FOELAB7

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»

___________________________________________________

Отчет

Лабораторная работа №7

«Исследование статических характеристик и параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом»

Работу выполнял:

Фомин Павел Викторович

ИКТ-03

Преподаватель: Орлов С.А.

Цель работы:

1. Освоить методику экспериментального исследования статических характеристик полевых транзисторов.

2. Исследовать семейства управляющих и выходных характеристик транзистора с управляющим p-n-переходом (ПТУП), включенного по схеме ОИ.

3. Рассчитать значения малосигнальных параметров транзистора.

Схема установки:

E2 = Uси = Uси макс = 10 В

Измерения:

UЗИ В	-2,3	-2	-1,75	-1,5	-1,25	-1	-0,75	-0,5	-0,25	0
IС мА	0,01	0,19	0,6	1,19	1,9	2,7	3,58	4,57	5,49	6,5

I_cmax= 6,5 мА

UЗИ В	-0,25	-0,5	-0,75	-1	-1,25	-1,5	-1,75	-2	-2,23
IС мА	5,4	4,38	3,43	2,55	1,77	1,07	0,52	0,14	0,01

График

2. Исследование семейства выходных характеристик полевого транзистора

Измерения

UСИ, B	10	6	3	2	1,5	1	0,5	0,25	0,1	0
IС1, мА	6,68	6,5	6,2	5,7	5,1	4	2,3	1,2	0,5	0
IС21, мА	4,15	4,05	3,8	3,6	3,3	2,7	1,64	0,85	0,37	0
IС31, мА	2,4	2,3	2,1	2	1,9	1,66	1,1	0,6	0,26	0

График

3. Расчет малосигнальных параметров полевого транзистора

Вычисления

Ic = 0,5 Icmax = 0,5*6,5 = 3,25 мА

S= dIc/dU₃₄ = 2/0,5625 ≈ 3,55 мА/B

S ≥ 4 мА/B → Близко, но не сходится

r_{01 =} dU/dIc = 0,33/(2,5*10^(-3))= 132 Oм

r_{02 =} 250 Oм

r_{03 =} 369 Ом