1-Лабораторная_Аналоговая схемотехника
.docФедеральное Агентство по образованию РФ
Томский Межвузовский Центр дистанционного образования
Томский государственный университет
систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)
Лабораторная работа №1
По дисциплине: «Аналоговая схемотехника»
Тема: «Исследование усилительных каскадов на биполярных транзисторах»
(Учебные пособия: «Аналоговая схемотехника» авторы: Шарапов А.В., Тановицкий Ю.Н. Томск-2003)
V=10*05div100=0
Выполнил:
Студент ТМЦДО
Гр.
Специальность: 210106(200400)
Ф.И.О.
логин
пароль
.
Н-ск 2008
Цель работы: знакомство со схемами, задающими режим работы транзистора по постоянному току, исследование усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером и общим коллектором, дифференциального усилительного каскада.
Программа работы
-
Соберём цепь, задающую усилительный режим транзистора (рис. 1.1). (В связи с невозможностью запуска программы Asimec под управлением ОС Vista, моделирование проводилось в среде Multisim). Аналог отечественного транзистора КТ3102А, был подобран по справочному пособию «Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры» А.В. Нефёдов, А.И. Аксёнов, Москва Солон-пресс 2006 г.
Рисунок 1.1
Получили в ходе исследования следующие результаты:
Uэк = 4,578 В., Uэб = 0,597 В., Ik = 540 мкА., при Е = 10 В.
Рассчитаем ток эмиттера Iэ:
.
Рассчитаем ток базы Iб:
Построим нагрузочную прямую постоянного тока, и отметим на ней точку покоя (рис.1.2):
Рисунок 1.2
Нагрузочная прямая проходит через точку Е1 = 10 В., на оси абсцисс и точку:
. , на оси ординат. Координаты рабочей точки U0 = 4,578 В и I0 =540 мкА. Напряжение Uэб = 0,597 В.
-
Исследуем усилительный каскад по схеме с общим эмиттером (рис. 2.1):
Рисунок 2.1
Подав на вход синусоидальный сигнал частотой 1 кГц и амплитудой 1 мВ, оценим полученное выходное напряжение при Rн = R5 = 5 кОм, на экране осциллографа (рис. 2.2):
Рисунок 2.2
Рассчитаем коэффициент усиления при Rн = 5 кОм: .
При Rн = 50 кОм, получим выходные характеристики (рис. 2.3):
Рисунок 2.3
Рассчитаем коэффициент усиления при Rн = 50 кОм:
Воспользуемся соотношением: , рассчитаем по экспериментальным данным входное сопротивление транзистора ( = 185):
при Rн = 5 кОм.:
;
при Rн = 50 кОм:
Нагрузочная прямая переменного тока при Rн = 5 кОм проходит через точку покоя А, и точку: - на оси абсцисс (рис. 2.4):
Рисунок 2.4
-
Снимем амплитудно-частотную и фазочастотную характеристики каскада, схема которого приведена ниже (рис. 3.1):
Рисунок 3.1
При R5 = 5 кОм, экспериментально оценим нижнюю границу полосы пропускания на уровне Мн = 3 дБ. Для этого найдём частоту входного сигнала, на которой амплитуда Uвых падает на 30% (3 дБ) относительно значения при f = 1 кГц.
Как видно на графике (рис. 3.2), нижняя частота полосы пропускания составляет:
fн ≈ 88,6 Гц.
Рисунок 3.2
При увеличении ёмкости разделительных конденсаторов до 10 мкФ – нижняя граница полосы пропускания снизится более чем в 2 раза (fн ≈ 30 Гц).
Конденсатор ёмкостью 100 мкФ, применён для шунтирования резистора R4 по переменному току (устранена обратная связь по переменному току). Эмиттер транзистора, таким образом, оказался заземлённым по переменному току.
-
Исследуем эмиттерный повторитель (рис. 4.1). В рабочей точке – ток практически не изменился (+6 мкА) , напряжение уменьшилось., и составляет RэIэ = 2,73 В.
Рисунок 4.1
Пронаблюдаем искажения прямоугольных импульсов частотой 100 Гц и амплитудой 1 В при прохождении через повторитель (рис. 4.2):
Рисунок 4.2
Из осциллограммы определим относительный спад вершины импульса:
Сравним относительный спад вершины импульса с расчётным значением:
где - .
Повторим эксперимент, увеличив значение ёмкости разделительных конденсаторов до 100 мкФ (рис. 4.3):
Рисунок 4.3
Из осциллограммы определим относительный спад вершины импульса:
Сравним относительный спад вершины импульса с расчётным значением:
Результаты эксперимента свидетельствуют о том, что увеличение ёмкости разделительных конденсаторов – уменьшает относительный спад вершины импульса, а также подтверждает справедливость формулы для расчёта.
Соберём схему дифференциального усилителя (рис. 5.1):
Рисунок 5.1
В данной схеме транзистор VT3 - выполняет роль стабилизатора тока.
Произведём расчёт суммарного тока эмиттеров VT1 и VT2:
Как видно из расчётов, их результат с некоторыми допущениями, совпадает с результатом, полученным в ходе эксперимента.
Наблюдая за потенциалами коллекторов VT1 и VT2 – мы можем отметить пренебрежимо малое их изменение с изменением сигнала Usf 5 В. Таким образом коэффициент передачи синфазного сигнала практически равен нулю.
Рассчитаем выходное напряжение Uout :
Подавая на вход сигнал с генератора (Uin = 1 мВ), частотой 1 кГц, оценим коэффициент усиления каскада для дифференциального сигнала (рис. 5.2):
Рисунок 5.2
- коэффициент усиления дифференциального сигнала.
-
Контрольные вопросы:
1). Для повышения температурной стабильности режима работы биполярного транзистора применяются:
а. при питании от одного источника, вводится ООС по постоянному току за счёт резистора RЭ, потенциал базы – фиксируется с помощью делителя R1 , R2.
б. цепь смещения с комбинированной ООС, используется как ООС по току за счёт резистора RЭ, так и ООС по напряжению за счёт резистора RФ в цепи коллектора.
в. используется дополнительный источник питания в цепи эмиттера (рис. 6.1):
Рисунок 6.1
2). Наибольшее усиление по мощности обеспечивает схема с общим эмиттером – усиливает как ток, так и напряжение, но инвертирует сигнал по фазе. Схемы с общим коллектором и общей базой – не инвертируют сигнал по фазе, но с общим коллектором – не усиливает сигнал по напряжению, а с общей базой – по току.
3). Основные причины дрейфа нулевого уровня на выходе УПТ – нестабильность источников питания, старение транзисторов, изменение температуры окружающей среды.
4). Коэффициент ослабления синфазного сигнала Мсф – является важной характеристикой дифференциального усилителя и определяется отношением коэффициентов К (усиления входного дифференциального напряжения), Ксф (передачи синфазного напряжения). Его часто оценивают в децибелах: .
5). Максимальное теоретическое значение КПД трансформаторного каскада в режиме класса А равно 50%, в практических схемах удаётся реализовать = (20 – 30)%. Теоретическое значение КПД каскадов в режиме класса В составляет 78%, в практических схемах удаётся реализовать = (50 – 60) %.