Лабараторная работа №1 (3). Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов / Лабораторная работа №3, первая. Контрольные вопросы и вывод

Контрольные вопросы

1. Каковы физические основы изменения проводимости полупроводников под действием света?

Ответ: При фотопроводимости первичный является процесс поглощения фотонов. Если нет поглощения, то нет и фотопроводимости. Обратное утверждение неверно, так как не любое, а фотоактивное поглощение света вызывает изменение удельного сопротивления. При таком поглощение происходит увеличение концентрации свободных носителей заряда и возрастает удельная проводимость проводника.

2. Каков принцип увеличения фоточувствительности полупроводникового материала к воздействующему облучению?

Основной принцип повышени фоточувствительности материала заключается в увеличении времени жизни неравновесных носителей заряда. Для этого в материал вводятся примеси, создающие в запрещенной зоне уровни, называемыми «ловушками захвата»

Вывод

В ходе выполнения данной лабораторной работы были измерены значения сопротивлений материала, под воздействием электромагнитного излучения видимого спектра с разной характеристикой длины волны и энергии излучения, которые изменялись путем изменения ширины щели. Построены графики световой характеристики и спектральной зависимости удельной проводимости материала от световых характеристик и длины волны соответственно. По графику спектральной зависимости можно убедиться в совпадение теории с экспериментальными данными. Проводимость действительно резко возрастает при уменьшении длины волны от красной границы фотоэффекта, и уменьшается в обратном направлении.