Лабы КЭТ 2й семестр / 9205_Ромашкин_Лаб_1_КЭТ
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МНЭ
отчет
по лабораторной работе №1
по дисциплине «Компоненты электронной техники»
Тема: «Определение частотных характеристик пассивных элементов с использованием измерителя иммитанса типа Е7-2О»
Студент гр. 9205 |
|
Ромашкин В.Г. |
Преподаватель |
|
Пермяков Н.В. |
Санкт-Петербург
2021
Пассивные элементы электронной техники - конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности служат для перераспределения и регулирования напряжений, токов и мощностей в отдельных) участках электрических схем. К основным параметрам конденсатора относят номинальную емкость Cном, температурный коэффициент емкости ТКЕ, тангенс угла потерь tg δс. Номинальная расчётная) емкость конденсатора зависит от его конструкции, геометрических размеров, а также от диэлектрической проницаемости используемого в нем диэлектрика. Точность, с которой обеспечивается получение номинальной емкости, характеризуется значением допуска в процентах относительно номинала. Номинальные емкости и допуски конденсаторов (так же, как номинальные сопротивления и допуски резисторов) нормализованы и выбираются из стандартных числовых рядов (см. прил. | и 2, табл. П.1 и П.2). Номинальные емкости конденсаторов и сопротивления резисторов общего назначения (с допускам" ±5, ±10, ±20 и ±30 %) должны соответствовать числам, приведенным в табл. П.1 или полученным умножением этих чисел на 10n, где n=0, ±1, 2, З,... . Обозначения допуска в виде русских или латинских буквенных индексов указаны в табл. П.2. Для современных конденсаторов маркировка номинальных емкостей и допусков указывается в виде буквенно-цифрового кода в русской или в международной (латинской) транскрипции. Номинальные емкости менее 10^-10 Ф обозначаются в пикофарадах (буквенный индекс П, или p) Сном, от 10-10 до 10-7 Ф в нанофарадах (индекс Н, или n), а Сном > 10-7 Ф обозначаются в микрофарадах (индекс М, или μ). При дробных значениях номинальных величин буквы, обозначающие единицы измерения, ставятся на месте запятой. Буквенное обозначение допуска указывается сразу после кода номинальной емкости, например: Cном= 1500 пФ +5 % кодируется как 1Н5И, или 1n5J; Cном=0,1 мкФ +20%М1В, или μ1М; Температурный коэффициент емкости αс (или ТКЕ) отражает отклонение емкости, обусловленное изменением температуры, и, следовательно, характеризует температурную стабильность емкости конденсатора. Общее определение этого параметра соответствует выражению
αс=TKE(1/C)(dC/dt)
Нормировать (задать) αс конденсатора можно в том случае, если зависимость емкости конденсатора от температуры носит линейный характер, что имеет место для конденсаторов, в которых используются материалы с мгновенными видами поляризации (электронная и ионная). В зависимости от того, какой из этих видов поляризации преобладает, ТКЕ будет иметь положительный или отрицательный знак. Тогда, задав при комнатной температуре tк номинальную емкость Сном и αс, можно определить емкость при любой другой температуре t (с учетом знака αс): С=Сном[1+ αс (t-tk)]. Приняты условные обозначения нормированного (αс, содержащие букву и цифры (они маркируются на конденсаторе). Цифры показывают значение αс в миллионных долях изменения емкости, отнесенных к 1°, а буква, стоящая перед цифрами, обозначает знак ТКЕ: М, или N- отрицательный П или Р - положительный; для конденсаторов с αс = 0 используется индекс МП0, или NР0 (табл. 1.1).
Обработка результатов
Определение частотных характеристик пассивных элементов с использованием измерителя иммитанса типа Е7-2О
Резистор. Маркировка 51КР|||
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
0,015нФ |
0,4пФ |
R |
52,3 кОм |
50,65 кОм |
L |
0,99 кГн |
9999,9мкГн |
Ζ |
52,31 кОм |
50,26 кОм |
φ |
-0,02° |
-7,05° |
Q(R) |
- |
0,1268 |
Q(L) |
- |
0,1267 |
Резистор. Маркировка стерлась
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
0,9пФ |
0,46пФ |
R |
11,02 МОм |
8.3 МОм |
L |
99,9 кГн |
9,99 мГн |
Ζ |
11,03 МОм |
0,342 МОм |
φ |
-0,04° |
-87,9° |
Q(R) |
0,0009 |
23,9 |
Q(L) |
0,0012 |
25,4 |
Резистор. Маркировка 7К8 МТ-1 15КИ
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
0,017нФ |
0,44пФ |
R |
14,79 кОм |
14,45 кОм |
L |
0,9 кГн |
9,999мГн |
Ζ |
14,79 кОм |
14,43 кОм |
φ |
0° |
-2,42° |
Q(R) |
0,0001 |
0,042 |
Q(L) |
0,0001 |
0,042 |
Резистор. Спиральный
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
240 мФ |
2,658 нФ |
R |
50,1 мОм |
1700 мОм |
L |
10,3 мкГн |
953 нГн |
Ζ |
50,2 мОм |
59,9 Ом |
φ |
7,28° |
88,37° |
Q(R) |
0,12 |
35,2 |
Q(L) |
0,13 |
35,2 |
Резистор. Маркировка отсутствует.
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
9999,9 мкФ |
11,05 нФ |
R |
5003 мОм |
4845 мОм |
L |
0,7 мкГн |
2283 нГн |
Ζ |
5003 мОм |
15,2 Ом |
φ |
0° |
71,38° |
Q(R) |
0,0001 |
2,97 |
Q(L) |
0,0001 |
2,97 |
Конденсатор. Маркировка Н90 22n.
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
0,015нФ |
0,4пФ |
R |
52,3 кОм |
50,65 кОм |
L |
0,99 кГн |
9999,9мкГн |
Ζ |
52,31 кОм |
50,26 кОм |
φ |
-0,02° |
-7,05° |
Q(R) |
- |
0,1268 |
Q(L) |
- |
0,1267 |
Конденсатор. Маркировка 68 nM W D8
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
75,5нФ |
87,1 нФ |
R |
9200 кОм |
187,3 МОм |
L |
33,5 Гн |
289,5 нГн |
Ζ |
21 кОм |
1832 МОм |
φ |
-89,87° |
-84,2° |
Q(R) |
435 |
9,8 |
Q(L) |
428 |
9,8 |
Частота |
0,025 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
500 |
1000 |
Z кОм |
84,1 |
42,1 |
21,06 |
10,5 |
4,2 |
2,1 |
1,06 |
0,424 |
0,213 |
0,107 |
0,043 |
0,022 |
0,011 |
0,004 |
0,002 |
-φ° |
89,9 |
89,9 |
89,8 |
89,8 |
89,8 |
89,78 |
89,7 |
89,62 |
89,53 |
89,42 |
89,03 |
88,7 |
88,12 |
86 |
84 |
Рисунок 1.1
Конденсатор. Маркировка 3Н6И
|
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
|
||||||||||||||||
|
100Гц |
1МГц |
|
|
||||||||||||||||
|
C |
3538 пФ |
3,48 нФ |
|
|
|||||||||||||||
|
R |
520 МОм |
3260 МОм |
|
|
|||||||||||||||
|
L |
716,5 Гн |
7275 нГн |
|
|
|||||||||||||||
|
Ζ |
450 кОм |
45,8 Ом |
|
|
|||||||||||||||
|
φ |
89,9° |
-85,95° |
|
|
|||||||||||||||
|
Q(R) |
650 |
14,1 |
|
|
|||||||||||||||
|
Q(L) |
570 |
14,1 |
|
|
|||||||||||||||
Частота |
0,025 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
500 |
1000 |
|||||
Z кОм |
1799 |
899,3 |
450,1 |
225,1 |
90,16 |
45,1 |
22,55 |
9,025 |
4,512 |
2,256 |
0,903 |
0,452 |
0,226 |
0,091 |
0,046 |
|||||
-φ° |
89,93 |
89,89 |
89,92 |
89,9 |
89,91 |
89,94 |
89,93 |
89,95 |
89,97 |
89,94 |
90,03 |
89,96 |
89,92 |
87,57 |
85,93 |
Рисунок 1.2
Конденсатор. Маркировка 10n.
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
9789 пФ |
8,9 нФ |
R |
12,3 МОм |
1631 мОм |
L |
278 Гн |
2843 нГн |
Ζ |
162 кОм |
17,9 Ом |
φ |
-89,3° |
-84,8° |
Q(R) |
82 |
10,9 |
Q(L) |
78 |
10,9 |
Катушка индуктивности. Маркировка SK 0835
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
66,8 мФ |
784 нФ |
R |
21,6 мОм |
395 Ом |
L |
38,4 мкГн |
32,3 мкГн |
Ζ |
32,4 мОм |
180 Ом |
φ |
48,1° |
62,0° |
Q(R) |
1,1 |
1,9 |
Q(L) |
1,1 |
1,9 |
Катушка индуктивности. Маркировка DH 6003V
Измеряемые значения |
Частоты, при которых проводились наблюдения |
|
100Гц |
1МГц |
|
C |
41 мФ |
17,87 пФ |
R |
13мОм-5кОм (нестабильное) |
109 кОм |
L |
61 мГн |
1420 мкГн |
Ζ |
39 Ом |
8900 Ом |
φ |
78,0° |
-85,3° |
Q(R) |
2-10 |
12 |
Q(L) |
2-16 |
12 |
Эквивалентные схемы исследованных элементов:
Для резистивных элементов (1,2,3,4,5)
Для ёмкостных элементов (6,7,8,9)
Для индуктивных элементов (10,11)
Вывод: в данной лабораторной работе нами был исследован ряд резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности. Заранее отмечу, что некоторые из показаний прибора Е7-20 слишком не правдоподобны и будут считаться ложными (например, индуктивность 99,9 кГн кажется мне подозрительно большой, видимо прибор не может установить реальное значение).
В ходе работы, мной были построены частотные зависимости полного сопротивления Z от частоты для 7-го и 8-го элементов (конденсаторы). Графики этих зависимостей изображены на рисунках 1.1 и 1.2, по ним видно, что с ростом частоты полное сопротивление Z линейно и достаточно быстро уменьшается с ростом частоты.
К сожалению, не получилось построить зависимость емкости сегнетокерамического конденсатора от постоянного напряжения смещения из-за технических ограничений.
Рассматриваемые элементы недостаточно хороши для работы при очень высоких частотах. Максимальная частота, на которой мы проводили измерения- 1МГц, что не так и много для современной аппаратуры. Лучше всего на ВЧ показали себя следующие элементы:
Резистор №1 и №3, их значения сопротивления не сильно изменились, ёмкость снизилась, индуктивность повела себя странно, возможно прибор дал сбой. Спиральный резистор для ВЧ не пригоден.
Все протестированные конденсаторы можно, с натяжкой, использовать на ВЧ, хоть и их номинальная емкость немного изменяется. Другие параметры так же не стабильны.
Катушка №10 существенно потеряла в своей индуктивности на частоте 1МГц, что делает ее не пригодной для работы на таких частотах. Катушка №11 повела себя очень странно, ее так же лучше не использовать.