- •Конспект лекций Воронеж 1998
- •Рецензенты: кафедра физики полупроводников и микроэлектроники
- •Оглавление Введение 4
- •Библиографический список литературы 37 Введение
- •Изоляция
- •Биполярные активные структуры
- •4. Униполярные мдп-транзисторы
- •5. Резисторы
- •Конденсаторы
- •7. Межэлементные соединения и контактные площадки
- •8. Диоды Шотки
- •Р ис. 18. Структура полевого транзистора с диодом Шотки
- •9. Приборы с зарядовой связью
- •10. Инжекционные структуры
- •Библиографический список литературы
- •394026, Воронеж, Московский проспект, 14
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации
Воронежский государственный технический университет
Ю.Г.Крюков
Конструирование микросхем и микросборок
Конспект лекций Воронеж 1998
Составитель: докт. техн. наук, профессор Ю.Г.Крюков
УДК 621.396.9(075)
Конструирование микросхем и микросборок: Конспект лекций/ Воронеж. госуд. техн. ун-т. Сост. Ю.Г.Крюков. Воронеж, 1998. 37 с.
JSBN 5-230-04414-4
В работе рассмотрены принципы действия, структуры, характеристики и применение полупроводниковых микросхем, выполненных на основе биполярных и полевых транзисторов.
Конспект лекций предназначен для индивидуальной работы студентов дневной и заочной форм обучения при изучении дисциплины “ Конструирование микросхем и микросборок “ специальности 2000800 “ Проектирование и технология радиоэлектронных средств.
Тематика конспекта лекций соответствует программе дисциплины, утверждённой методической комиссией радиотехнического факультета.
Рукопись набрана в текстовом процессоре Word 97 и размещена на дискете 3,5 дюйма в виде файла KMM_1.doc.
Ил. 22. Библиогр.: 5 назв.
Научный редактор доктор техн. наук, профессор Муратов А.В.
Рецензенты: кафедра физики полупроводников и микроэлектроники
Воронежского государственного университета;
доктор техн. наук П.А.Попов
Печатается по решению редакционно-издательского совета Воронежского государственного технического университета.
Воронежский государственный технический университет, 1998
Оглавление Введение 4
1. Изоляция 5
2. Биполярные активные структуры 6
3. Диоды 12
4. Униполярные МДП-транзисторы 14
5. Резисторы 21
6. Конденсаторы 23
7. Межэлементные соединения и контактные площадки 25
8. Диоды Шотки 26
9. Приборы с зарядовой связью 30
10. Инжекционные структуры 33
Библиографический список литературы 37 Введение
Современный радиоинженер конструктор-технолог радиоэлектронных средств (специальность 200800 “ Проектирование и технология радиоэлектронных средств “) должен обладать такими умениями и знаниями в области микроэлектроники, которые обеспечивают ему возможность проектирования микросхем и микросборок (МСБ) на основе новейших и перспективных в будущем технологических процессов изготовления как гибридных плёночных микросхем (ГИС), так и полупроводниковых интегральных микросхем (ИС), применяющихся в МСБ в виде корпусных или бескорпусных конструкций.
Грамотное конструирование микросхем и МСБ невозможно без знания плёночных структур ГИС и полупроводниковых ИС. Технологические процессы микроэлектроники в соответствии с государственными образовательным стандартом высшего профессионального образования по специальности 200800 изучаются в одноимённом курсе, а в учебной дисциплине ” Конструирование микросхем и микросборок “ рассматриваются вопросы проектирования ГИС и МСБ и приводятся общие представления о структурах, принципах действия и характеристиках полупроводниковых ИС. В связи с имеющейся обширной литературой по полупроводниковым ИС в данном конспекте лекций приводятся в достаточно краткой форме обобщённые сведения о полупроводниковых ИС, необходимые для радиоинженера конструктора-технолога радиоэлектронных средств для конструирования МСБ.
В дальнейшем тексте абревиатура ИС используется для полупроводниковых ИС.