новая папка / 4006276
.html4006276-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)
Patent Translate Powered by EPO and Google
French
German
Albanian
Bulgarian
Croatian
Czech
Danish
Dutch
Estonian
Finnish
Greek
Hungarian
Icelandic
Italian
Latvian
Lithuanian
Macedonian
Norwegian
Polish
Portuguese
Romanian
Serbian
Slovak
Slovene
Spanish
Swedish
Turkish
Chinese
Japanese
Korean
Russian
PDF (only translation) PDF (original and translation)
Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation
Very good
Good
Acceptable
Rather bad
Very bad
Your reason for this translation: Overall information
Patent search
Patent examination
FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ US4006276A[]
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ BACKGROUND OF THE INVENTION 1.
Область изобретения Field of the Invention Настоящее изобретение относится к методам распространения магнитных одностенных (пузырьковых) доменов и, более конкретно, к методам распространения с доступом к полю для материалов с пузырьковыми доменами с высокой намагниченностью. This invention relates to techniques for propagating magnetic single wall (bubble) domains and, more particularly, to field access propagation techniques for high magnetization bubble domain materials. 2.
Описание предшествующего уровня техники Description of the Prior Art Типичные используемые в настоящее время материалы магнитного редкоземельного граната обеспечивают пузырьковые домены, имеющие диаметр при схлопывании примерно 2-6 микрон. Typical presently used magnetic rare earth garnet materials provide bubble domains having diameter, at collapse, of about 2-6 microns. Для достижения большей эффективности использования пузырьковых доменов для хранения и передачи информации были разработаны материалы с пузырьковыми доменами, такие как аморфный GdCo и магнитные редкоземельные гранаты, которые могут поддерживать пузырьковые домены, имеющие относительно небольшой, даже субмикронный, диаметр коллапса. To achieve greater efficiency in the use of bubble domains to store and transfer information, bubble domain materials, such as amorphous GdCo and magnetic rare earth garnets, have been developed that can support bubble domains having a relatively small, even submicron, collapse diameter. Однако намагниченность таких материалов с пузырьковыми доменами высока (порядка нескольких тысяч эрстед) по сравнению с намагниченностью (около 200 эрстед) предыдущих материалов с пузырьковыми доменами граната. В результате магнитное поле, создаваемое пузырьковыми доменами, увеличивается и оказывает соответственно большее поляризующее воздействие на полюса элементов распространения, таких как Y-образные и Т-образные стержни. However, the magnetization of such bubble domain materials is high (on the order of several thousand oersteds) compared to the magnetization (about 200 oersteds) of previous garnet bubble domain materials. As a result, the magnetic field produced by the bubble domains is increased and exerts a correspondingly greater polarizing effect on the poles of propagation elements, such as Y-bars and T-bars. Для преодоления повышенной поляризации элементов распространения и перемещения пузырьковых доменов, образованных в материале с высокой намагниченностью, требуется сильное плоскостное управляющее поле. Высокие требования к управляющему полю делают конструкцию соответствующих приводных катушек и электроники чрезвычайно сложной. Таким образом, можно понять, что желательно иметь способ уменьшения поляризационного эффекта материалов с пузырьковыми доменами с высокой намагниченностью. A high, in-plane drive field is required to overcome the increased polarization of propagation elements and move the bubble domains formed in the high magnetization material. The high drive field requirement makes the design of the associated drive coils and electronics extremely difficult. It may thus be appreciated that it is desirable to have a technique for reducing the polarizing effect of high magnetization bubble domain materials. СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ SUMMARY OF THE INVENTION Шунт поля магнитного пузырькового домена содержит магнитный материал с высокой проницаемостью, который расположен между слоем материала магнитного пузырькового домена и структурированным слоем, контролирующим распространение. Шунт существенно уменьшает поляризующее действие пузырьковых доменов на слой распространения, тем самым уменьшая поле возбуждения, необходимое для распространения пузырьковых доменов. Шунт с пузырьковыми доменами особенно подходит для использования с материалами с пузырьковыми доменами с высокой намагниченностью, такими как аморфный GdCo, которые используются для получения относительно небольших пузырьковых доменов (пузырьковые домены, имеющие радиусы до субмикронного диапазона). A magnetic bubble domain field shunt comprises a highly permeable magnetic material that is interposed between a magnetic bubble domain material layer and a patterned, propagation-controlling layer. The shunt substantially reduces the polarizing effect of bubble domains on the propagation layer, thereby reducing the drive field necessary for bubble domain propagation. The bubble domain shunt is particularly suited for use with high magnetization bubble domain materials, such as amorphous GdCo, that are used to produce relatively small bubble domains (bubble domains having radii as small as the submicron range). КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ РИСУНКОВ BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS ИНЖИР. 1 представляет собой частичный вид в поперечном сечении композиционного материала с пузырьковыми доменами, известного в данной области техники, показывающий поляризацию элемента распространения магнитным полем пузырькового домена. FIG. 1 is a partial, cross-sectional view of a bubble domain composite known in the art showing the polarization of a propagation element by the magnetic field of a bubble domain. ИНЖИР. 2 представляет собой схематическое представление типичной дорожки распространения Т-образного стержня, которая используется в устройствах с пузырьковыми доменами. FIG. 2 is a schematic representation of a typical T-bar propagation track that is used in bubble domain devices. ИНЖИР. 3 представляет собой частичный вид в поперечном сечении композиционного материала с пузырьковыми доменами, который включает в себя полевой шунт в соответствии с настоящим изобретением. FIG. 3 is a partial, cross-sectional view of a bubble domain composite that includes a field shunt according to the present invention. ИНЖИР. 4 представляет собой вид в поперечном сечении расположения цилиндрического пузырькового домена в композиционном материале пузырькового домена и шунта, которое можно использовать для анализа шунта поля пузырькового домена по настоящему изобретению. FIG. 4 is a cross-sectional view of an arrangement of a cylindrical bubble domain in a bubble domain composite and a shunt, which arrangement may be used to analyze the bubble domain field shunt of the present invention. ИНЖИР. 5 представляет собой эквивалентную магнитную цепь для устройства, показанного на фиг. 4. FIG. 5 is the equivalent magnetic circuit for the arrangement shown in FIG. 4. ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ DETAILED DESCRIPTION В описании и на чертежах аналогичные компоненты имеют аналогичные ссылочные позиции. In the description and drawings, similar components bear similar reference numerals. Ссылаясь на фиг. 1 показано частичное поперечное сечение композита 10, который известен в технике и содержит слой 11 материала с пузырьковыми доменами, обычно из магнитного редкоземельного граната или аморфного металлического GdCo, который образует в нем пузырьковые домены 12. при наличии подмагничивающего поля HB. Композит 10 также содержит немагнитный защитный слой 13, обычно из электроизоляционного материала, такого как SiO2, который сформирован на слое 11 пузырьковых доменов. Узорчатый слой элементов распространения, включая элемент 14, расположен на защитном слое 13 и поддерживается им. Элемент 14 распространения, показанный на фиг. 1 представляет собой стержневой элемент, выполненный из высокопроницаемого материала, например пермаллоя. Конфигурация полосы элемента 14 является только иллюстративной, поскольку схемы распространения обычно содержат комбинации элементов, имеющих различные формы. Referring to FIG. 1, there is shown a partial, cross sectional view of a composite 10 that is known in the art and comprises a layer 11 of bubble domain material, typically a magnetic rare-earth garnet material or amorphous metallic GdCo, that forms bubble domains 12 therein in the presence of a bias field HB. The composite 10 also comprises a non magnetic protective layer 13, typically an electrically insulating material such as SiO2, which is formed on the bubble domain layer 11. A patterned layer of propagation elements, including element 14, is disposed on and supported by the protective layer 13. The propagation element 14 shown in FIG. 1 represents a bar-shaped element formed from highly permeable material such as permalloy. The bar configuration of element 14 is illustrative only, since propagation patterns typically comprise combinations of elements having various shapes. ИНЖИР. 2 показаны стержневые и Т-образные элементы 14 и 16 соответственно, которые объединены в Т-образную диаграмму распространения 17. Этот шаблон типичен для многих путей распространения и может использоваться в сочетании со структурами пузырьковых доменов, показанными на фиг. 1 и 3. FIG. 2, shows bar- and T-shaped elements 14 and 16, respectively, that are combined to form a T-bar propagation pattern 17. This pattern is typical of many propagation paths and may be used in conjunction with the bubble domain structures shown in FIGS. 1 and 3. Обращаясь снова к фиг. 1, при схлопывании радиус пузырькового домена 12 в тонком одноосном слое 11 материала пузырькового домена высотой h определяется как: ##EQU1##, где M представляет собой намагниченность насыщения материала пузырькового домена и ±сигма. W — энергия стенки. Как видно, радиус пузырьковой области 12 (при фиксированной энергии стенки) можно уменьшить, уменьшив высоту h и/или увеличив намагниченность насыщения M. Однако h должно быть фиксировано относительно rc, чтобы обеспечить максимальную стабильность пузырьковый домен 12. Следовательно, единственным практическим способом уменьшения rc является увеличение M. Другими словами, чтобы получить повышенную плотность хранения информации за счет уменьшения радиального размера пузырьковых доменов, необходимо увеличить намагниченность насыщения материала 11 пузырьковых доменов. Referring again to FIG. 1, at collapse, the radius of a bubble domain 12 in a thin uniaxial layer 11 of bubble domain material of height h is given by: ##EQU1## where M is the saturation magnetization of the bubble domain material and .sigma. W is the wall energy. As is apparent, the radius of the bubble domain 12 (assuming fixed wall energy) may be decreased by decreasing the height h and/or increasing the saturation magnetization M. However, h must be fixed relative to rc to provide the maximum stability for the bubble domain 12. Consequently, the only practical way to reduce rc is to increase M. In other words, in order to obtain increased information storage density by reducing the radial size of bubble domains, it is necessary to increase the saturation magnetization of the bubble domain material 11. Типичные предшествующие материалы с пузырьковыми доменами на основе магнитного граната поддерживают пузырьковые домены, имеющие диаметр примерно 2-6 микрон (далее называемые пузырьковыми доменами 2-6 микрон). Новые материалы с пузырьковыми доменами, такие как вышеупомянутый аморфный металлический материал GdCo, способны формировать пузырьковые домены с радиусом всего один микрон или немного меньше одного микрона (далее называемые субмикронными пузырьковыми доменами). Typical previous magnetic garnet bubble domain materials support bubble domains having diameters of about 2-6 microns (hereinafter termed 2-6 micron bubble domains). New bubble domain materials, such as the aforementioned amorphous metallic GdCo material, are capable of forming bubble domains that are as small as one micron, or slightly less than one micron, in radius (hereinafter termed submicron bubble domains). Однако намагниченность насыщения таких материалов с пузырьковыми доменами субмикронного размера относительно велика по сравнению с намагниченностью материалов с пузырьковыми доменами размером 2-6 микрон. Результат этой относительно большой намагниченности схематично показан на фиг. 1. Если предположить, что поле смещения HB приложено к слою 11 пузырьковых доменов для формирования пузырькового домена(ов) 12, а вращающееся поле HR затем приложено в плоскости слоя пузырьковых доменов, поле потока пузырьковых доменов поляризуется элементы распространения, такие как стержневой элемент 14. В иллюстративной ситуации, показанной на фиг. 1, поляризующий эффект поля пузырькового домена имеет тенденцию индуцировать полярность полюса 18 элемента 14, противоположную полярности ближайшего полюса 19 пузырькового домена 12. Из-за большой намагниченности насыщения субмикронных пузырьковых доменов по сравнению с 2-6-микронными пузырьками субмикронные пузырьки более эффективны в намагничивании элементов распространения, таких как элемент 14. В результате приводное магнитное поле HR, которое требуется для преодоления полюса 18 и перемещения субмикронного пузырькового домена 12, значительно превышает приводное поле (около 30 эрстед), которое требуется для перемещения пузырьков размером 2-6 микрон. However, the saturation magnetization of such submicron bubble domain materials is relatively great compared to that of 2-6 micron bubble domain materials. The result of this relatively large magnetization is illustrated schematically in FIG. 1. Assuming a bias field, HB, is applied to the bubble domain layer 11 to form bubble domain(s) 12 and a rotating field, HR, is then applied in the plane of the bubble domain layer, the flux field of the bubble domains polarizes propagation elements such as the bar-shaped element 14. In the illustrative situation shown in FIG. 1, the polarizing effect of the bubble domain field tends to induce a polarity in pole 18 of the element 14 that is opposite to the polarity of nearest pole 19 of the bubble domain 12. Because of the large saturation magnetization of submicron bubble domains relative to 2-6 micron bubbles, the submicron bubbles are more effective in magnetizing propagation elements such as element 14. As a result, the magnetic drive field HR that is required to overcome the pole 18 and move a submicron bubble domain 12 is increased considerably above the drive field (about 30 oersteds) that is required to move 2-6 micron bubbles. В настоящее время для пузырей размером 2-6 микрон требуется 4.pi. Значения M составляют около 150-250 э, в то время как субмикронные пузырьки обычно требуют значений примерно в 10 раз больше, а именно 1000-2000 э. Поскольку поле, создаваемое пузырьковым доменом, само по себе имеет порядок 4.pi. M, субмикронный пузырек будет примерно в 10 раз эффективнее 2-6-микронного пузырька в поляризации элементов схемы распространения доступа к полю. К сожалению, увеличение расстояния между слоем 11 пузырьковых доменов и элементами схем распространения, таких как Т-образная диаграмма 17 (фиг. 2), например, за счет увеличения толщины слоя 13, имеет ограниченную полезность для уменьшения поляризации. элементов. То есть с увеличением разделения дискретный характер (разнесенные противоположные полюса) структуры пермаллоя, видимой пузырьковыми доменами 12, уменьшается, и приводное поле становится все менее эффективным в распространении пузырьковых доменов. Таким образом, нормальный подход заключается в преодолении поляризации элементов распространения за счет увеличения возбуждающего поля. Currently, 2-6 micron bubbles require 4.pi. M values of about 150-250 oersteds, while submicron bubbles typically require values that are about 10 times larger, namely 1000-2000 oersteds. Because the field produced by a bubble domain is itself of the order of 4.pi. M, a submicron bubble will then be approximately 10 times as effective as a 2-6 micron bubble in polarizing the elements of a field access propagation pattern. Unfortunately, increasing the separation between the bubble domain layer 11 and the elements of propagation patterns such as the T-bar pattern 17 (FIG. 2), for example, by increasing the thickness of layer 13, is of limited usefulness in decreasing the polarization of the elements. That is, with increasing separation, the discrete nature (spaced opposite poles) of the permalloy pattern as seen by the bubble domains 12 is reduced and the drive field is decreasingly effective in propagating the bubble domains. Thus, the normal approach is to overcome the polarization of the propagation elements by increasing the drive field. Однако этот подход требует увеличения ведущего поля, сравнимого с 4.pi. M (несколько тысяч э для субмикронных материалов с пузырьковыми доменами) материала с пузырьковыми доменами. Такое увеличение чрезвычайно усложняет конструкцию приводных катушек и связанной с ними электроники. However, this approach requires an increase in the drive field that is comparable to the 4.pi. M (several thousand oersteds for submicron bubble domain materials) of the bubble domain material. Such an increase makes the design of drive coils and associated electronics extremely difficult. Обращаясь теперь к фиг. 3, в соответствии с настоящим изобретением эффективность субмикронных пузырьковых доменов 12 в поляризующих элементах распространения магнитного поля, таких как элемент 14, снижается, а резкое увеличение поля возбуждения HR становится ненужным за счет введения шунта 21 из высоко магнитопроницаемого материала. материала, такого как пермаллой, между материалом 11 пузырьковой области и элементами распространения. Шунт 21 обеспечивает благоприятный путь для магнитного поля пузырьковых доменов 12 и уменьшает поле рассеяния пузырьков до доли исходного 4.pi. значение М. По сути, шунт 21 существенно закорачивает поток от пузырьковых доменов 12 и уменьшает его воздействие на элементы пути распространения. Referring now to FIG. 3, in accordance with the present invention, the effectiveness of submicron bubble domains 12 in polarizing magnetic propagation elements, such as element 14, is decreased, and drastic increases in the drive field HR are made unnecessary by interposing a shunt 21 of highly magnetically permeable material, such as permalloy, between the bubble domain material 11 and the propagation elements. The shunt 21 provides a favorable path for the magnetic field of the bubble domains 12 and reduces the stray field of the bubbles to a fraction of the initial 4.pi. M value. In effect, the shunt 21 substantially shorts out the flux from the bubble domains 12 and reduces the impact thereof on the propagation path elements. Обращаясь далее к фиг. 3, шунт 21 поля пузырькового домена может быть сформирован с использованием различных методов, которые хорошо известны в данной области техники. Например, шунт 21 может быть напылен на слой 11 пузырьковых доменов. Затем защитный слой 13 и диаграмма распространения 17 могут быть сформированы на шунте 21 с использованием осаждения из паровой фазы и фотолитографии или других подходящих методов. Referring further to FIG. 3, the bubble domain field shunt 21 may be formed using various techniques that are well known in the art. For example, the shunt 21 may be sputtered onto the bubble domain layer 11. Then, the protective layer 13 and the propagation pattern 17 may be formed on the shunt 21 using vapor deposition and photolithography or other suitable techniques. Шунт 21 необязательно размещать непосредственно на слое 11 пузырьковых доменов, как показано на фиг. 3. Например, нижний изолирующий слой может быть выращен непосредственно на слое пузырькового домена, а затем между нижним изолирующим слоем и верхним изолирующим слоем, поддерживающим элементы распространения, может быть помещен шунт. То есть между слоями 11 и 21 композитной структуры 10, показанной на фиг. 2, может быть вставлен еще один слой изоляционного материала, обозначенный пунктирной линией 22. 3. The shunt 21 need not be placed directly on the bubble domain layer 11 as shown in FIG. 3. For example, a lower, insulative layer could be grown directly on a bubble domain layer and a shunt could then be interposed between the lower, insulative layer and an upper, insulative layer that supports propagation elements. That is, another layer of insulating material represented by dashed line 22 can be inserted between layers 11 and 21 of the composite structure 10 shown in FIG. 3. Материал, отличный от пермаллоя, может использоваться для шунта поля пузырькового домена. Например, может быть желательно включить шунт поля пузырькового домена в слой пузырькового домена путем изменения состава тонкой области вблизи верхней поверхности слоя. Это особенно верно в случае материалов с пузырьковыми доменами, таких как GdCo, и в этом случае шунт 21 может быть областью Co, сформированной вблизи верхней поверхности слоя 11 с пузырьковыми доменами как часть изготовления слоя материала с пузырьковыми доменами. Material other than permalloy may be used for the bubble domain field shunt. For example, it may be desirable to incorporate the bubble domain field shunt into the bubble domain layer by changing the composition of a thin region near the upper surface of the layer. This is particularly true in the case of bubble domain materials such as GdCo, in which case the shunt 21 can be a region of Co formed near the upper surface of the bubble domain layer 11 as part of the fabrication of the bubble domain material layer. Как правило, шунтирующий путь довольно тонкий. Однако требования к шунту 21 пузырьковой области могут быть определены путем рассмотрения модели 23, показанной на фиг. 4, магнитного пузырькового домена 12, покрытого защитным слоем 13, поддерживающим магнитный шунтирующий слой 21. Typically, the shunt path is quite thin. However, the requirements for the bubble domain shunt 21 may be determined by considering a model 23, shown in FIG. 4, of the magnetic bubble domain 12 covered by the protective layer 13 that supports the magnetic shunt layer 21. По существу, есть два пути для магнитного потока от цилиндрического пузырька 12, по которому он возвращается к доменному слою пузырька 11. Один путь - через высокопроницаемый шунт 21; другой путь лежит через окружающий воздух. Эквивалентная магнитная цепь 24 для модельного устройства 23 пузырьковых доменов показана на фиг. 5. Предполагая, что сопротивление RI защитного слоя 13 приблизительно равно нулю, а сопротивление воздушного и шунтирующего путей соответственно равно RA и RS, общее сопротивление RT комбинированных шунтирующих и воздушных путей будет приблизительно # #EQU2## Essentially, there are two paths for the magnetic flux from the cylindrical bubble 12 to take in returning to the bubble domain layer 11. One path is through the highly permeable shunt 21; the other path is through the surrounding air. An equivalent magnetic circuit 24 for the model bubble domain arrangement 23 is shown in FIG. 5. Assuming that the reluctance, RI, of the protective layer 13 is approximately zero and that the reluctance of the air and shunt paths, respectively, is RA and RS, the total reluctance, RT, of the combined shunt and air paths will be approximately ##EQU2## Затем объединенный поток определяется как .phi. Т = FT/R Т, The combined flux is then given by.phi. T = FT /R T, где FT — полная магнитодвижущая сила эквивалентного магнитопровода 24. Комбинированный поток .phi. T также может быть представлен как ##EQU3##, где .phi. A — поток в воздушном тракте, а .phi. S — поток в шунтирующем тракте. where FT is the total magnetomotive force of the equivalent magnetic circuit 24. The combined flux .phi. T may also be represented as ##EQU3## where .phi. A is the flux in the air path, and .phi. S is the flux in the shunt path. Если RA > > RS, то .phi. S > > .phi. А и практически весь поток следует по пути, обеспечиваемому шунтом. Таким образом, поскольку RS пропорционален проницаемости и толщине шунта 21, материал шунта и/или его толщина могут варьироваться для управления RS относительно RA и, таким образом, для управления магнитным полем пузырькового домена 12 и поляризация элементов магнитного распространения доменным полем пузырька. Для субмикронных пузырьковых доменов шунт 21 из пермаллоя толщиной примерно 500-1000 Å направляет практически весь поток пузырькового домена внутрь шунта. Таким образом, шунт 21 предотвращает существенное увеличение управляющего поля, которое в противном случае было бы необходимо для субмикронных пузырьковых доменов. Это достигается без отрицательного влияния на подвижность пузырьковых доменов. If RA > > RS, then .phi. S > > .phi. A and substantially all the flux follows the path provided by the shunt. Thus, since RS is proportional to the permeability and the thickness of the shunt 21, the shunt material and/or the thickness thereof may be varied to control RS relative to RA, and thereby to control the magnetic field of the bubble domain 12 and the polarization of the magnetic propagation elements by the bubble domain field. For submicron bubble domains, a permalloy shunt 21 of thickness of about 500-1000 A forces substantially all the bubble domain flux within the shunt. Thus, the shunt 21 precludes substantial increases in the drive field that would otherwise be necessary for submicron bubble domains. This is accomplished without adversely affecting the mobility of the bubble domains. Таким образом, были описаны шунт поля пузырькового домена и композитный материал пузырькового домена, включающий шунт, которые позволяют использовать материал с высокой намагниченностью, пригодный для формирования небольших, даже субмикронных, пузырьковых доменов без резкого увеличения полей возбуждения пузырькового домена. Были описаны предпочтительный состав, толщина, расположение и другие параметры шунта поля пузырькового домена. Однако объем изобретения ограничен только прилагаемой формулой изобретения и ее эквивалентами. Thus, there has been described a bubble domain field shunt and a bubble domain composite incorporating the shunt that permit the use of high magnetization material suitable for forming small, even submicron, bubble domains without drastic increases in the bubble domain drive fields. Preferred composition, thickness, arrangements and other parameters for the bubble domain field shunt have been described. The scope of the invention is limited, however, only by the claims appended hereto and equivalents thereof.
Please, introduce the following text in the box below Correction Editorclose Original text: English Translation: Russian
Select words from original text Provide better translation for these words
Correct the proposed translation (optional) SubmitCancel