Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

LR1_Micros_Nikiforov

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
18.01.2022
Размер:
678.85 Кб
Скачать

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)

Лабораторная работа № 1 По дисциплине «микросхемотехника»

ИСТОЧНИКИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Вариант 13(3)

Студенты гр. 368-1

__________ В. Никифоров

Научный руководитель:

_______________ И.С. Мусоров

Томск 2020

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

Параметры транзисторов:

 

100

 

U

БЭ

0.7В

 

 

 

 

U

КЭ _ нас

0.2В

 

 

U

К &Б

 

0.7В

 

 

 

1. Источник тока на одном транзисторе

1.1 Исходные данные

Задано:

I

 

1.5 10

3

А

Н

 

 

 

 

 

E

15 В

 

 

 

K

 

 

 

Рисунок 1.1 – Схема источника тока

1.2 Расчет сопротивлений Напряжение базы:

U

Б

U

R 2

 

 

E 15 5В 3 3

Напряжение эмиттера:

U

Э

U

Б

U

БЭ

5 0.7 4.3 В

Сопротивление эмиттера:

IЭ IН

1.5 10 3 А

 

 

R

UЭ

 

 

4.3

 

2.867 103 Ом 2.9 кОм

 

 

 

 

Э

IЭ

 

1.5 10 3

 

 

 

 

 

 

Ток делителя напряжений R1 R2:

 

 

I

Э

 

 

1.5 10 3

IR1R2

 

 

 

 

 

1.5 10 5 А 15 мкА

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

Общее сопротивление делителя:

R1 R2

E

 

 

 

15

 

10

6

Ом

1МОм

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

15 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1R 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сопротивление резисторов делителя:

U

 

E

 

 

R2

 

 

5 В

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

Б

 

 

R2

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

К

 

 

R1 R2

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 666.6 10

3

Ом

R2 333.3 10

3

Ом

 

 

 

 

Номинальное сопротивление:

 

 

 

 

R

 

 

EК UЭ U

КЭ _ нас

 

15 4.3 0.2

7

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

10 Ом

Н

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

1.5 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.3 Моделирование зависимости

Рисунок 1.2 – Модель схемы

Таблица 1.1 – Данные моделирования

RН, Ом

IR1R2, A

IН, A

 

 

 

0

17.85∙10-6

830.9∙10-6

1∙103

17.86∙10-6

827.9∙10-6

3∙103

17.89∙10-6

821.8∙10-6

5∙103

17.92∙10-6

815.7∙10-6

7∙103

17.94∙10-6

809.6∙10-6

8∙103

17.95∙10-6

806.6∙10-6

9∙103

17.97∙10-6

803.5∙10-6

10∙103

18.00∙10-6

800.5∙10-6

15∙103

18.00∙10-6

785.1∙10-6

20∙103

18.60∙10-6

648.3∙10-6

35∙103

19.80∙10-6

392.6∙10-6

50∙103

20.2∙10-6

281.5∙10-6

IН, A

8.35E-04

8.30E-04

8.25E-04

8.20E-04

8.15E-04

8.10E-04

8.05E-04

8.00E-04

0

2000

4000

6000

8000

10000

RН, Ом

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1.3 – Нагрузочная прямая

IН, A

9.00E-04

8.10E-04 8.00E-04

7.00E-04

6.00E-04

5.00E-04

4.00E-04

3.00E-04

2.00E-04

1.00E-04

0.00E+00

0

10000

20000

30000

40000

50000

60000

RН, Ом

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1.4 – Нагрузочная характеристика при RН >> RН max

1.4 Краткий анализ

При изменении сопротивления нагрузки от 0 до 9 кОм, ток линейно убывает в пределах 0.03 мА. При сопротивлении много большем чем максимальное рассчитанное прямая срывается вниз (Рис. 1.4) и изменяется уже по обратному экспоненциальному закону. Это происходит потому, что транзистор ограничивает ток согласно своему коэффициенту передачи

I

Э

 

I

Б

 

, поэтому пока

 

EK

IН

IЭ IБ , ток через номинальное

RН

RЭ

 

 

 

сопротивление будет ограничен транзистором, но когда сопротивление

нагрузки начинает ограничивать ток больший чем транзистор

 

E

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

Э

то зависимость тока через нагрузку будет гиперболической

 

E

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

 

Э

 

Если выражать это математически, то получится:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

I

 

(R )

 

 

*

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

*

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

I

Б

 

 

 

K

Б

 

 

 

K

 

Б

 

K

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

R

R

 

 

 

R

 

 

R

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

Э

 

 

 

 

 

Н

 

Э

 

 

 

Н

 

Э

 

 

 

 

где θ – это единичная функция Хевисайда.

I

Н

 

I

Н

 

.

I

Э

 

,

2. Интегральный источник тока (токовое зеркало)

2.1 Исходные данные

Задано:

I

 

 

10

3

А

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

3 10

3

A

Н

 

 

 

 

 

 

 

E

K

12 В

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 2.1 – Токовое зеркало

2.2 Расчет сопротивлений Сопротивление входящей цепи:

R

E

K

U

БЭ

 

12 0.7

11.3 10

3

Ом

 

 

I

 

 

10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сопротивление выходящей цепи:

R

 

EК U

КЭ _ нас

 

12 0.2

3.9 10

3

 

 

 

 

3

Ом

Н

 

I

 

 

 

3 10

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.3 Моделирование зависимости

Рисунок 2.2 – Модель схемы

Таблица 2.1 – Данные моделирования

RН, Ом

I0, A

IН, A

 

 

 

0

1.002∙10-3

1.108∙10-3

1∙103

1.002∙10-3

1.095∙10-3

2∙103

1.002∙10-3

1.083∙10-3

3∙103

1.002∙10-3

1.070∙10-3

3.9∙103

1.002∙10-3

1.060∙10-3

IН, A

1.11E-03

1.09E-03

1.07E-03

1.05E-03

1.03E-03

1.01E-03

9.90E-04

9.70E-04

9.50E-04

0

1000

2000

3000

4000

5000

RН, Ом

 

 

 

 

 

 

Рисунок 2.3 – Нагрузочная прямая

2.4 Краткий анализ

При изменении сопротивления нагрузки от 0 до 3.9 кОм, ток линейно изменяется в пределах всего 0.06 мА в меньшую сторону.

3. Интегральный источник тока (токовое зеркало Уилсона)

3.1 Исходные данные

Задано:

I

 

 

10

3

А

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

3 10

3

A

Н

 

 

 

 

 

 

 

E

K

12 В

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 3.1 – Токовое зеркало Уилсона

3.2 Расчет сопротивлений

R1

E

К

2U

К &Б

 

12 2 0.7

10.6 10

3

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

10

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

E

К

U

КЭ _ нас

U

К &Б

3.7 10

3

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.3 Моделирование зависимости

Рисунок 3.2 – Модель схемы

Таблица 3.1 – Данные моделирования

RН, Ом

I0, A

IН, A

 

 

 

0

1.005∙10-3

1.000∙10-3

1∙103

1.005∙10-3

1.000∙10-3

2∙103

1.005∙10-3

0.999∙10-3

3∙103

1.005∙10-3

0.999∙10-3

3.7∙103

1.005∙10-3

0.999∙10-3

IН, A

1.11E-03

1.09E-03

1.07E-03

1.05E-03

1.03E-03

1.01E-03

9.90E-04

9.70E-04

9.50E-04

0

1000

2000

3000

4000

RН, Ом

 

 

 

 

 

Рисунок 3.3 – Нагрузочная прямая

3.4 Краткий анализ

При изменении сопротивления нагрузки от 0 до 3.7 кОм, ток линейно изменяется в пределах < 0.01 мА, что намного меньше чем в схеме 2 простого токового зеркала.

Соседние файлы в предмете Микросхемотехника