новая папка / 4006490

4006490-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)

Patent Translate Powered by EPO and Google

French

German

  Albanian

Bulgarian

Croatian

Czech

Danish

Dutch

Estonian

Finnish

Greek

Hungarian

Icelandic

Italian

Latvian

Lithuanian

Macedonian

Norwegian

Polish

Portuguese

Romanian

Serbian

Slovak

Slovene

Spanish

Swedish

Turkish

  Chinese

Japanese

Korean

Russian

      PDF (only translation) PDF (original and translation)

Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation

Very good

Good

Acceptable

Rather bad

Very bad

Your reason for this translation: Overall information

Patent search

Patent examination

FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ US4006490A[]

Настоящее изобретение относится к диодам Ганна, содержащим новый катод. В частности, речь идет о диодах Ганна, которые должны работать в соответствии с особым методом генерации, который называется «накопление заряда в ограниченном пространстве». В диодах Ганна внутри материала образуются скопления подвижных зарядов — «домены»; время их прохождения близко к периоду колебаний. Известно, что для того, чтобы избежать транзитных эффектов, следует избегать образования «доменов», чтобы получить колебания на частотах, намного превышающих собственную частоту, определяемую временем прохождения мобильного заряда. Л.С.А. метод. The present invention relates to the Gunn diodes comprising a new cathode. It is concerned more particularly with the Gunn diodes which have to work in accordance with a particular method of oscillation which is called "Limited Space Charge Accumulation". In the Gunn diodes, accumulations of mobile charges, "domains", are formed inside the material; their transit time is close to the oscillation period. In order to obviate the transit effects, it is known to avoid the formation of "domains", so as to obtain oscillations at frequencies very much higher than the natural frequency defined by the transit time of the mobile charge: this is the operation by the L.S.A. method. В этом случае важную роль играет характер контактов диодов и, в частности, контакта катода. Для получения хороших характеристик L.S.A. методе необходимо предусмотреть на стороне катода неомический контакт, который позволяет ограничивать ток. В современном уровне техники одним из решений этой проблемы является обеспечение барьера Шоттки на уровне катода, но это решение имеет многочисленные неудобства, во-первых, оно использует технологии, которые трудно реализовать, и, во-вторых, такие структура очень чувствительна к температуре. In this case, the nature of the contacts of the diodes plays an important part, and more particularly the cathode contact. For obtaining good performances by the L.S.A. method, it is necessary to provide on the cathode side a non-ohmic contact which permits a limitation of the current. In the present state of the art, one solution to this problem consists in providing a Schottky barrier at the level of the cathode, but this solution has numerous inconveniences firstly, it makes use of technologies which are difficult to carry into effect, and secondly such a structure is very sensitive to temperature. Настоящее изобретение касается конструкции катода нового типа, которая устраняет эти неудобства. The present invention is concerned with a new type of cathode structure which overcomes these inconveniences. Изобретение будет лучше всего понятно из пояснений, которые следуют ниже, и из прилагаемых чертежей, на которых: The invention will be best understood from the explanations which are to follow and from the accompanying drawings, in which: ИНЖИР. 1 - один из вариантов устройства согласно изобретению; FIG. 1 is one embodiment of a device according to the invention; ИНЖИР. 2 представляет собой пояснительную схему. FIG. 2 is an explanatory diagram. Диод Ганна, по существу, состоит из куска материала, имеющего отрицательное дифференциальное сопротивление за пределами заданного электрического поля. Материалом, наиболее часто используемым для получения эффекта Ганна, является арсенид галлия GaAs. По обе стороны от эпитаксиальной зоны GaAs, называемой активной зоной, расположены два контакта для получения соответственно анодного и катодного контактов. Речь может идти либо об отложении на поверхности активной зоны (обычно слой GaAs типа N) сплава германий-золото-никель, либо о чередовании двух отложений, один из GaAs типа N+, нанесенный эпитаксией на активную зону, а другой из сплава, такого как определено ранее. A Gunn diode is essentially formed by a piece of a material having a negative differential resistance beyond a given electric field. The material most commonly in use for obtaining the Gunn effect is gallium arsenide GaAs. On either side of an epitaxial zone of GaAs, called the active zone, there are disposed two contacts for thus obtaining respectively the anode and cathode contacts. It may be a question either of a deposit at the surface of the active zone (usually a layer of GaAs of N type) of an alloy of germanium-gold-nickel, or a succession of two deposits, one of GaAs of N+ type, effected by epitaxy on the active zone, and the other of an alloy such as previously defined. Устройство, представленное на фиг. 1 содержит слой 1 GaAs типа N, образующий активную часть диода, т. е. зону, в которой создается эффект Ганна. На одной из граней этого слоя 1 сформирован известным образом анодный контакт, который на фигуре не показан, так как не способствует пониманию изобретения. The arrangement represented in FIG. 1 comprises a layer 1 of GaAs of N type, forming the active part of the diode, that is to say, the zone where the Gunn effect is produced. Formed in known manner on one of the faces of this layer 1 is an anode contact, which is not shown in the figure, because it does not contribute to the understanding of the invention. Катод 10 согласно изобретению расположен на поверхности АВ. Такая структура содержит по существу последовательность из двух слоев материала 6 и 7, покрытых металлическим напылением 8, служащим в качестве катодного контакта. Природа и размеры слоев 6 и 7 выбраны таким образом, чтобы они взаимодействовали, чтобы обеспечить создание достаточного электрического поля, способного создать туннельный эффект внутри слоя 7. A cathode 10 according to the invention is provided on the face AB. Such a structure comprises essentially a succession of two layers of material 6 and 7 coated with a metallic deposit 8 serving as cathode contact. The nature and the dimensions of the layers 6 and 7 are chosen so that they co-operate to permit the establishment of a sufficient electric field capable of creating a tunnel effect within the layer 7. Первый слой 6 предпочтительно формируется из полупроводникового материала аналогичной природы, имеющего тот же тип проводимости, что и материал, образующий активную зону, но очень сильно легированный. Второй слой 7 образован подходящим материалом, способным допускать возникновение туннельного эффекта: таким образом, это может быть диэлектрический материал, аморфный полупроводник и т. д. The first layer 6 is preferably formed of a semiconductor material of like nature, having the same type of conductivity as that which forms the active zone, but very heavily doped. The second layer 7 is formed by an appropriate material capable of permitting the establishment of a tunnel effect: it can thus be a dielectric material, an amorphous semiconductor, etc. В одном варианте осуществления активный слой 1 представляет собой слой GaAs типа N, слой представляет собой слой GaAs типа N+, образованный эпитаксией или любым другим известным процессом, таким как ионная имплантация, и его толщина составляет в районе 2000 А. Слой 7 представляет собой слой аморфного германия, толщина которого находится в районе 100 А. Он может быть получен испарением в вакууме. Слой 8 является металлическим и может представлять собой напыление металла, такого как золото, никель или сплав, полученный с помощью известных методов металлизации. In one embodiment, with the active layer 1 a layer of GaAs of N type, the layer is a GaAs layer of N@+ type, provided by epitaxy or any other process known per se, such as ion implantation, and its thickness is in the region of 2000 A. The layer 7 is layer of amorphous germanium, the thickness of which is in the region of 100 A. It may be obtained by evaporation under vacuo. The layer 8 is metallic and it can be a deposit of a metal such as gold, nickel or an alloy produced by means of known metallisation techniques. ИНЖИР. 2 позволяет лучше понять, какова функция каждого из двух слоев 6 и 7 и как они взаимодействуют друг с другом, чтобы установить на уровне катода неомический контакт, который приводит согласно изобретению. к текущему ограничению. ИНЖИР. 2 представляет развитие электрического поля Е вдоль структуры, такой как схематично показано на фиг. 1, то есть последовательно содержащий металлический слой 8 толщиной (x1; x2) и слой 7 аморфного германия толщиной (x2; x3); слой 6 из GaAs типа N@+ толщиной (x3 ; x4), наконец, активная зона 1 из GaAs типа N и толщиной (x4 ; x5). Кривые a b и c построены для возрастающих напряжений, приложенных между катодом и анодом, которые не показаны. Как показано кривой а (прочерченной сплошной линией), объемный заряд в слое 6 типа N@+, то есть между абсциссами х3 и х4, смещается в сторону слоя 1 типа N. Поле E не достигло своего максимального значения Em. Ток начинает проходить по туннельному эффекту в германий. FIG. 2 makes it possible better to understand what is the function of each of the two layers 6 and 7 and how they co-operate with one another so as to establish at the level of the cathode a non-ohmic contact which leads according to the invention to a current limitation. FIG. 2 represents the development of the electric field E along the structure such as shown diagrammatically in FIG. 1, that is to say, comprising in succession the metallic layer 8 of thickness (x1 ; x2) the amorphous germanium layer 7 of thickness (x2 ; x3 ); the layer 6 of GaAs of N@+ type of thickness (x3 ; x4), finally, the active zone 1 of GaAs of type N and of thickness (x4 ; x5). The curves a b and c are drawn for increasing voltages applied between cathode and anode not shown. As shown by the curve a, (drawn by a solid line), the space charge in the layer 6 of type N@+, that is to say, between the abscissae x3 and x4, is displaced towards the layer 1 of N type. The field E has not reached its maximum value Em. The current starts to pass by tunnel effect into the germanium. Область N@+ становится совершенно пустой и, как показывает кривая b (представленная штриховой линией), поле в этой области достигает своего максимального значения Em. Это поле Em находится в тонком слое германия, и, следовательно, существует максимальная плотность тока I. Следовательно, именно это максимальное поле Em фиксирует ограничение тока. Поскольку в слое N@+ поле больше не может увеличиваться, оно будет увеличиваться в активном слое N-типа, как показано кривой C, пока не достигнет порога Eg, с которого появляется эффект Ганна. The region N@+ becomes completely empty and, as shown by the curve b, (represented as a broken line), the field in this region reaches its maximum value Em. This field Em is found in the thin germanium layer, and hence there is a maximum current density I. It is therefore this maximum field Em which fixes the limitation of the current. As the field is unable to increase any more in the layer N@+, it will increase in the active layer of N type, as shown by the curve C, until it reaches the threshold Eg, from which the Gunn effect appears. В практическом варианте, приведенном просто в качестве примера, при потенциальном барьере около 0,4 эВ и толщине германиевого слоя 7 порядка 100 А необходимо иметь электрическое поле порядка 7,10@5. В:см для плотности тока 3000 А/см2, т.е. при степени легирования 2,1017 см3-3 по ширине (x3 ; x4) слоя 7 типа N+ заказ 2000 А. In a practical embodiment given simply by way of example, in respect of a potential barrier of about 0.4 eV and a thickness of the germanium layer 7 of the order of 100A, it is necessary to have an electric field of the order of 7.10@5 V:cm for a current density of 3000 A/cm@2, that is to say, a doping rate of 2.10@17 cm@-@3 over a width (x3 ; x4) of the layer 7 of N@+ type of the order of 2000 A. Варьируя скорость легирования и толщину слоев 6 и 7, можно в больших пределах изменять значение плотности тока. Преимущество разработки структуры катода для диода Ганна в соответствии с изобретением состоит в том, что ее легко реализовать способом, который можно точно воспроизвести. By causing a variation in the rate of doping and the thicknesses of the layers 6 and 7, it is possible to vary the value of the current density within large proportions. The development of the cathode structure for a Gunn diode in accordance with the invention has the advantage of being easy to carry into effect, in a manner which can be perfectly reproduced.

Please, introduce the following text in the box below Correction Editorclose Original text: English Translation: Russian

Select words from original text Provide better translation for these words

Correct the proposed translation (optional) SubmitCancel