Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

482	Предметный указатель 482

Полевая эмиссия,						96,		100			-	CdS, 87, 390, 414, 418, 421,
Полевые транзисторы,								2 3 9 - 3 1 0				433, 442,			462
-	мощные, 264 - 266, 296, 302,										-	CdSe, 83, 421, 433, 460, 462
	305 - 308										-	CdSiP2 ,		433
-	псевдоморфные ( р Н Е М Т ) ,									301	-	CdTe, 334, 418, 422, 425, 433,
-	с	р-п-переходом, 240,							294,			462
	3 0 3 - 3 0 8										-	C u 2 0 ,	83,		418,	433
-	с М Н О П - с т р у к т у р о й , 293										-	CuAIS2, 433
-	с М О П - с т р у к т у р о й ,								240,		-	CuAlSe 2 ,			433
	2 4 9 - 2 6 6										-	CuBr, 433
-	с	барьером Ш о т т к и ,							240,		-	CuCl,	433
	2 9 4 - 2 9 8										-	CuGaS2 ,		433
-	с	высокой				подвижно-					-	CuGaSe2 ,			433
	стью		электронов					( Н Е М Т ) ,			-	CuInS2 ,		433
-	2 9 8 - 3 0 3						затвором,				-	CuInSe2 ,		422
	с	изолированным									-	GaAlAsSb, 437
	241, 2 4 9 - 2 6 6										-	GaAlSb, 454
-	с плавающим затвором, 285										-	GaAs,	25,		32,	4 4 - 4 6 , 48,		57,
-	со	статической					индукцией					69, 70,		7 7 - 8 0 ,		86 - 88, 96, 98,
	(SIT), 305											100, 102, 104, 106-108, 110,
Полупроводник												114,	115,		119,	120,	126,	139,
-	a-Si:H, 422											153, 171, 175, 192, 199, 214,
-	AgGaS 2 , 433											234, 235, 240, 262, 295, 299,
-	AgGaSe2, 433											300, 302, 308, 309, 325, 327,
-	AgInS2, 433											334, 335, 337, 338, 340, 34U
-	AlAs, 88, 110, 118, 119, 380,											343, 346, 349, 361, 364-367,
	418, 433, 454, 462											379. 396-398, 400, 401, 409,
-	AIGaAs, 107, 108, 115, 120,											414, 416, 418. 419. 421, 425,
	126,		153,		171,	299,		300,		334,		428,	431,		433,	437,	438,	440.
	397,		398,		400,	401,		421,		433,		446,	448,		449,	451,	454,	455,
	434,		436,		440. 451,			454,		455,		458, 460,			462
	458										-	GaAsP, 334, 433-435, 438.
-	AIGaN, 302, 409, 436											454
-	AllnAs, 110, 171, 301, 302,										-	GaAsSb, 48. 110, 171, 334, 454
	400, 454										-	GalnSb, 334, 454
-	AllnGaP, 436										-	GaMnAs. 74
-	AllnP, 400, 436, 454										-	GaMnN, 74
-	A1N, 462										-	GaMnP, 74
-	A1P. 433, 454, 462										-	GaN, 102, 107, 302, 308, 334,
-	AlSb, 88. 116. 119, 171, 302,											346, 409, 433, 436, 441, 454,
	433, 454,				462							462
-	BP, 433										-	GaN As, 454
-	C, 354,			462							-	GaP, 45, 48, 86-88, 409, 418,
- CdGeP 2 ,				433								428, 433-435, 438, 454, 462
-	CdP2, 433										-	GaS,	433

								Предметный		указатель										483
-	GaSb, 77, 88, 110, 334, 437,										153, 155, 161, 167, 191, 197,
	454,	462									198,		203,		230,		231,	254,		262,
-	GaSe, 433										263, 269, 272, 282, 308, 309,
- G e ,		25, 27, 39, 44, 45,							48,		325, 326, 361, 365, 367, 376,
	51,	58, 64, 70, 72, 76-81,									392-395, 409, 414, 416, 418,
	86, 88, 101, 102, 104, 106,										419, 426-428, 460, 462
	107, 110, 141, 143, 145, 146,									-	SiC, 48, 88, 231, 296, 308, 365,
	191,	197,		230,		327,		334,	355,		409,		428, 433,				436,	462
	364, 393-395, 409, 414, 418,									-	SiGe, 120, 153, 173, 214, 263
	423-428, 460, 462									-	SiGeC,			110
-	HgCdTe, 327, 391, 393, 409,									-	Sn02, 324, 433
	414									-	ZnCdSe, 436
-	Hgl2, 425									-	ZnGeP2, 433
-	InAs, 87, 110, 116, 118, 119,									-	ZnO, 433, 462
	171, 176, 262, 302, 327, 334,									-	ZnP2,		433
	393, 396, 414, 437, 454, 460,									-	ZnS, 433, 442, 462
	462									-	ZnSe, 110, 334, 433, 455, 460,
-	InAsP, 334, 454										462
- InGaAs,			48,		102,		110,		118,	-	ZnSiAs2, 433
	153, 171, 172, 176, 262, 301,									-	ZnSiP2,			433
	302, 334, 361, 380, 400, 408,									-	ZnTe, 433, 462
	409, 418, 437, 454									-	ZnTeSe, 436
-InGaAsP,				110, 400, 409,					437,	-	вырожденный, 64, 96
	447, 454									-	магнитный, 73
-	InGaN, 436, 442									-	непрямозонный, 70, 428, 430,
- I n G a P ,			110,		153,		171,		400,		433, 434, 454, 462
	418, 433, 436, 454									-	органический, 443
- I n P , 48, 88, 102,						110, 118, 153,				-	прямозонный, 66, 69, 70, 412,
	171,	172,		192,		199, 262,			296,		422,		428, 433, 436, 454,						462
	301, 302, 334, 335, 338, 340,									Послеинжекционная ЭДС,									129
	346, 353, 361, 366, 400, 408,									Потенциальный барьер, 11,										19,
	418, 433, 447, 454,							462			55,	83,		84,		95,	104,	107,		112,
-	InSb, 69, 88, 327, 334, 393,										115
	396, 405, 409, 414, 431, 454,									Предельная					частота
	462									-	варикапа,				125
- PbS, 83, 327, 393, 462										-	полевого транзистора, 260
-	PbSe, 393, 403, 462									Приближение						плавного канала,
-	PbSnTe,		110, 327, 393								250, 297
-	PbSnTeSe, 454									Приборы с зарядовой связью, см.
-	PbSSe, 437										ПЗС
-	PbTe, 327, 462									Примесная зона, 71, 394
-	Se, 83, 414									Пробой
-	Si, 25, 32, 40, 44, 45, 47, 48,									-	вторичный, 58,						163,	164
	51, 54, 70, 75, 83, 85-89, 94,									-	лавинный, 45, 57, 160, 217.
	98-102, 107, 110, 120, 126,										230, 285, 355, 356, 364
	132,	138,		143,		146,		147,	152,	-	поверхностный, 54, 228

1С*

484							Предметный		указатель 484
— примесный, 45, 394, 396									Селективное травление, 209, 265
— тепловой, 57,				163					Сечение захвата, 28, 137, 138,
— туннельный,				55, 59,			65,	258,	435
366, 378									Силициды, 85, 99, 153, 176
Прокол, 62, 160, 162, 217, 368									Симисторы, 236-238
Пролетная частота, 348-351,									Скорость
353, 377									— насыщения, 167,		171,		174,
Процесс SIMOX, 282									253, 261, 262, 295, 343, 349,
Псевдоморфные структуры,								109,	356, 365, 372, 378, 408
118, 173, 301									— поверхностной рекомбинации,
Работа выхода, 84, 85, 99, 104,									26, 101, 184, 388
241									Солнечные элементы, 414-422
Радиационная			стойкость, 139,						— каскадные, 417
209, 282, 420, 421									Соотношение	Эйнштейна,			24,
Радиационные			дефекты,				29, 74,		43, 340
132,	139,	199,			269,	283,		420,	Сопротивление
421, 426									— контактное,	100, 102
Разгонка примеси,					198, 204				— растекания, 80, 98
Режим									Спектроскопия
— TRAPATT, 376									— DLTS, 135-139
— инверсии, 242									— емкостная,	123
— насыщения, 188, 252									— молекулярная, 332
— обеднения, 242, 315									— туннельная, 73
— обогащения, 242									Спонтанное излучение, 445
— отсечки, 188									Стабилитроны, 58-62, 368
— плоских зон, 241									Сток, 249
Резонансно-туннельные							диоды,		Структуры
115-120, 379									— BiCMOS, 214, 284
Резонансное			туннелирование,						— МНОП, 293
115									— кремний-на-изоляторе			(SOI),
Рекомбинация									201
— Оже, 39, 152, 222, 391, 426									— кремний-на-изоляторе (КНИ),
— безызлучательная, 428									282
— излучательная, 428									— кремний-на-сапфире			(КНС),
— поверхностная,					26,	184,		385,	282
388, 392, 407, 420									Схемы включения транзисторов,
— темп, 22									177
— формула Шокли-Рида-Холла,									Температура шума, 186, 309
28									Тепловой пробой, 57,		163
Рентгеновская литография,								195	Тепловой шум, 182, 308, 401
СВЧ приборы, 332, 380									Теплопроводность, 192, 231, 302,
Самосовмещение, 207, 273									364, 365
Сверхрешетки, 102, 110-121,									Термополевая	эмиссия,		95,	97,
263, 397-399, 412, 454, 458									118, 398
— nipi,	113								Термоэлектронная эмиссия,				89,
Светодиоды,		432-445							175, 371, 444

				Предметный		указатель					485
Тиристоры,		39, 43,		2 1 5 - 2 3 8		—	с туннельным эмиттером,				153
— запираемые,			222, 224,		233,	—	со статической			индукцией,
	267						305
—	с закороченным			катодом, 227		—	сплавные,	101,	145
— симисторы, 236 - 238						—	точечные,	141,	198
—	фототиристоры,			234		—	униполярные, 295
Ток						—	фототранзисторы,			409
—	генерационный,			29		—	эпитаксиальные,			147, 157,	170
—	избыточный,		7 4 - 7 6 , 117			Трансмутационное			легирование,
—	насыщения, 24, 32, 48, 92, 95,						230
	152					Триаки, 236
—	обратный	коллектора,			160,	Тринисторы,		216

	161, 178, 219,	220			Туннелирование, 17,		55, 63, 73,
—	ограниченный	пространствен-				81, 94, 95, 109, 184, 254, 285,
	ным зарядом,	38				288, 366, 398, 444
— подпороговый, 256, 257, 277,					—	резонансное, 115
	283				—	с участием примесей,		72
—	рекомбинационный,		30,	31,	—	с участием фононов,		70,	117
	189				Туннельная спектроскопия,				73
—	смещения, 339,	357			Туннельно-пролетные		диоды,
—	удержания, 221, 233					378
Транзисторы					Туннельное магнетосопротивле-
— BSIT, 307						ние, 73
— DHBT, 171					Туннельные диоды. 62-81,				117,
- Н В Т , 170-177, 214						133
— НЕМТ, 119, 296, 298-303					Туннельный пробой, 55, 59, 65,
— IGBT, 266						258, 366, 378
— RHET, 176					Увлечение электронов фотонами,
— SIT, 305						405
— баллистические, 174					Ударная ионизация, 45,			60, 62,
— биполярные, 140-214						152, 220, 341, 355, 358, 361,
— гетеропереходные,			107,	108,		378, 397, 411, 449
	153, 170-177, 187, 214				— коэффициент, см. Коэффици-
— диффузионно-сплавные,				146		ент ударной ионизации
— дрейфовые, 145, 150, 154, 167					Уравнение
— многоколлекторные, 209					— Пуассона, 14, 18. 52, 53, 89,
— многоэмиттерные,			209			105. 162. 229. 243. 339. 342,
— мощные, 147, 157, 158, 163						396
— на горячих электронах, 174					— Шрёдингера, 111
— плоскостные, 143, 145, 158					— непрерывности, 22,			23,	37,
— полевые, см. Полевые транзи-						127, 134, 149, 342, 358, 385,
	сторы					407
— псевдоморфные (рНЕМТ), 301					Уровни прилипания,		390,		391,
— с меза-структурой,			148			426
— с металлической базой, 176					Уровни размерного квантования,
— с проницаемой базой, 307						111, 120, 397

								—		генерационио-рекомбинз!
Ю, 94, 371									183,		402								г
онейтральности, 22, 34,								— дробовой,					77,		182,		308,
																			К
Ю									401
							— избыточный,							182, 309,				411
427							— лавинного						умножения,					411
ения,			416				— переноса					в ПЗС,				330
ности,			31,	36, 94			— поверхностный,								183,		330
229							— тепловой,					182,		308,		401
шум,		182, 248, 309, 401					— фликкер-шум,							182,		248,		309,
<ять,		195,		289-294				401
>92							— фотонный,					401,		403
\ спектр, 71							Шум-фактор,					77, 186, 302,					411
							Шумы
геские,			71				— в ПЗС,			320,		330
							— в	биполярных					транзисторах,
:кие, 60, 71, 167,					384
							182-187
ы, 4 0 5 - 4 1 4																транзи-
							— в	гетеропереходных
lie,	слг		Лавинные		фо-
							сторах,			187
ы
							— в диодах			Ганна,			348
-рафия,			192-195,		271,		— в инжекционно-пролетных										ди-
							одах,		375
шум, 401,				403			— в лавинно-пролетных								диодах,
яники							361
1 - 3 9 7							— в полевых			транзисторах,						308
00							— в стабилитронах,						62
[ 2 0, 3 9 7 - 4 0 1							— в туннельных				диодах,			77
д и м о с т ь , 3 8 2
						— в фотодиодах,					408
т, 193,			196,	202
						— в фотоприемниках,							401
торы,		3 8 4 - 4 0 1
						ЭДС Дембера,				405
т и в л е н и я , 3 8 4 - 4 0 1
						Эквивалентная				мощность					шума
горы,		2 3 4
							(NEP),		402,	409
чсгоры,			4 0 9
						Эквивалентная				схема
ия,	92,		287,	326, 401
						—	МОП-конденсатора,						246
о т н о с т и с о с т о я н и й ,
						—	полевого		транзистора,				259
: е ч к и						—	тиристора,		218,		227
						—	транзистора,			180
{ого	транзистора,					—	туннельного		диода,			80
, 177,		206				— шумов		транзистора,				184

Предметный указатель

487

Электронное сродство, 84, 104,

106

Эмиссия

—полевая, 96, 100

—термополевая, 95, 97, 118, 398

—термоэлектронная, 89, 175, 371, 444

Эмиттер, 141

— коэффициент инжекции, 150, 153, 155, 173

Энергетическое разрешение, 425, 427

Эффект

—Ганна, 335

—Кирка, 157, 169

—Пула-Френкеля, 29

—Шоттки, 93, 370

- Э р л и , 158, 181

—всплеска скорости, 262

—защелкивания, 268, 281, 282

—квантовомеханического отра-

жения, 176

—кулоновской блокады, 291

—модуляции длины канала, 255

—модуляции проводимости, 33, 42, 43, 184

—насыщения скорости дрейфа, 167, 253

—оттеснения эмиттерного тока, 158

—поля, 239

—сужения запрещенной зоны,

151, 401

—туннельный, 62

—фотовольтаический, 405

—фотоэлектромагнитный, 405 Эффективность переноса в ПЗС,

314

Явление

—доменной неустойчивости, 341

—прилипания носителей, 390,

39!

—самоорганизации, 458, 459

—сверхинжекции, 108

Учебное издание

ЛЕБЕДЕВ Александр Иванович

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Редактор М.Б. Козинцова

Оригинал-макет: Т.Н. Савицкая Оформление переплета: Н.В. Гришина

Подписано в печать 02.07.08, Формат 6 0 x 9 0 / 1 6 . Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 30,5. Уч.-изд. л. 33,5. Тираж 700 экз.

Заказ №3607.

Издательская фирма «Физико-математическая литература» МАИК «Наука/Интерпериодика»

117997, Москва, ул. Профсоюзная, 90 E-mail: fizmat@maik,ru, [e-mail];

http://www, (mi.ru

Отпечатано с готовых диапозитивов

вОАО «Ивановская областная типография» 153008, г. Иваново, ул. Типографская, б

E-mail: [e-mail]

ISBN 978-5-9221-0995-6