Spisok_voprosov_k_testam

224. Почему для тонкого кристалла или пленки вместо поверхностных избытков носителей заряда используют их среднюю концентрацию носителей по толщине

225.Запишите соотношение для длины волны де-Бройля, расшифруйте смысл входящих в нее параметров. Рассчитайте ее значение для энергии Ферми 0,02 эВ.

226.Запишите соотношение для длины волны де-Бройля, расшифруйте смысл входящих в нее параметров. Рассчитайте ее значение для энергии Ферми 0,02 эВ.

227.Может ли наблюдаться квантово-размерный эффектв в металлических пленках толщиной 100 нм. Объясните ответ.

228.Может ли наблюдаться квантово-размерный эффектв в полупроводниковой пленке толщиной 100 нм. Объясните ответ.

229.Объясните физический смысл схемы изображенной на рисунке.

230. Изобразите схематически зонный спектр электронов в условиях размерного квантования. Дайте необходимые пояснения.

21

231.Запишите условия размерного квантования для тонкой пленки. Какие величины в этом случае квантуются и почему.

232.Чем отличаются энергетические спектры массивного и пленочного кристалла при длине волны де-Бройля порядка толщины пленки.

233.Какими эффектами сопровождается размерное квантование.

234.Что такое размерная подзона? Каково соотношение для плотности состояний в ней в расчете на толщину пленки.

235.Объясните природу осцилляций электросопротивления при изменении толщины пленки в условиях квантово-размерного квантования.

236.Объясните, почему осцилляции электросопротивления при изменении толщины пленки в условиях квантово-размерного квантования наблюдаются преимущественно при понижении температуры.

237.Объясните природу осцилляций второй производной тока по напряжению в структуре изображенной на схеме.

EF

238.При каком условии возникает квантово-размерный эффект в тонкой пленке.

239.Что такое «уровень размерного квантования»?

240.При каких условиях и почему наблюдаются осцилляции зависимости удельного сопротивления тонких пленок от толщины.

241.Определите толщину пленки полупроводника n-типа с уровнем Ферми 0,02 эВ от потолка V-зоны и эффективной массой электрона 0.25m*, ниже которой возможен квантово-размерный эффект.

242.В чем выражается квантово-размерный эффект в тонкой пленке. Опишите причины его возникновения.

243.Описать размерное квантование в ОПЗ в полупроводнике. Каковы условия его возникновения.

244.Опишите условия возникновения размерного квантования в ОПЗ в полупроводнике.

22

Электронный перенос в областях пространственного заряда и тонких пленках

Тест 8

245.Опишите основные причины зависимости проводимости тонких пленок в модели Фукса.

246.Каковы причины дополнительной проводимости ОПЗ в монокристаллических полупроводниках?

247.Чем обусловлены изменения подвижности свободных носителей заряда в ОПЗ по сравнению с объемом полупроводника?

248.Каковы механизмы поверхностного рассеяния свободных носителей заряда в

ОПЗ.

249.К каким последствиям приводит рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ поверхностными заряженными центрами>

250.Чем отличается рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ на колебаниях решетки от такового в объеме полупроводника?

251.К каким последствиям приводит рассеяние свободных носителей заряда в ОПЗ на микрорельефе поверхности?

252.Какие и почему два основные допущения использовалось в теории Фукса.

253.Что такое коэффициент зеркальности в модели Фукса. Чем он определяется.

254.Чему равны коэффициенты зеркальности в модели Фукса для шероховатых

игладких поверхностей. Каков их физический смысл.

255.Чему равен коэффициент зеркальности пленки при зеркальном рассеяниии электронов ее поверхностью. Меняются или нет энергия и параллельная составляющая импульса электрона при зеркальном рассеянии.

256.Меняются или нет энергия и параллельная составляющая импульса рассеиваемого поверхностью электрона при коэффициенте зеркальности Р = 1.

257.Меняются или нет энергия и параллельная составляющая импульса рассеиваемого поверхностью электрона при коэффициенте зеркальности Р = 0.

258.Чему равен коэффициент зеркальности пленки при диффузном рассеяниии электронов ее поверхностью. Меняются или нет энергия и параллельная составляющая импульса электрона при таком рассеянии.

259.Каковы средняя тепловая энергия и направление импульса электрона после каждого соударения с поверхностью при диффузном рассеянии.

260.Существует ли размерный эффект в модели Фукса при полностью зеркальном рассеянии. Поясните ответ.

261.Поясните природу размерного эффекта (зависмости электросопротивления от толщины пленки) в модели Фукса.

262.Изобразите схематически изменение электропроводности пленки в зависимости от относительной толщины пленки d/l для коэффициентов зеркальности Р = 0, 0.5 и 1. Дайте необходимые пояснения.

263.Проанализируйте соотношение модели Фукса. Дайте необходимые пояснения.

23

264.Рассчитайте по модели Фукса, на сколько и как изменится проводимость металлической пленки толщиной d = 4l (l – длина свободного пробега электронов) по сравнению с массивным образцом при коэффициенте зеркальности Р=0.

265.При каких толщинах пленки, согласно модели Фукса, должен наблюдаться размерный эффект для длины свободного пробега порядка 50 нм при коэффициенте зеркальности Р=0 и Р=1.

266.Опишите физический смысл зависимостей удельного сопротивления от толщины пленки на рисунке.

267.

268.Запишите соотношение относительной проводимости для модели Фукса в зависимости от толщины, длины свободного пробега и коэффициента зеркальности. Проанализируйте его.

269.Как характер поверхностного рассеяния электрона в металлической пленке

зависит от соотношения де-Бройлевской длины волны электронов B и размеров шероховатостей d.

270.Почему и как относительная проводимость для модели Фукса зависит от угла падения электронных волн на поверхность пленки.

271.Приведите и опишите соотношение для поверхностной проводимости ОПЗ в полупроводнике.

272.Объясните, что такое удельная поверхностная проводимость σs ОПЗ в полупроводнике. Выведите соотношение для нее через поверхностные избытки носителей заряда.

273.Опишите типичный вид зависимостей σs(YS) для полупроводника n-типа. Почему эта зависимость имеет минимум.

274.Опишите характер движения носителей заряда в ОПЗ полупроводника под действием встроенного поверхностного и внешнего приложенного электрических полей.

Ккаким последствиям это приводит.

275.К каким последствиям приводит движение носителей заряда в ОПЗ полупроводника под действием встроенного поверхностного и внешнего приложенного электрических полей.

276.Какие три основных механизма рассеяния носителей заряда в ОПЗ полупроводника существует.

24

Тест 9

277.Что такое эффекта поля?

278.Опишите понятие эффекта Холла в инверсионном канале?

279.Что такое квантовый эффект Холла?

280.Чем обусловлены осцилляции Шубникова - де Хааза?

25