- •Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
- •Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
- •Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
- •Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
- •Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
- •Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
- •Основные технические характеристики прибора и их необходимые значения
- •Основные технические характеристики прибора и их необходимые значения
- •Структорно-функциональная схема прибора и её описание
- •Основные характеристики узлов прибора и их требуемые значения
- •Основные характеристики узлов прибора и их требуемые значения
- •Основные характеристики узлов прибора и их требуемые значения
- •Подбор элементной базы для узлов прибора
- •Подбор элементной базы для узлов прибора
- •Список источников
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
им. В.И. Ульянова (Ленина)»
Аппарат для терапии модулированными- синусоидальными токами
Студент: Исаков А.О. Группа: 7501
Преподаватель: Машевский Г. А.
Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
Главным лечебным фактором является переменный синусоидальный модулированный по амплитуде низкими частотами. В результате модуляции, заключающейся в периодическом увеличении и уменьшении амплитуды колебаний тока, образуются как бы отдельные серии колебаний тока, похожие на биения, возникающие в тканях при интерференции двух токов.
Рисунок 1 – Процедура амплипульстерапии
Параметры воздействия:
•Плотность тока – не более 0,1 мА/см2
•Амплитуда СМТ – до 100 мА, U < 100 В
•Несущая частота 2-5кГц
•Модулирующая частота от 10 до 150 Гц
2
Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
Путь тока:
протоки потовых и сальных желез → фолликулы волоса → межклеточные пространства → кровеносные и лимфатические сосуды
Рисунок 2 – Путь тока при амплипульстерапии |
3 |
Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
Рисунок 3 – Графическое изображение синусоидальных |
|
модулированных токов, генерируемых аппаратами типа |
|
«Амплипусльс» |
4 |
Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
Показания для проведения амплипульстерапии В медицине:
•заболевания дыхательной системы: пневмония, плеврит, бронхит, бронхиальная астма;
•заболевания желудочно-кишечного тракта: язвы в спокойной фазе, гастриты;
•болезни периферической нервной системы, которые сопровождаются болями (нейромиозиты, невралгия, цервикалгия, радикулит и другие);
•заболевания нервной системы с двигательными нарушениями (напр., паралич конечностей);
5
Обоснование физического принципа физиологического механизма работы прибора
Противопоказано воздействие модульными токами людям с тяжелыми нарушениями работы сердечно-сосудистой системы и кровообращения, при склонности к кровотечениям или к образованию тромбов.
Не применяется физиолечение на острой стадии воспалительных заболеваний с высокой температурой, при гнойном поражении кожи, в первые дни после переломов, разрывов мышц или других травм.
Не назначают лечение переменными токами при беременности, нарушении сердечного ритма, онкологических заболеваниях, при6
Основные технические характеристики прибора и их необходимые значения
7
Основные технические характеристики прибора и их необходимые значения
Рисунок 4 – «Амплипульс 7» |
Рисунок 5 – «Амплипульс» 8 |
Рисунок 6 – «Амплипульс 5» |
Рисунок 7 – «Амплипульс 6» |
8 |
Структорно-функциональная схема прибора и её описание
9
Основные характеристики узлов прибора и их требуемые значения
•Блок питания на вход от сети получает 220В, 50 Гц и преобразует в нужное для работы прибора напряжение 12В.
•Микроконтроллер – управляет генерацией напряжения синусоидальной формы (5 кГц) и модулирует его напряжением с частотой от 10Гц до 150Гц и глубиной модуляции от 0 % до 100.
10