Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабы КЭТ 2й семестр / 9205_Ромашкин_Лаб_1_КЭТ

.docx
Скачиваний:
46
Добавлен:
29.04.2021
Размер:
277.81 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе №1

по дисциплине «Компоненты электронной техники»

Тема: «Определение частотных характеристик пассивных элементов с использованием измерителя иммитанса типа Е7-2О»

Студент гр. 9205

Ромашкин В.Г.

Преподаватель

Пермяков Н.В.

Санкт-Петербург

2021

Пассивные элементы электронной техники - конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности служат для перераспределения и регулирования напряжений, токов и мощностей в отдельных) участках электрических схем. К основным параметрам конденсатора относят номинальную емкость Cном, температурный коэффициент емкости ТКЕ, тангенс угла потерь tg δс. Номинальная расчётная) емкость конденсатора зависит от его конструкции, геометрических размеров, а также от диэлектрической проницаемости используемого в нем диэлектрика. Точность, с которой обеспечивается получение номинальной емкости, характеризуется значением допуска в процентах относительно номинала. Номинальные емкости и допуски конденсаторов (так же, как номинальные сопротивления и допуски резисторов) нормализованы и выбираются из стандартных числовых рядов (см. прил. | и 2, табл. П.1 и П.2). Номинальные емкости конденсаторов и сопротивления резисторов общего назначения (с допускам" ±5, ±10, ±20 и ±30 %) должны соответствовать числам, приведенным в табл. П.1 или полученным умножением этих чисел на 10n, где n=0, ±1, 2, З,... . Обозначения допуска в виде русских или латинских буквенных индексов указаны в табл. П.2. Для современных конденсаторов маркировка номинальных емкостей и допусков указывается в виде буквенно-цифрового кода в русской или в международной (латинской) транскрипции. Номинальные емкости менее 10^-10 Ф обозначаются в пикофарадах (буквенный индекс П, или p) Сном, от 10-10 до 10-7 Ф в нанофарадах (индекс Н, или n), а Сном > 10-7 Ф обозначаются в микрофарадах (индекс М, или μ). При дробных значениях номинальных величин буквы, обозначающие единицы измерения, ставятся на месте запятой. Буквенное обозначение допуска указывается сразу после кода номинальной емкости, например: Cном= 1500 пФ +5 % кодируется как 1Н5И, или 1n5J; Cном=0,1 мкФ +20%М1В, или μ1М; Температурный коэффициент емкости αс (или ТКЕ) отражает отклонение емкости, обусловленное изменением температуры, и, следовательно, характеризует температурную стабильность емкости конденсатора. Общее определение этого параметра соответствует выражению

αс=TKE(1/C)(dC/dt)

Нормировать (задать) αс конденсатора можно в том случае, если зависимость емкости конденсатора от температуры носит линейный характер, что имеет место для конденсаторов, в которых используются материалы с мгновенными видами поляризации (электронная и ионная). В зависимости от того, какой из этих видов поляризации преобладает, ТКЕ будет иметь положительный или отрицательный знак. Тогда, задав при комнатной температуре tк номинальную емкость Сном и αс, можно определить емкость при любой другой температуре t (с учетом знака αс): С=Сном[1+ αс (t-tk)]. Приняты условные обозначения нормированного (αс, содержащие букву и цифры (они маркируются на конденсаторе). Цифры показывают значение αс в миллионных долях изменения емкости, отнесенных к 1°, а буква, стоящая перед цифрами, обозначает знак ТКЕ: М, или N- отрицательный П или Р - положительный; для конденсаторов с αс = 0 используется индекс МП0, или NР0 (табл. 1.1).

Обработка результатов

Определение частотных характеристик пассивных элементов с использованием измерителя иммитанса типа Е7-2О

  1. Резистор. Маркировка 51КР|||

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

0,015нФ

0,4пФ

R

52,3 кОм

50,65 кОм

L

0,99 кГн

9999,9мкГн

Ζ

52,31 кОм

50,26 кОм

φ

-0,02°

-7,05°

Q(R)

-

0,1268

Q(L)

-

0,1267

  1. Резистор. Маркировка стерлась

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

0,9пФ

0,46пФ

R

11,02 МОм

8.3 МОм

L

99,9 кГн

9,99 мГн

Ζ

11,03 МОм

0,342 МОм

φ

-0,04°

-87,9°

Q(R)

0,0009

23,9

Q(L)

0,0012

25,4

  1. Резистор. Маркировка 7К8 МТ-1 15КИ

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

0,017нФ

0,44пФ

R

14,79 кОм

14,45 кОм

L

0,9 кГн

9,999мГн

Ζ

14,79 кОм

14,43 кОм

φ

-2,42°

Q(R)

0,0001

0,042

Q(L)

0,0001

0,042

  1. Резистор. Спиральный

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

240 мФ

2,658 нФ

R

50,1 мОм

1700 мОм

L

10,3 мкГн

953 нГн

Ζ

50,2 мОм

59,9 Ом

φ

7,28°

88,37°

Q(R)

0,12

35,2

Q(L)

0,13

35,2

  1. Резистор. Маркировка отсутствует.

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

9999,9 мкФ

11,05 нФ

R

5003 мОм

4845 мОм

L

0,7 мкГн

2283 нГн

Ζ

5003 мОм

15,2 Ом

φ

71,38°

Q(R)

0,0001

2,97

Q(L)

0,0001

2,97

  1. Конденсатор. Маркировка Н90 22n.

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

0,015нФ

0,4пФ

R

52,3 кОм

50,65 кОм

L

0,99 кГн

9999,9мкГн

Ζ

52,31 кОм

50,26 кОм

φ

-0,02°

-7,05°

Q(R)

-

0,1268

Q(L)

-

0,1267

  1. Конденсатор. Маркировка 68 nM W D8

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

75,5нФ

87,1 нФ

R

9200 кОм

187,3 МОм

L

33,5 Гн

289,5 нГн

Ζ

21 кОм

1832 МОм

φ

-89,87°

-84,2°

Q(R)

435

9,8

Q(L)

428

9,8

Частота

0,025

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

5

10

20

50

100

200

500

1000

Z кОм

84,1

42,1

21,06

10,5

4,2

2,1

1,06

0,424

0,213

0,107

0,043

0,022

0,011

0,004

0,002

-φ°

89,9

89,9

89,8

89,8

89,8

89,78

89,7

89,62

89,53

89,42

89,03

88,7

88,12

86

84

Рисунок 1.1

  1. Конденсатор. Маркировка 3Н6И

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

3538 пФ

3,48 нФ

R

520 МОм

3260 МОм

L

716,5 Гн

7275 нГн

Ζ

450 кОм

45,8 Ом

φ

89,9°

-85,95°

Q(R)

650

14,1

Q(L)

570

14,1

Частота

0,025

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

5

10

20

50

100

200

500

1000

Z кОм

1799

899,3

450,1

225,1

90,16

45,1

22,55

9,025

4,512

2,256

0,903

0,452

0,226

0,091

0,046

-φ°

89,93

89,89

89,92

89,9

89,91

89,94

89,93

89,95

89,97

89,94

90,03

89,96

89,92

87,57

85,93

Рисунок 1.2

  1. Конденсатор. Маркировка 10n.

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

9789 пФ

8,9 нФ

R

12,3 МОм

1631 мОм

L

278 Гн

2843 нГн

Ζ

162 кОм

17,9 Ом

φ

-89,3°

-84,8°

Q(R)

82

10,9

Q(L)

78

10,9

  1. Катушка индуктивности. Маркировка SK 0835

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

66,8 мФ

784 нФ

R

21,6 мОм

395 Ом

L

38,4 мкГн

32,3 мкГн

Ζ

32,4 мОм

180 Ом

φ

48,1°

62,0°

Q(R)

1,1

1,9

Q(L)

1,1

1,9

  1. Катушка индуктивности. Маркировка DH 6003V

Измеряемые значения

Частоты, при которых проводились наблюдения

100Гц

1МГц

C

41 мФ

17,87 пФ

R

13мОм-5кОм (нестабильное)

109 кОм

L

61 мГн

1420 мкГн

Ζ

39 Ом

8900 Ом

φ

78,0°

-85,3°

Q(R)

2-10

12

Q(L)

2-16

12

Эквивалентные схемы исследованных элементов:

  • Для резистивных элементов (1,2,3,4,5)

  • Для ёмкостных элементов (6,7,8,9)

  • Для индуктивных элементов (10,11)

Вывод: в данной лабораторной работе нами был исследован ряд резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности. Заранее отмечу, что некоторые из показаний прибора Е7-20 слишком не правдоподобны и будут считаться ложными (например, индуктивность 99,9 кГн кажется мне подозрительно большой, видимо прибор не может установить реальное значение).

В ходе работы, мной были построены частотные зависимости полного сопротивления Z от частоты для 7-го и 8-го элементов (конденсаторы). Графики этих зависимостей изображены на рисунках 1.1 и 1.2, по ним видно, что с ростом частоты полное сопротивление Z линейно и достаточно быстро уменьшается с ростом частоты.

К сожалению, не получилось построить зависимость емкости сегнетокерамического конденсатора от постоянного напряжения смещения из-за технических ограничений.

Рассматриваемые элементы недостаточно хороши для работы при очень высоких частотах. Максимальная частота, на которой мы проводили измерения- 1МГц, что не так и много для современной аппаратуры. Лучше всего на ВЧ показали себя следующие элементы:

Резистор №1 и №3, их значения сопротивления не сильно изменились, ёмкость снизилась, индуктивность повела себя странно, возможно прибор дал сбой. Спиральный резистор для ВЧ не пригоден.

Все протестированные конденсаторы можно, с натяжкой, использовать на ВЧ, хоть и их номинальная емкость немного изменяется. Другие параметры так же не стабильны.

Катушка №10 существенно потеряла в своей индуктивности на частоте 1МГц, что делает ее не пригодной для работы на таких частотах. Катушка №11 повела себя очень странно, ее так же лучше не использовать.