Отчет 3
.docxФГБОУ ВО
Уфимский Государственный Авиационный Технический Университет
Кафедра АСУ
Отчет по
лабораторной работе №3
«Электронные схемы логических элементов»
по дисциплине «Физические основы элементной базы компьютерной техники»
Вариант 7
Выполнили:
ст. гр. МО-117
Ибрагимова К.Б.
Шакиров А.Р.
Проверил:
Ст. преподаватель
Казанцев А.В.
Уфа 2019
Цель работы: изучение и сборка электронных схем, реализующих логические элементы «НЕ», «И» и «ИЛИ».
Ход работы:
1. Изучена теоретическая часть.
2. Зарисована электрическая схема для логической операции «И-НЕ» (Рисунок 1).
Рисунок 1. Электрическая схема для логической операции «И-НЕ»
Составлена таблица истинности (Таблица 1).
Таблица 1
Таблица истинности логической операции «И-НЕ»
A |
B |
|
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
3. Реализована электрическая схема для логической операции «И-НЕ».
4. Замерено падение напряжения на резисторах при всех возможных комбинациях входных сигналов A и В (Таблица 2).
Таблица 2
Падение напряжения на резисторах
A |
B |
на R1 (329 Ом) |
на R2 (4,6 кОм) |
на R3 (9,7 кОм) |
на R4 (9,9 кОм) |
на R5 (327 Ом) |
на R6 (329 Ом) |
0 |
0 |
0 В |
0 В |
0 В |
0 В |
0 В |
3,2 В |
0 |
1 |
0 В |
0,16 В |
0 В |
0,95 В |
0,32 В |
3,2 В |
1 |
0 |
4,14 В |
0 В |
4,9 В |
0 В |
0 В |
3,2 В |
1 |
1 |
3,5 В |
0,4 В |
4,6 В |
1,5 В |
0,81 В |
4,97 В |
4. Замерена фактическая сила тока при активных входах А и В (Таблица 3).
Таблица 3
Сила тока при активных входах А и В
|
Сила тока |
Iвх.А |
0,7 мА |
Iвх.В |
1,2 мА |
Iдиод |
0 мА |
Вывод: в ходе данной лабораторной работы были изучены электронные схемы, реализующие логические элементы «НЕ», «И» и «ИЛИ», а также были получены навыки в построении этих схем.
Ответы на контрольные вопросы:
1. Логические операции могут быть реализованы в виде электрических схем, называемых логическими элементами (базисными логическими функциями).
Базисные логические функции могут быть представлены как в дискретном исполнении, так и методами интегральной технологии. Базисные логические функции (логические элементы) «И», «ИЛИ» и «НЕ» могут выполняться на диодах, резисторах, биполярных полевых транзисторах.
2. Логический элемент «НЕ» представляет собой усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, и работает в ключевом режиме.
3. Технология транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) — способ преобразования дискретной информации с помощью электронных устройств, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов.
Транзисторы используются как для выполнения логических функций, так и для усиления выходного сигнала. ТТЛ-принцип построения микроэлектронных схем означает, что транзисторы соединены между собой непосредственно.
4. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый элемент, имеющий трехслойную структуру, которая образует два электронно-дырочных перехода. Поэтому транзистор можно представить в виде двух встречно включенных диода. В зависимости от того, что будет являться основными носителями заряда, различают p-n-p и n-p-n транзисторы.
5. База в транзисторе – слой полупроводника, который является основой конструкции транзистора.