Скачиваний:
4
Добавлен:
28.04.2022
Размер:
291.66 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра РТЭ

отчет

по лабораторной работе №4

по дисциплине «Функциональные узлы и устройства микроэлектроники»

Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ГИРАТОРА НА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЯХ

Студенты гр. 8201

Семирякова А.А.

Бойко Д.В.

Максимович Л.А.

Преподаватель

Тупицын А.Д.

Санкт-Петербург

2021

Цель работы: исследование гиратора, который реализуется с помощью двух интегральных преобразователей отрицательного сопротивления, определение его параметров и характеристик, ознакомление с областями применения.

Описание исследуемого гиратора

Рис. 1 – Схема исследуемого гиратора

Гиратор собран на операционных усилителях К140УД9, к входам которых подключены сопротивления 4,7 кОм, набор конденсаторов с переключателем К1 и набор сопротивлений с переключателем К2. Выходы ОУ подсоединены к «нулевым» точкам входов ОУ, что обеспечивает глубокую отрицательную обратную связь для обеспечения устойчивой работы гиратора. Дополнительная коррекция частотной характеристики ОУ создается с помощью конденсаторов, подключенных к выводам 8 и 11. Для развязки по цепям питания служат блокировочные конденсаторы.

Изменяя переключателем К1 значение емкости конденсатора в плече гиратора, можно получить необходимую эквивалентную индуктивность. При изменении переключателем К2 сопротивления R5 изменяется не только резонансная частота, но и добротность контура с гиратором.

Обработка результатов

  1. Определим вносимую гиратором индуктивность и резонансную частоту. Пример расчета для C=0,2 мкФ, R=2кОм:

Таблица 1 Индуктивность и резонансная частота

C,мкФ

0,1

0,1

0,1

0,2

0,2

0,2

0,05

0,05

0,05

R,кОм

4,7

10

2

4,7

10

2

4,7

10

2

L, Гн

2,21

4,70

0,94

4,42

9,40

1,88

1,10

2,35

0,47

f0,Гц

678

465

1039

479

328

734

958

657

1469

  1. Измерим зависимость выходного напряжения от частоты в пределах 40 – 20000 Гц (Uвх=1,5 В) (C= 0,1 мкФ, R=4,7 кОм, K3 – в положении «индуктивность» ,R1=20 кОм):

Таблица 2 Зависимость выходного напряжения от частоты

f, Гц

0

40

100

150

300

Uвых, В

0

0,03264

0,103418

0,155739

0,306048

f, Гц

600

800

1000

1500

2000

Uвых, В

0,580142

0,732575

0,862396

1,092

1,257

f, Гц

3000

5000

7000

9000

11000

Uвых, В

1,365

1,454

1,482

1,494

1,496

f, Гц

13000

15000

17000

19000

20000

Uвых, В

1,499

1,499

1,496

1,491

1,491

Рис. 2 Амплитудно-частотная характеристика

Таблица 3 амплитудные характеристики на частоте 400 Гц:

Uвх, В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Uвых,В

0

0,254

0,533

0,803

1,069

1,341

1,603

1,886

2,134

2,391

2,662

Рис. 3 Амплитудная характеристика при f=400 Гц

  1. Построим резонансные кривые при различных уровнях входного сигнала (1; 5; 12 В) и R=4,7 кОм C=0,1 мкФ и для переключателя K3 в положение «Контур» (R2=120 кО):

Рис. 4 Резонансные кривые при входных сигналах 1, 5 и 12 В

По рисунку 5 резонансная частота равна fP=670Гц

  1. Повторим измерения для пункта 4 при R=4,7 кОм и ёмкости конденсатора, «коммутируемой» К1, равной 0,2мкФ:

Рис. 5 Резонансные кривые при входных сигналах 1, 5 и 12 В

По рисунку 5 резонансная частота равна fP=296Гц

  1. Повторим пункт 4 при R=4,7 кОм и ёмкости конденсатора, «коммутируемой» К1, равной 0,47 мкФ:

Рис. 6 Резонансные кривые при входных сигналах 1, 5 и 12 В

По рисунку 6 резонансная частота равна fP=458 Гц

  1. Повторим пункт 4 для C=0,1 мкФ и сопротивления, «коммутируемого» К2, равного 10кОм:

Рис. 7 Резонансные кривые при входных сигналах 1, 5 и 12 В

По рисунку 7 резонансная частота равна fP=448Гц

  1. Повторим пункт 4 для C=0,1 мкФ и сопротивления, «коммутируемого» К2, равного 2 кОм:

Рис. 8 Резонансные кривые при входных сигналах 1, 5 и 12 В

По рисунку 8 резонансная частота равна fP=1001 Гц

Выводы: в ходе лабораторной работы был исследован гиратор.

В п. 1 были рассчитаны теоретические значения вносимой гиратором индуктивности и резонансные частоты.

В п. 2-3 были построены амплитудно-частотная характеристика выходного напряжения (рис. 4), на которой можно видеть два участка – линейный участок и участок насыщения, и амплитудная характеристика (рис 5) на которой наблюдается линейный рост выходного напряжения.

В п.4-8 были построены резонансные кривые при различных “положений ключей”, на них видно, что с ростом емкости и сопротивления резонансная частота уменьшается, что совпадает с теоретическими расчетами.

Соседние файлы в предмете Функциональные узлы и устройства микроэлектроники