новая папка / 4006278

4006278-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)

Patent Translate Powered by EPO and Google

French

German

  Albanian

Bulgarian

Croatian

Czech

Danish

Dutch

Estonian

Finnish

Greek

Hungarian

Icelandic

Italian

Latvian

Lithuanian

Macedonian

Norwegian

Polish

Portuguese

Romanian

Serbian

Slovak

Slovene

Spanish

Swedish

Turkish

  Chinese

Japanese

Korean

Russian

      PDF (only translation) PDF (original and translation)

Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation

Very good

Good

Acceptable

Rather bad

Very bad

Your reason for this translation: Overall information

Patent search

Patent examination

FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ US4006278A[]

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ BACKGROUND OF THE INVENTION Настоящее изобретение относится к управлению температурным коэффициентом удельного сопротивления (ТКС) в резисторах. Более конкретно, оно относится к использованию оксида ванадия в резисторах керметного типа для регулирования TCR, при этом явное преимущество реализуется при использовании определенной стеклянной фритты в сочетании с диоксидами рутения и иридия. This invention relates to controlling the temperature coefficient of resistivity (TCR) in resistors. More particularly, it relates to the utilization of vanadium oxide in cermet type resistors to control TCR wherein a distinct advantage is realized in employing a particular glass frit in conjunction with ruthenium and iridium dioxides. Механизмы, которые контролируют или изменяют термостабильность металлокерамических резисторов, до конца не изучены. Было замечено, что различные полупроводниковые оксиды влияют на температурную характеристику удельного сопротивления металлокерамических резисторов, делая их более термически стабильными. До этого изобретения только резисторы, описанные в электронной промышленности как тонкопленочные резисторы, имели низкие TCR. В патенте США. №№ 2 950 995; Оксид ванадия 2,950,996 и 3,516,949 используется в сочетании с металлизирующими композициями благородных металлов в относительно небольших количествах для предотвращения агломерации металлических частиц и для улучшения паяемости, проводимости и/или адгезионных свойств металлизирующих материалов. Такое же указание на улучшение паяемости этих композиций за счет добавления пятиокиси ванадия также указано в патенте США No. № 3440182. The mechanisms which control or alter the thermostability of cermet resistors is not completely understood. It has been observed that various semiconducting oxides exert an influence on the temperature response of resistivity of cermet resistors so as to make them more thermally stable. Prior to this invention, only resistors described in the electronics industry as thin film resistors have displayed low TCRs. In U.S. Pat. Nos. 2,950,995; 2,950,996 and 3,516,949 vanadium oxide is used in conjunction with noble metal metallizing compositions in relatively small amounts to prevent agglomeration of the metal particles and to improve the solderability, conductivity and/or adhesion properties of the metallizing materials. The same indication of improvement in solderability for these compositions by adding vanadium pentoxide is also indicated in U.S. Pat. No. 3,440,182. В патенте США. Пентоксид ванадия № 3553109 используется для контроля TCR в составе резистора типа рутената висмута, в котором используется связующее стеклофритты, состоящее из 80% оксида свинца, 10% оксида кремния и 10% оксида бора. Стекло было приготовлено в соответствии с идеями этого конкретного патента и объединено с проводящей фазой, используемой для изготовления резисторов по настоящему изобретению, состоящих из диоксида рутения, пятиокиси ванадия и триоксида алюминия, как указано в Примере 11. Его поверхностное сопротивление составляло 5,49 кОм/кв./мил. и TCR +170. ±. 10 ppm/°C при измерении между +25 и -55°C и +270°С. ±. 10 ppm/oC при измерении между +25 и +150oC. Эти результаты ясно показывают, что низкий TCR не может быть получен с диоксидом рутения и пятиокисью ванадия, которые являются предпочтительными материалами данного изобретения, при использовании со стеклом, описанным в данном конкретном случае. патент. Была также предпринята попытка изготовить материал резистора с низким TCR с использованием покупного стекла, содержащего 11 % оксида кальция, 44,1 % оксида свинца, 4,0 % триоксида алюминия, 5,5 % триоксида бора и 35,4 % диоксида кремния. In U.S. Pat. No. 3,553,109 vanadium pentoxide is utilized to control TCR in a resistor composition of the bismuth ruthenate type which utilizes a glass frit binder consisting of 80% lead oxide, 10% silicon oxide and 10% boron oxide. A glass was prepared from the teachings of this particular patent and combined with a conductive phase used to fabricate the resistors of this invention composed of ruthenium dioxide, vanadium pentoxide, and aluminum trioxide as set forth in Example 11. It had a sheet resistivity of 5.49K ohm/sq./mil. and a TCR of +170 . ±. 10 ppm/ DEG C when measured between +25 and -55 DEG C and a +270 . ±. 10 ppm/ DEG C when measured between +25 and +150 DEG C. These results clearly indicate that a low TCR cannot be obtained with ruthenium dioxide and vanadium pentoxide which are the preferred materials of this invention when utilized with the glass described in this particular patent. An attempt was also made to prepare a low TCR resistor material utilizing a purchased glass containing 11% calcium oxide, 44.1% lead oxide, 4.0% aluminum trioxide, 5.5% boron trioxide and 35.4% silicon dioxide. Этот стеклянный материал был объединен с проводящим материалом, состоящим из диоксида рутения в количестве 5,34 мас.%, полученного из резината рутения, содержащего 5,26 мас.% диоксида рутения, диоксида иридия в количестве 7,2 мас.%, приготовленного из резината иридия, содержащего 6,99 мас.% диоксида иридия. , 2,95 мас.% триоксида висмута, 4,18 мас.% пентаоксида ванадия и ранее описанное стекло в количестве 80,41 мас.%. Приготовленный резистивный материал имел поверхностное сопротивление 24000 Ом/кв./мил. и TCR -160. ±. 10 ppm/°C при измерении между +25°C и -55°C и -50°С. ±. 10 частей на миллион/°С при измерении между +25°С и +150°С, что считается более низким, чем при использовании материалов по настоящему изобретению. This glass material was combined with a conductive material composed of ruthenium dioxide in an amount of 5.34 weight percent prepared from ruthenium resinate containing 5.26 weight percent ruthenium dioxide, iridium dioxide in an amount of 7.2 weight percent prepared from iridium resinate containing 6.99 weight percent iridium dioxide, 2.95 weight percent bismuth trioxide, 4.18 weight percent vanadium pentoxide and the previously described glass in the amount of 80.41 weight percent. The resistive material prepared had a sheet resistivity of 24,000 ohms/sq./mil. and a TCR of -160 . ±. 10 ppm/ DEG C when measured between +25 DEG C and -55 DEG C and a -50 . ±. 10 ppm/ DEG C when measured between +25 DEG C and +150 DEG C which is considered poorer than when using the materials of this invention. Целью настоящего изобретения является создание нового состава резистора, в котором температурный коэффициент удельного сопротивления поддерживается в узком положительном и отрицательном диапазоне в широком диапазоне температур. Другой целью настоящего изобретения является обеспечение низкотемпературного коэффициента удельного сопротивления металлокерамического материала, в котором оксид ванадия смешивают с диоксидами рутения и иридия в определенных количествах. Еще одной целью настоящего изобретения является создание резистора керметного типа с низким TCR, который достигается за счет использования оксидов ванадия с определенной стеклянной фриттой. Еще одной целью настоящего изобретения является создание керметного резистора с низким TCR, который может быть изготовлен современными способами производства и может использовать материалы-предшественники либо на основе оксида, либо на основе металлического резината как для оксидов благородных металлов, так и для оксида ванадия. It is an object of the present invention to provide a novel resistor composition wherein the temperature coefficient of resistivity is held within a narrow plus and minus range over a broad temperature range. It is another object of this invention to provide a low temperature coefficient of resistivity for a cermet material wherein a vanadium oxide is combined with ruthenium and iridium dioxides in designated quantities. It is still another object of this invention to provide a cermet type resistor with a low TCR which is accomplished by employing vanadium oxides with a particular glass frit. It is yet another object of this invention to provide a low TCR cermet resistor which can be produced by current methods of manufacture and can employ either oxide or metallic resinate precursor materials for both the noble metal oxides and the vanadium oxide. СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ SUMMARY OF THE INVENTION Вышеуказанные задачи достигаются, а недостатки предшествующего уровня техники преодолеваются за счет настоящей композиции резисторов, в которой проводящая фаза, состоящая из диоксида рутения и, предпочтительно, дополнительно диоксида иридия, объединена с оксидом ванадия в определенных количествах и со стеклянной фазой. состоит из стеклянной фритты определенного состава. Эти материалы обжигаются вместе, в результате чего получается уникальная композиция резисторов с неожиданно низким TCR в широком диапазоне температур. Альтернативно, в композиции резистивного материала можно использовать триоксид висмута. Оксиды рутения, иридия и ванадия могут поставляться в форме их оксидов или в виде материалов-предшественников резинатов, объединенных с определенной стеклянной фриттой. The foregoing objects are accomplished and the shortcomings of the prior art are overcome by the present resistor composition wherein a conductive phase composed of ruthenium dioxide and, preferably, in addition iridium dioxide, is combined with a vanadium oxide in designated quantities and with a glass phase composed of a glass frit of a particular composition. These materials are fired together to result in the unique resistor composition having unexpected low TCRs over a broad temperature range. Alternatively, bismuth trioxide can be utilized in the resistive material composition. The ruthenium, iridium and vanadium oxides can be supplied in their oxide form or in the form of resinate precursor materials combined with the particular glass frit. КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖА BRIEF DESCRIPTION OF DRAWING Лучшее понимание преимуществ настоящего резистивного материала будет дано при обращении к чертежу, на котором: A better understanding of the advantages of the present resistor material will be afforded by reference to the drawing wherein: ИНЖИР. I представляет собой график, иллюстрирующий низкий и узкий диапазон TCR в частях на миллион/градус С для составов резисторов по настоящему изобретению, построенный в диапазоне температур от -55 до +150°С, где проводящая фаза приготовлена из резината металлов и данные нанесены на график для материала, приготовленного в соответствии с примерами 2, 3 и 5. FIG. I is a graph illustrating the low and narrow range of TCR in ppm/ DEG C for the resistor compositions of this invention plotted over a temperature range of -55 DEG C to +150 DEG C wherein the conductive phase is prepared from the resinate of the metals and the data plotted for the material prepared in accordance with Examples 2, 3 and 5. ИНЖИР. II представляет собой график, аналогичный графику на фиг. I и иллюстрирующие эти же критические характеристики, но для материала резистора, изготовленного из оксидов, как описано в примерах 11, 14 и 15, с данными, нанесенными на график для этих конкретных материалов. FIG. II is a graph similar to that of FIG. I and illustrating these same critical characteristics but for the resistor material prepared from oxides as described in Examples 11, 14 and 15 with the data plotted for these particular materials. ОПИСАНИЕ РЕЗИНАТНОГО ВАРИАНТА ВОПЛОЩЕНИЯ DESCRIPTION OF THE RESINATE EMBODIMENT Композицию металлокерамического резистора по настоящему изобретению можно приготовить либо с использованием диоксидов рутения и иридия в форме резината для окончательного превращения в диоксид, либо с использованием самих диоксидов рутения и/или иридия в качестве исходных материалов. Сначала будет дано описание состава металлокерамического резистора, полученного из резинатов рутения и иридия. Конкретные резинаты рутения и иридия, используемые в примерах таблицы III и в примерах 20, 21 и 22, обозначены поставщиком, Engelhard Industries, Inc., как A-1124 и A-1123, соответственно, Hanovia Liquid Gold Division of East. Ньюарк, штат Нью-Джерси. Это растворы резинатов, содержащие 4,0% рутения или 5,26% диоксида рутения и 6,0% иридия или 6,99% диоксида иридия соответственно. Ассортимент исходных материалов для композиций, приготовленных на основе резината, и для стекла описан в следующих таблицах I и II. tb> % по массеСоставные % по массе (оксид)________________________________________________________Резинат рутения от 20,00 до 85,00 от 1,00 до 30,00Резинат иридия от 5,00 до 45,00 от 1,00 до 15,00Триоксид висмута от 0,00 до 2,25 от 0,00 до 10,00Пятоксид ванадия от 0,50 до 2,50 от 1,00 до 10,00Стекло от 5,0 до 40,00 от 50,00 до 980 ______________________________________ ТАБЛИЦА II______________________________________ Диапазон составов стеклянной матрицы (стеклофаза) Составляющая % по массе % по массе Предпочтительный___________________________________________PbO от 35,0 до 45,0 от 38,0 до 45,0B2 03 от 15,0 до 25,0 от 17,0 до 21,0SiO2 от 30,0 до 40,0 от 33,0 до 37,0CaO от 0 до 2,0 от 1,0 до 2,0 Al2 O3 от 0 до 2,0 от 1,0 до 2,0______________________________________ The cermet resistor composition of this invention can be prepared either by utilizing the ruthenium and iridium dioxides in a resinate form for ultimate conversion to the dioxide or can be prepared by utilizing the ruthenium and/or iridium dioxides themselves as starting materials. A description of the cermet resistor composition as prepared from the resinates of ruthenium and iridium will first be given. The particular resinates of ruthenium and iridium employed in the Examples of Table III and in Examples 20, 21 and 22 are designated A-1124 and A-1123, respectively, by the supplier, Engelhard Industries, Inc., Hanovia Liquid Gold Division of East Newark, N.J. They are resinate solutions containing 4.0% ruthenium or 5.26% ruthenium dioxide and 6.0% iridium or 6.99% iridium dioxide, respectively. The range of starting materials for the resinate-prepared compositions and for the glass are described in the following Tables I and II. TABLE I______________________________________Composition Range Of Resistive Material(Conductive Phase) % By WeightConstituents % By Weight (Oxide)______________________________________Ruthenium Resinate 20.00 to 85.00 1.00 to 30.00Iridium Resinate 5.00 to 45.00 1.00 to 15.00Bismuth Trioxide 0.00 to 2.25 0.00 to 10.00Vanadium Pentoxide 0.50 to 2.50 1.00 to 10.00Glass 5.0 to 40.00 50.00 to 98.00______________________________________ TABLE II______________________________________Composition Range Of Glass Matrix(Glass Phase)Constituent % By Weight % By Weight Preferred______________________________________PbO 35.0 to 45.0 38.0 to 45.0B2 03 15.0 to 25.0 17.0 to 21.0Si02 30.0 to 40.0 33.0 to 37.0CaO 0 to 2.0 1.0 to 2.0Al2 O3 0 to 2.0 1.0 to 2.0______________________________________ В следующих примерах 1-10, -20, -21 и -22 получения оксидов из предшественников резинатов во всех случаях применяют следующие стандартные в данной области процедуры: In the following Examples 1-10, -20, -21 and -22, deriving the oxides from resinate precursors, the following procedures which are standard in this art are employed in all instances: МЕТОД СМОЛЫ RESINATE METHOD 1.

Взвешивание компонентов в желаемых пропорциях. Weigh constituents in desired proportions. 2.

Органические части раствора резината выжигают при температуре от 300°С до 480°С в присутствии стеклянной фритты со средним размером частиц менее 20 мкм. Burn off organic portions of resinate solution at 300 DEG C to 480 DEG C in the presence of the glass frit of median particle size of less than 20 microns. 3.

Неорганический остаток прокаливают в течение 30-90 минут при температуре от 400 до 600°С на воздухе. Calcine inorganic residue for 30 to 90 minutes at 400 DEG to 600 DEG C in air. 4.

Уменьшите размер частиц остатка до менее чем 20 мкм, предпочтительно до среднего размера частиц 5 мкм. Reduce the particle size of the residue to less than 20 microns, preferably to a median particle size of 5 . ±. 2 микрона такими способами, как шаровая мельница с мелющими телами из оксида алюминия. ±. 2 microns by such means as ball milling with alumina grinding media. 5.

Смешайте полученный порошок с подходящим носителем до получения пасты желаемой консистенции. Mix the resulting powder with a suitable vehicle to a paste of desired consistency. Носитель может состоять из любого количества органических жидкостей с высокой температурой кипения, таких как 1-этил-2-гексанол, которые в сочетании с резистивным порошком имеют вязкость, подходящую для трафаретной печати, погружения или нанесения краски на подложку. The vehicle may consist of any number of high boiling point organic liquids such as 1-ethyl-2-hexanol which, in combination with the resistive powder, have a viscosity suitable for screen printing, dipping, or painting onto a substrate. 6.

Трафаретная печать на керамической изолирующей подложке методами, обычными для толстопленочной электроники. Screen print onto a ceramic insulating substrate by methods common to the thick film electronic art. Примером подходящего материала подложки является оксид алюминия CRL 95. (подразделение Centralab компании Globe-Union Inc. ) An example of applicable substrate material is CRL 95 alumina. (Centralab Division of Globe-Union Inc. ) 7.

Обжиг при температуре от 850°С до 950°С в ленточной печи с циклом обжига от 0,5 до 3 часов. Fire at 850 DEG C to 950 DEG C in belt kiln using a 0.5 to 3 hour firing cycle. Таблица III иллюстрирует составы и результаты испытаний нового материала резистора, полученного в соответствии с настоящим изобретением и использующего резинаты рутения и иридия в качестве исходных материалов. 1 Пр. 2 Пр. 3 Пр. 4 Пр. 5 Пр. 6 Пр. 7 Пр. 8 Пр. Пр.____________________________________________________________________________ 10Ru Резинат мас. %* 22,16 9,30 4,76 3,55 3,52 24,32 10,38 5,36 2,12 1,79(5,26% RuO2)Резинат Ir мас. %* 3,32 13,04 6,69 4,97 4,93 3,46 13,81 7,12 6,23 2,36(6,99% IrO2)Bi2O3 мас. % 3,30 3,04 2,98 4,58 4,55 2,93 2,99 2,95 1,89 0,14 V2 O5 мас. % 5,75 6,48 4,23 5,00 5,57 5,82 5,81 4,17 1,34 0,46Стекло ФБ-199Н** мас.% 65,72 68,14 81,33 81,89 81,63,41 67,01 80,39 88,41 95,25Средний лист*** Удельное сопротивление 200 310 1300 2600 3070 100 300 1500 3000< tb> 10 000Ом/кв./мил.Среднее значение TCR ppm/ град C****-55 град C до 25 град C -28 -8 +3 -2 -23 -15 -13 -5 +1 -1425°C до 150°C +4 -15 +15 - 6 -21 +16 +5 +10 +14 +56__________________________________________________________________________ *На основе состава оксида **Ferro Corporation: 44,9% масс. Table III illustrates the compositions and test results for the novel resistor material prepared in accordance with this invention and employing ruthenium and iridium resinates as starting materials. TABLE III__________________________________________________________________________Raw Material Ex. 1 Ex. 2 Ex. 3 Ex. 4 Ex. 5 Ex. 6 Ex. 7 Ex. 8 Ex. Ex.__________________________________________________________________________ 10Ru Resinate wt. %* 22.16 9.30 4.76 3.55 3.52 24.32 10.38 5.36 2.12 1.79(5.26% RuO2)Ir Resinate wt. %* 3.32 13.04 6.69 4.97 4.93 3.46 13.81 7.12 6.23 2.36(6.99% IrO2)Bi2 O3 wt. % 3.30 3.04 2.98 4.58 4.55 2.93 2.99 2.95 1.89 0.14V2 O5 wt. % 5.75 6.48 4.23 5.00 5.57 5.82 5.81 4.17 1.34 0.46Glass FB-199N** wt.% 65.72 68.14 81.33 81.89 81.41 63.46 67.01 80.39 88.41 95.25Average Sheet***Resistivity 200 310 1,300 2,600 3,070 100 300 1,500 3,000 10,000ohm/sq./mil.Average TCR ppm/ DEG C****-55 DEG C to 25 DEG C -28 -8 +3 -2 -23 -15 -13 -5 +1 -1425 DEG C to 150 DEG C +4 -15 +15 - 6 -21 +16 +5 +10 +14 +56__________________________________________________________________________ *Based on oxide composition ** Ferro Corporation: 44.9% wt. ПбО; 20,1% мас. В2 О3 ; 35,0 % масс SiO2 ***Все значения среднего удельного сопротивления листа даны в округленных числах ****TCR измерено до . ±. 3 м.д./°С PbO; 20.1% wt. B2 O3 ; 35.0% wt SiO2 ***All figures for Average Sheet Resistivity are in round numbers ****TCR measured to . ±. 3 ppm/ DEG C Как видно из таблицы III и, в частности, из примера 10, наилучшие результаты достигаются при использовании исходных материалов на основе резинатов при более низких значениях сопротивления. As is seen in Table III, and particularly Example 10, the best results are obtained utilizing the resinate starting materials at lower resistive values. ОПИСАНИЕ ОКСИДНОГО ВАРИАНТА DESCRIPTION OF THE OXIDE EMBODIMENT Примеры 11-18 в таблице V иллюстрируют использование оксида рутения в качестве исходного материала в сочетании со стеклянной фриттой, обычно описанной в таблице II. Для ряда резистивных материалов, использующих оксиды в качестве исходных материалов, подходят составы, описанные в следующей Таблице IV: >Составляющая % по массе % по массе Предпочтительно______________________________________RuO2 от 1,00 до 30,00 от 2,00 до 25,00IrO2 от 1,00 до 15,00 от 3,00 до 14,00Bi2 O3 от 0,00 до 10,00 от 0,00 до 5,00 V2 O5 от 1,00 до 10,00 от 1,00 до 8,00Al2 O3 от 0,00 до 10,00 от 0,00 до 7,00стекло* от 50,00 до 98,00 от 63,00 до 95,00___________________________________________ *Тот же состав, что и в Таблице 2 Examples 11-18 in Table V illustrate the utilization of ruthenium oxide as the starting material combined with a glass frit generally described in Table II. For a series of resistive materials, using oxides as starting materials, the compositions described in the following Table IV are suitable: TABLE IV______________________________________Composition Range Of Resistive Material(Conductive Phase)Constituent % By Weight % By Weight Preferred______________________________________RuO2 1.00 to 30.00 2.00 to 25.00IrO2 1.00 to 15.00 3.00 to 14.00Bi2 O3 0.00 to 10.00 0.00 to 5.00V2 O5 1.00 to 10.00 1.00 to 8.00Al2 O3 0.00 to 10.00 0.00 to 7.00Glass* 50.00 to 98.00 63.00 to 95.00______________________________________ *Same composition as in Table II Следует понимать, что количества указанных составов после их обжига на подложке будут такими, как указано в этой таблице и в колонке, озаглавленной «Мас.% (оксид)» в Таблице I. Следовательно, предпочтительные количества материалов указанные в таблицах I и IV, совпадают. It should be recognized that the amounts of the designated compositions after they are fired onto the substrate will be as indicated in this Table and in the column entitled "% by Weight (Oxide)" in Table I. Consequently, the preferred amounts of the materials indicated in Tables I and IV are the same. Способ приготовления каждой из композиций металлокерамических резисторов из примеров 11-18 является стандартным в данной области техники и заключается в следующем: The method for preparing each of the cermet resistor compositions of Examples 11-18 is standard in the art and is as follows: ОКСИДНЫЙ МЕТОД OXIDE METHOD 1. Взвешивание компонентов в желаемых пропорциях. 1. Weigh constituents in desired proportions. 2. Смешайте компоненты вместе в шаровой мельнице с ацетоном до образования суспензии и шаровой мельницы с оксидом алюминия в качестве помола в течение от 0,1 до 8,0 часов. 2. Mix constituents together in a ball mill with acetone to form a slurry and ball mill with a grinding median alumina for 0.1 to 8.0 hours. 3. Сухая смесь при 70 град. 3. Dry mixture at 70 DEG C. 4. Смешайте с носителем, таким как 1-этил-2-гексанол, чтобы получить краску. 4. Mix with a vehicle such as 1-ethyl-2-hexanol to form a paint. 5. Полученную краску измельчить на трехвалковой мельнице в течение 0,1–2 часов, чтобы обеспечить дисперсию и отрегулировать консистенцию для трафаретной печати путем добавления растворителя. 5. Mill the resulting paint in a three roll mill for 0.1 to 2 hours to assure dispersion and adjust consistency for screen printing by adding solvent. 6. Экран на керамической изолирующей подложке. 6. Screen onto a ceramic insulating substrate. 7. Обжиг при температуре от 850°C до 950°C в печи ленточного типа с циклом обжига от 0,5 до 3 часов. 11 Пр. 12 Пр. 13 Пр. 14 Пр. 15 Пр. 16 Пр. 17 Пр. 18____________________________________________________________________________RuO2 мас. % 5,67 5,95 4,73 3,90 4,60 3,75 5,78 5,78 М.Б. M.B. Тип A* Тип P**IrO2 вес. % -- -- -- -- -- -- -- --V2 O5 мас. % 2,83 2,77 3,15 1,90 1,90 1,50 1,73 1,73 Al2 O3 мас. % 0,75 1,41 6,90 -- 7,00 -- -- --Стекло ФБ-199Н*** мас.% 90,73 90,26 85,22 94,1 86,50 94,75 92,49 92,49Среднее сопротивление*** 6,80 8600 27,900 53,200 112,900 449,100 400,000 30,000Ом/кв. ./мил.Среднее значение TCR ppm/°C*****-55°C до 25°C 0 +10 +16 -23 -8 -14 -6 -20 от 25°C до 150°C +4 +10 +13 -18 +14 +24 +12 +23____________________________________________________________________________ *M.B. = Матти Бишоп, тип A ** = Матти Бишоп, тип P ***То же, что и в таблице II ****Примечание. Все значения среднего удельного сопротивления листа представлены круглыми числами *** **TCR измеряется до . 7. Fire at 850 DEG C to 950 DEG C in a belt type kiln in a 0.5 to 3 hour firing cycle. TABLE V__________________________________________________________________________Raw Material Ex. 11 Ex. 12 Ex. 13 Ex. 14 Ex. 15 Ex. 16 Ex. 17 Ex. 18__________________________________________________________________________RuO2 wt. % 5.67 5.95 4.73 3.90 4.60 3.75 5.78 5.78 M.B. M.B. Type A* Type P**IrO2 wt. % -- -- -- -- -- -- -- --V2 O5 wt. % 2.83 2.77 3.15 1.90 1.90 1.50 1.73 1.73Al2 O3 wt. % 0.75 1.41 6.90 -- 7.00 -- -- --Glass FB-199N*** wt.% 90.73 90.26 85.22 94.1 86.50 94.75 92.49 92.49Average SheetResistivity**** 6.80 8600 27,900 53,200 112,900 449,100 400,000 30,000ohm/sq./mil.Average TCR ppm/ DEG C*****-55 DEG C to 25 DEG C 0 +10 +16 -23 -8 -14 -6 -2025 DEG C to 150 DEG C +4 +10 +13 -18 +14 +24 +12 +23__________________________________________________________________________ *M.B. = Matthey Bishop Type A ** = Matthey Bishop Type P ***Same as Table II ****Note: All figures for Average Sheet Resistivity are in round numbers *****TCR's measured to . ±. 3 м.д./°С ±. 3 ppm/ DEG C Таблица V иллюстрирует, что низкие ТКС во всем диапазоне температур достигаются при использовании оксида рутения в сочетании с пятиокисью ванадия. Table V illustrates that low TCRs over the entire temperature range are obtained with the oxide of ruthenium in conjunction with vanadium pentoxide. Как показано в примерах 1-18 в таблицах III и V, TCR обозначенных новых композиций имеют очень низкие значения в широком диапазоне температур. Толстопленочные резистивные материалы с низким температурным коэффициентом сопротивления по настоящему изобретению могут быть также получены из предшественников проводящей фазы, отличных от резинатов. Например, в качестве исходного материала можно использовать гидрат рутения. Это показано в следующем примере: Пример 19______________________________________Ингредиенты, % по весу___________________________________________Гидрат рутения 5,78(55% RuO2)V2 O5 1,73<tb >Стекло ФБ-199Н(согласнотаблицам III и V) 92,49___________________________________________ As indicated in Examples 1-18 in Tables III and V, the TCRs of the designated novel compositions have very low values over a broad temperature range. The low temperature coefficient of resistivity, thick film resistor materials of this invention may also be prepared from precursors of the conductive phase other than resinates. For example, ruthenium hydrate may be utilized as a starting material. This is illustrated in the following example: Example 19______________________________________Ingredients % By Weight______________________________________Ruthenium Hydrate 5.78(55% RuO2)V2 O5 1.73Glass FB-199N(As indicated inTables III and V) 92.49______________________________________ Этот материал обрабатывается тем же методом, который указан для оксидных исходных материалов под заголовком «Оксидный метод».________________________________________________________Результаты:Удельное сопротивление листа: 20 000 Ом/кв./мил.TCR ppm/ град. C:______________________________________-55°C до 25°C -12 25°C до 150°C +47___________________________________________ This material is processed in the same method as indicated for the oxide starting materials under the heading "Oxide Method."______________________________________Results:Sheet Resistivity: 20,000 ohms/sq./mil.TCR ppm/ DEG C:______________________________________-55 DEG C to 25 DEG C -12 25 DEG C to 150 DEG C +47______________________________________ Как показано в этом примере 19, когда оксид рутения добавляют в форме гидрата, TCR не так низок, как когда исходным материалом является оксид или резинат. As indicated in this Example 19, when the ruthenium oxide is added in the form of the hydrate the TCR is not as low as when the starting material is the oxide or the resinate. Следующий пример 20 иллюстрирует использование пятиокиси ванадия, предварительно растворенной в стекле, обозначенном FB-199N, в количестве 6,48% по массе. Пример 20___________________________________________Ингредиенты, % по массе >Резинат рутения 10,37(5,26% RuO2)Резинат иридия 13,78(6,99% IrO2)Bi2 O3 2,99СтеклоFB-199N/V2 O5(FB -199N: как указанов таблицах III и V) 72,85______________________________________ The following Example 20 illustrates the utilization of vanadium pentoxide predissolved in the glass designated FB-199N to the extent of 6.48% by weight. Example 20______________________________________Ingredients % by Weight Oxide______________________________________Ruthenium Resinate 10.37(5.26% RuO2)Iridium Resinate 13.78(6.99% IrO2)Bi2 O3 2.99GlassFB-199N/V2 O5(FB-199N: as indicatedin Tables III and V) 72.85______________________________________ Эти материалы обрабатываются методом, указанным выше под заголовком «Смоляной метод».______________________________________Результаты:Удельное сопротивление листа: приблизительно 500 Ом/кв./мил.TCR ppm/ DEG C: ___________________________________________-55°C до 25°C-29 . ±. 3 от 25°С до 150°С -27 . ±. 3______________________________________ These materials are processed by the method indicated above under the heading "Resinate Method."______________________________________Results:Sheet Resistivity: approximately 500 ohms/sq./mil.TCR ppm/ DEG C:______________________________________-55 DEG C to 25 DEG C -29 . ±. 3 25 DEG C to 150 DEG C -27 . ±. 3______________________________________ Во всех предыдущих примерах оксид ванадия вводили предпочтительно в виде пятиокиси ванадия. Следует понимать, что также могут быть использованы другие оксиды ванадия, такие как триоксид ванадия. Кроме того, оксид ванадия может быть введен через материал-предшественник резината ванадия. Примеры 21 и 22, приведенные ниже, иллюстрируют это. Пример 21______________________________________Ингредиенты, % по массе Оксид________________________________________________________Резинат рутения 10,48(5,26% RuO2)Резинат иридия 13,93< tb>(6,99% IrO2)V2 O3 4,84Bi2 O3 3,02СтеклоFB-199N(как указано втаблицах III и V) 67,72___________________________________________ In all of the previous Examples, the vanadium oxide has been introduced preferably as vanadium pentoxide. It should be understood that other oxides of vanadium such as vanadium trioxide can likewise be employed. Additionally, the vanadium oxide can be introduced through a vanadium resinate precursor material. Examples 21 and 22 following illustrate these. Example 21______________________________________Ingredients % By Weight Oxide______________________________________Ruthenium Resinate 10.48(5.26% RuO2)Iridium Resinate 13.93(6.99% IrO2)V2 O3 4.84Bi2 O3 3.02GlassFB-199N(As indicated inTables III and V) 67.72______________________________________ Эти материалы обрабатываются методом, указанным выше в разделе «Метод смолы».______________________________________Результаты:Удельное сопротивление листа: примерно 330 Ом/кв./мил.TCR ppm/ DEG C: ______________________________________-55°C до 25°C +13 . ±. 3 от 25°C до 150°C+19 . ±. 3______________________________________ These materials are processed by the method indicated above under the heading "Resinate Method."______________________________________Results:Sheet Resistivity: approximately 330 ohms/sq./mil.TCR ppm/ DEG C:______________________________________-55 DEG C to 25 DEG C +13 . ±. 3 25 DEG C to 150 DEG C +19 . ±. 3______________________________________ В следующем примере 22 показано использование оксида ванадия, введенного в виде резината ванадия. Пример 22________________________________________________________Ингредиенты, % по массе оксида___________________________________________________Резинат рутения 9,98(5,26% RuO2)< tb>Резинат иридия 13,27(6,99% IrO2)Резинат ванадия 9,48(13,92% V2O5)Bi2O3 2,88СтеклоFB-199N(как указано вТаблицах III и V) 64,39Результаты:Удельное сопротивление листа: 280 Ом/кв.м/милTCR ppm/°C:от -55°C до 25°C< тб> +26 . ±. 325°C до 150°C+21 . ±. 3______________________________________ Вышеуказанные материалы обрабатываются методом, указанным выше под заголовком «Смоляной метод. The following Example 22 indicates utilization of vanadium oxide introduced as vanadium resinate. Example 22______________________________________Ingredients % By Weight Oxide______________________________________Ruthenium Resinate 9.98(5.26% RuO2)Iridium Resinate 13.27(6.99% IrO2)Vanadium Resinate 9.48(13.92% V2 O5)Bi2 O3 2.88GlassFB-199N(As indicated inTables III and V) 64.39Results:Sheet Resistivity: 280 ohms/sq./mil.TCR ppm/ DEG C:-55 DEG C to 25 DEG C +26 . ±. 3 25 DEG C to 150 DEG C +21 . ±. 3______________________________________ The above materials are processed by the method indicated above under the heading "Resinate Method. Вышеуказанные материалы обрабатываются способом, указанным выше под заголовком «Смоляной метод. " The above materials are processed by the method indicated above under the heading "Resinate Method. " Как указано выше, важным условием достижения низкотемпературного коэффициента удельного сопротивления является использование оксида ванадия с диоксидом рутения, который предпочтительно может также включать диоксид иридия, в указанном количестве с определенным составом стекла. Оксид ванадия, а также диоксиды рутения и иридия могут быть использованы в виде оксидов или получены из предшественников резинатов. Хотя пятиокись ванадия является предпочтительным оксидом ванадия, другие оксиды, такие как триоксид ванадия, или оксиды, полученные в результате пиролиза резината ванадия, также могут быть с успехом использованы. As indicated above, the important conditions for achieving the low temperature coefficient of resistivity are the utilization of vanadium oxide with ruthenium dioxide, which preferably can also include iridium dioxide, in the designated amount with a particular glass composition. The vanadium oxide as well as the ruthenium and iridium dioxides can be utilized as oxides or derived from resinate precursors. While vanadium pentoxide is the preferred oxide of vanadium, other oxides such as vanadium trioxide or those oxides resulting from the pyrolysis of vanadium resinate can likewise be employed to advantage. Таким образом, будет видно, что благодаря настоящему изобретению в настоящее время предложен состав металлокерамического резистора, имеющий низкий температурный коэффициент удельного сопротивления, который может достигаться в экстремальных значениях и, как правило, менее 20 частей на миллион/oC, поддерживаемый в широком диапазоне температур. Оксид ванадия можно использовать на различных стадиях окисления и в виде резината, как и диоксиды рутения и иридия. Материалы легко перерабатываются в резистивные краски. Никаких дополнительных капиталовложений не требуется для замены композиций керметных резисторов по настоящему изобретению более традиционными композициями, и из них можно легко изготовить толстопленочные резисторы, не требуя от изготовителя дополнительных навыков. It will thus be seen that through the present invention, there is now provided a cermet resistor composition having a low temperature coefficient of resistivity which can be effected at the extremes and generally less than 20 ppm/ DEG C, maintained over a broad temperature range. The vanadium oxide can be utilized in various stages of oxidation and in the form of the resinate as can the ruthenium and the iridium dioxides. The materials are easily processed into resistive paints. No additional capital investment need be incurred to substitute the cermet resistor compositions of this invention for more conventional compositions, and they can be easily fabricated into thick film resistors without additional skills being required by the fabricator. Вышеупомянутое изобретение теперь может быть реализовано на практике специалистами в данной области техники. Такие специалисты в данной области техники знают, что изобретение не обязательно ограничивается конкретными вариантами его осуществления. Объем изобретения должен быть определен условиями следующей формулы изобретения, значение которой дано предыдущим описанием. The foregoing invention can now be practiced by those skilled in the art. Such skilled persons will know that the invention is not necessarily restricted to the particular embodiments herein. The scope of the invention is to be defined by the terms of the following claims as given meaning by the preceding description.

Please, introduce the following text in the box below Correction Editorclose Original text: English Translation: Russian

Select words from original text Provide better translation for these words