Электроника и схемотехника / ЭиС Бунина А.В. ЛР3
.docxМИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное образовательное
учреждение высшего образования
«Юго-Западный государственный университет»
Лабораторная работа №3
По дисциплине «Электроника и схемотехника»
Выполнил: Бунина А.В.
студент группы ИБ-01б
Проверил: Брежнева Е.Ю.
доцент
Курск, 2022
Цель работы: Формирование навыков проектирования электронных устройств в среде OrCAD. Изучение вольтамперных характеристик и параметров биполярных транзисторов.
Таблица 1 – Данные для выполнения работы
№
Iк0,
мА
U
кэ0,
В
2
40
15
Рисунок 1 – Схема для снятия выходных характеристик БТ с ОЭ
В соответствии с методическими указаниями к лабораторной работе указали необходимые параметры для снятия выходных характеристик и построили их. Представлены на рисунке 2.
Рисунок 2 – График
Для определения тока базы на выходную характеристику, соответствующую выбранной рабочей точки, щелкнули пункт Information и получили результат.
Рисунок 3 – Ток базы
Далее определим параметры h21э и h22э.
Для анализа работы биполярных транзисторов наиболее удобными являются так называемые h-параметры.
При таком способе описания транзистора в качестве независимых переменных принимаются uБЭ – напряжение база-эмиттер и iК – ток коллектора. В линейном режиме эти величины связаны с током база-эмиттер и с напряжением коллектор-эмиттер линейной зависимостью:
Тогда в нашем случае:
Рисунок 4 – Определение приращений для h21э
Получаем
.
Подставим в это выражение необходимые
данные, зная, что ток базы 600 мкА.
.
Далее зафиксируем необходимые данные для нахождения h21э.
Рисунок 5 – Определение приращений для h22э
Получаем
.
Подставим в это выражение необходимые
данные.
.
Получим семейство входных ВАХ выбранного биполярного транзистора для схемы с ОЭ.
Рисунок 6 – Схема для снятия выходных характеристик БТ с ОЭ
Далее следуя всем инструкциям из методических указаний, построили графики входных характеристик.
Рисунок 7 – График тока базы транзистора
Далее зафиксируем необходимые данные для нахождения h11э.
Рисунок 8 – Определение приращений для h12э
Получаем
.
Подставим в это выражение необходимые
данные:
.
Вывод: изучила вольтамперные характеристики и параметры биполярных транзисторов.