Otchyot_po_4-oy_lab-oy_rabote

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Озерский технологический институт – филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (ОТИ НИЯУ МИФИ)

Кафедра «Электроника и Автоматика»

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №4

по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Выполнил: студент группы 1ИВТ-29Д			М.И. Баранин
		(подпись)
Проверила: зав. кафедрой ЭиА			Е.Г. Изарова
		(подпись)

2021

Исследование характеристик стабилитрона

Цель работы: исследование характеристик полупроводникового стабилитрона.

Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М3.

Схема лабораторного стенда:

Ход работы:

Задание 1 (Исследование ВАХ стабилитрона):

4.1.2: (см. на следующей странице)

Рисунок 1 - ВАХ стабилитрона (-10...4B)

4.1.3: U_ст = -6.82 В, при I_СТ = -5.00 мА;

4.1.4: Координаты 2 точек:

I1 = -2.00 мА, U1 = -6.8 B;

I2 = -8.02 мA, U2 = -6.85 B;

4.1.5: Дифференциальное сопротивление r = 8,3 Ом;

Вывод: Стабилитрон характеризуется малым дифференциальным сопротивлением на рабочем участке ВАХ.

Задание 2 (Исследование работы параметрического стабилизатора напряжения):

4.2.2:

Рисунок 2 - ВАХ при параллельном подключении стабилитрона и нагрузки (U = -10...4B, Rн = 3кОм)

4.2.3: U_вх = -8.00 B, I = -3.98 мА, U_вых = -6.8 B;

4 .2.4: U_вх = -9.00 B, I = -7.22 мА, U_вых = -6.83 B;

4.2.5: K_U = (∆U_вх/U_вх)/(∆U_вых/U_вых) = 25.29;

K_U = (U_вых * R_б) / (U_вх * r_д) = 20.57; При R_Б = 200 Ом

Вывод: Коэффициент стабилизации стабилитрона определяет то, насколько близок будет стабилитрон к идеальному элементу. Чем выше коэффициент, тем ближе к характеристикам идеального стабилитрона.