука. Электроника. – Санкт – Петербург, БВХ Петер-

бург, 2006. – 800с.

13

Приложение 1

ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ НА КУРСОВЫЕ ПРОЕКТЫ

Вариант 1

Тема проекта:

Технология изготовления интегральной микросхемы ЭСЛ.

Исходные данные:

1.Схема изготовлена по эпитаксиально-планарной технологии.

2.Подложка 75 5КЭФ0,5 / 3КЭС8 .

200КДБ10

3. Характеристики диффузионных областей: база: rSб = 200 Ом/ ; xбк = 2 мкм;

эмиттер: rSэ = 5 Ом/ ; xэб = 1,5 мкм; характеристики скрытого слоя из маркировки подложки.

4. Топологический чертеж и структура элементов прилагаются.

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

4.Расчет режимов эпитаксии и диффузии.

5.Расчет профилей распределения примесей с учетом автолеги-

рования.

6.Расчет точности изготовления резисторов схемы.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертежи комплекта фотошаблонов.

Вариант 2

Тема проекта:

Технология изготовления схемы интегрального усилителя.

Исходные данные:

1. Схема изготовлена по эпитаксиально-планарной технологии.

14

2. Подложка 110 5КЭФ0,5 / 4КЭМ15 . 200КДБ10

3. Характеристики диффузионных областей:

база: rSб = 180 Ом/ ; xбк = 2,0 мкм;

эмиттер: rSэ = 6 Ом/ ; xэб = 1,2 мкм; скрытый слой – из маркировки подложки.

4. Топологический чертеж и структура элементов прилагаются.

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

4.Расчет режимов эпитаксии и диффузии.

5.Расчет профилей распределения примесей с учетом автолеги-

рования.

6.Расчет точности изготовления резисторов схемы.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертежи комплекта фотошаблонов.

Вариант 3

Тема проекта:

Технология изготовления схемы ТС – 14.

Исходные данные:

1.Биполярная схема с диэлектрической изоляцией.

2.Подложка КЭФ-0,1.

3.Характеристики диффузионных областей:

база: rSб = 180 Ом/ ; xбк = 1,4 мкм;

эмиттер: rSэ = 5 Ом/ ; xэб = 0,7 мкм.

4. Топологический чертеж и структура элементов прилагаются.

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

15

4.Расчет режимов диффузии и окисления.

5.Расчет профилей распределения примесей до и после окисле-

ния.

6. Расчет точности изготовления резисторов схемы.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертежи комплекта фотошаблонов.

Вариант 4

Тема проекта:

Фоточувствительные приборы с зарядовой связью на МДП ИС.

Исходные данные:

1.МДП ИС.

2.Подложка КДБ-200.

3.Концентрация легированных областей:

сток – каналы N p = 9 ×1018 см-3 ; истоки – стоки N n+ = 1,6 ×1020 см-3 ;

объемный канал N n = 1,6 ×1017 см-3 .

4. Дополнительная литература:

1.Барба Д.Ф. Приборы с зарядовой связью. – М., Мир, 1982 – 240 с.

2. Воронов и др. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью – современная элементная база фотонных систем. Электронная промышленность, 2003, №2.

Содержание:

1.Анализ приборов с зарядовой связью и технологические особенности их изготовления.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления приборов.

4.Расчет режимов легирования и окисления.

5.Расчет профилей распределения примесей.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования приборов.

2.Расчетные зависимости.

16

Вариант 5

Тема проекта:

Технология изготовления ИС на совмещенных МОП– транзисторах.

Исходные данные:

1.МОП – транзистор – вертикальный.

2.Размеры транзистора:

толщина столбика 0,1 мкм; ширина столбика 0,02-2 мкм; Высота столбика 0,05¸0,5 мкм. 4. Концентрация областей:

исток – сток n – типа N n = 1017 см-3 ; исток – сток p – типа N p = 1017 см-3 ;

основание транзистора p – типа N = 1013 -1015 см-3 . 4. Дополнительная литература:

1.Ракитин В.В. Совмещенные МОП – транзисторы. Электронная промышленность.2004, №3.

2.Ракитин В.В., Филиппов Е.И. Моделирование элементов СБИС на совмещенных вертикальных МОП– транзисторах. Микроэлектроника, 1997, т.26, №4.

Содержание:

1.Анализ СМОП приборов, их сравнение с планарными аналогами и технологические особенности.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления приборов.

4.Расчет режимов легирования, окисления и металлизации.

5.Расчет профилей распределения примесей.

Перечень графического материала:

1.Технологический маршрут (последовательность изготовления приборов).

2.Расчетные зависимости.

Вариант 6

Тема проекта:

Технология изготовления схемы интегральной микросхемы

ТТЛ.

17

Исходные данные:

1.Схема изготовлена по изопланарной технологии.

2.Подложка 110 3КЭФ0,5 / 5КЭС10 .

300КДБ15

3. Характеристики диффузионных областей:

база: rSб = 180 Ом/ ; xбк = 1,8 мкм;

эмиттер: rSэ = 5 Ом/ ; xэб = 0,8 мкм; скрытый слой – из маркировки подложки.

4. Топологический чертеж и структура элементов прилагаются.

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

4.Расчет режимов диффузии и окисления.

5.Расчет профилей распределения примесей до и после окисле-

ния.

6. Расчет точности изготовления резисторов схемы.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертежи комплекта фотошаблонов.

Вариант 7

Тема проекта:

Технология изготовления интегральной микросхемы типа УТ-221.

Исходные данные:

1.Схема изготовлена по полипланарной технологии.

2.Подложка 75 5КЭФ0,1/ 3КЭМ 8 .

200КДБ15

3. Характеристики диффузионных областей:

база: rSб = 200 Ом/ ; xбк = 2,6 мкм;

эмиттер: rSэ = 6 Ом/ ; xэб = 1,2 мкм; скрытый слой – из маркировки подложки.

18

4. Топологический чертеж и структура элементов прилагаются.

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

4.Расчет режимов диффузии и окисления.

5.Расчет профилей распределения примесей до и после окисле-

ния.

6. Расчет точности изготовления резисторов схемы.

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертежи комплекта фотошаблонов.

Вариант 8

Тема проекта:

Технология изготовления КМДП ИС типа ИЛИ – НЕ.

Исходные данные:

1.Схема изготовлена по комплементарной технологии.

2.Подложка КЭФ-1.

3.Характеристики легированных областей:

изолирующая область: rSиз = 600 Ом/ ; x pn = 3 мкм;

исток – сток n – типа: rS =10 Ом/ ; x pn = 1,0 мкм; исток – сток p – типа rS =40 Ом/ ; x pn = 1,5 мкм;

основание транзистора p – типа N = 1013 -1015 см-3 .

Содержание:

1.Анализ схемы.

2.Технологический маршрут.

3.Технология изготовления элементов схемы.

4.Расчет режимов формирования легированных областей диф-

фузией.

5.Расчет режимов ионного легирования, используемого для самосовмещения затвора с каналом.

6.Расчет профилей распределения примесей.

7.Расчет точности изготовления легированных областей.

19

Перечень графического материала:

1.Схема последовательности формирования ИМС.

2.Расчетные зависимости.

3.Чертеж структуры элементов схемы.