Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Попов_НГТУ-2015 ноябрь 16

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
11.03.2016
Размер:
9.06 Mб
Скачать

План

Мотивация - смена парадигмы или концепции

Масштабирование полевого транзистора

(FET оr FinFET)

Концепция

Нейроморфные системы

Квантовые системы

71

0

1

Квантовый бит (кубит)

= a0 | + a1 |

Квантовый регистр для четырех кубитов.

72

Твердотельные структуры для квантовой информатики

Kane B.E. A Silicon-Based nuclear Spin Quantum Computer// Nature, 1998, v.393, N.5, pp.133–137.

single NV’s or in ensemble

Свойства кубитов: алмаз против кремния

Время релаксации ~ 1 мс для обоих

центры окраски N, NV: при 300 К

донорные центры: при 5 К

Управление одиночным спином

показано для N, NV-центров

первые попытки для кремния

Управление спиновыми регистрами

показано для NV-центров и двух 13С, 14N,

не реализовано

Высококачественные подложки

до 6 см2 для алмаза + легирование

пластины до 450 мм диаметром

Mikhail Lukin et al. Collectively Enhanced Interactions in Solid-state Spin Qubits ArXiv: 1210.3622

Алмаз - лучшая среда для квантового компьютинга

Status of diamond relative to DiVincenzo criteria for Quantum Information Processing (QIP):

TD = 1860 K

D. DiVincenzo “Quantum bits: Better than excellentNature Mat. 9, 468–469 (2010)

To CCD read matrix

637 nm

Write line

5±1 nm

Joerg Wrachtrup “Defect center room-temperature quantum

74

processors”, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 107, 9479 (2010).

 

Архитектура управления кубитами на NV-центрах в фотонном кристалле

Магнито-дипольное

Обмен фотонами

взаимодействие

(летающими кубитами)

I.Bayn et al., Diamond and Related Materials; 2010, 20, 7; 937-943

75

Наноструктуры «снизу–вверх»: ансамбли NV центров

NV-s in 30 nm membrane on quartz

[NV] = 5 for 3x1011cm-2

[NF9] = 3x1012cm-2 in 300 nm or 3x1011cm-2 in 30 nm

76

Наноструктуры «снизу–вверх»: ансамбли NV центров

532 nm green laser beam with 300 nm in diameter

3x104

2x104

solid lens

 

planar

NV-

 

 

 

 

 

 

 

un.

 

 

 

637 nm

 

 

 

 

arb.

10

4

 

 

 

 

 

Intensity,

 

 

 

 

 

 

 

570

580

590

600

610

620

630

640

650

Твердотельная линза c NV кластером

 

 

Wavelength, nm

 

 

 

Травление FIB (Ga+)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5x increase in NV- PL intensity, but we need a regular matrix !

V.P. Popov et al. RFTT-2015 Conf. Proceed., 2015, 147

77

Наноструктуры «снизу–вверх»: ансамбли NV центров

Число NV центров в пике -

NNV’s:

425 m

1

500

1,0x104

2

1000

 

3

1500

8,0x10

3

 

 

 

 

 

6,0x10

3

 

 

4,0x10

3

 

42000

52500

… …

1050000

 

2,0x10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

10

 

 

 

 

X/10,

20

 

 

 

nm

30

 

 

 

425 m

 

 

40

 

 

 

Карты интенсивности БФЛ NV- центров в конфокальном

 

10

50

0

лазерном

 

 

50

 

 

40

 

30

 

20

 

nm

 

Y/10,

 

 

микроскопе (КЛМ)

Пики ФЛ NV- кластеров [CNV]s =. 3x106 cm-2 с <NNV> = 1÷10 шт.

среднее расстояние R между пиками R ≈ 1.6 x10-4 cm = 1.6

m

78

V.P. Popov, et al. . ICW-2010, Kyoto 2010

V Popov. et al. Proseed. ISI-2015 Int. Conf. Moscow (2015)

 

Телепортация состояний летающими кубитами

Refractive index contrast is needed for photon confinement

However, thin (~200nm) single-crystal diamond membranes are

NOT (commercially) available!

High-quality single crystal diamond can only be grown on diamond substrate

(Exception is growth on iridium/yttria-stabilized zirconia films: recent work by U. Augsburg and U. Saarlandes groups)

M. Lonchar’s Approach:

Thin, single-crystal,FIB diamond films realized using etching

n1

n2

n2

n3

A. Faraon et al, Nat. Photon. 5 (2011)

 

 

 

 

 

B. Hausmann et al, CLEO 2011; B. Hausmann et al, arxiv: 1111.5330v1

 

 

79

 

 

Экспериментальная проверка неравенства Белла запутыванием состояний NV центров летающими кубитами

Схема событие-готовность

[an event-ready scheme],

позволяет генерировать с высокой повторяемостью запутанность между удаленными электронными спинами. Эффективное считывание спина позволяет избежать предположения выборки (лазейка обнаружения), в то время как использование быстрого случайного выбора базиса и считывания в сочетании с пространственным разделением в 1,3 км обеспечивает необходимые условия локальности.

R Hansen et al. Nature 000, 1-5 (2015) doi:10.1038/nature15759

80