Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Fiz_Polupr_dlya_stud / Описания вып.работ / 6р.Бипол.транз-ор

.doc
Скачиваний:
17
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
104.96 Кб
Скачать

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР.

Задание.

Изучить зависимость коэффициента передачи тока, сопротивления базы, эмиттера, коллектора от тока эмиттера и от напряжения коллектора.

Методика измерения параметров транзистора.

UЭ

UK

=V

500 Ом

ЗГ-18

300 кОм

50

UK

50

EK

mA

mA

ЕЭ

IЭ

1 кОм

30,0

~V

Рис.1 Схема измерительной установки .

При измерении коэффициента α генератор ЗГ-18 подключают к схеме через сопротивление 300 кОм. Таким образом , генератор можно считать источником тока. Токи эмиттера, коллектора и базы транзистора определяют по падению напряжения на известных сопротивлениях. Поскольку токи эмиттера и коллектора отличаются незначительно, погрешность определения α велика. Погрешность измерительных приборов при этом весьма большая. Поэтому измеряют величину 1- α , равную отношению тока базы к току эмиттера. Ток эмиттера транзистора измеряют косвенно. Генератор тока подключают к нагрузочному сопротивлению в цепи коллектора, равному 50 Ом и вольтметром ~V измеряют падение напряжения в нем. Измеренный таким образом ток будет протекать через эмиттер, когда источник тока подключим к входной цепи транзистора. В этом положении ток базы определяют по падению напряжения на сопротивлении 1 кОм, включенном в цепь базы.

При измерении сопротивления базы rб генератор подключают к коллектору транзистора через сопротивление 500 Ом. В эмиттерной цепи осуществляется холостой ход. Ток базы определяют по падению напряжения на сопротивлении 1 кОм. Напряжение на распределенном сопротивлении базы транзистора измеряют вольтметром, включенным между эмиттером и базой. Сопротивление 1 кОм в цепи базы при этом закорочено. Следует отметить, что измерительное сопротивление в базовой цепи намного меньше сопротивления коллектора транзистора и поэтому оно не влияет на величину тока базы и равному ему тока коллектора. При измерении сопротивления коллектора, как и в предыдущем случае, источник сигнала подключают на выход транзистора. Напряжение измеряют непосредственно на коллекторе транзистора, а ток iК - по падению напряжения в цепи базы 1 кОм.

Сопротивление эмиттера непосредственно измерить нельзя. Значение rЭ определяют по формуле

rЭ = rвх -(1 – α) rб ,

если известно входное сопротивление транзистора rвх. Для определения rвх измеряют ток по падению напряжения на сопротивлении 50 Ом в цепи коллектора и напряжение на входе транзистора , даваемое током генератора при подключении его к эмиттеру. При измерении параметров рекомендуется пользоваться табл. 1.

Положение переключателя П2 на рис.2

Измеряемая

величина

Параметры

iЭ

iК

U1

U2

1-=

iб

uб

Urб

Uб

rб =

iвх

u вх

U rвх

Uвх

rвх=

uk

iК

Uk

Urk

rk =

Таблица 1.

С помощью лабораторной установки можно измерить параметры α, rб, rвх , rk , а также обратный ток коллекторного перехода Iко транзисторов как р-п-р , так и п-р-п типа. Смещение на транзистор задается от двух источников ЕЭ и ЕК . В данной работе используется транзистор р-п-р типа.

Вид передней панели установки показан на рис . 2. Включение источников и переключение полярности для задания смещения на транзисторы типа р-п-р или п-р-п осуществляется переключателем П1. Ток эмиттера регулируется с помощью потенциометра R1, а напряжение на коллекторе потенциометром R2 . Ток смещения в цепи эмиттера контролируется прибором mA1 , а в цепи коллектора mA2 имеющих три предела измерения. Изменение пределов измерения осуществляется соответствующими переключателями. Напряжение на коллекторе контролируется с помощью вольтметра В7-15, подключаемого к зажимам =V2 . С помощью тумблера Т вольтметр подключают к эмиттерной или коллекторной цепи. К зажимам ~ЗГ подключается генератор переменного тока ЗГ-18. С помощью переключателя П2 осуществляется коммутация схемы по переменному току. Результаты измерений регистрируется с помощью вольтметра переменного тока В3‑38, подключенного к клеммам ~V1.

\

IЭ

IK

mA1 m

mA2

R1

R2

П1

П2

0,1

1,0

10

П
П

0,5

5,0

10

Т

VЭ

VК

п-р-п

р-п-р

=V2

~V1

~ЗГ

iЭ

iК

iб

uб

iвх

uвх

uК

iК

Э Б К Э

Рис.2.

Порядок выполнения работы.

1.При постоянном напряжении на коллекторе транзистора (UК=10В), измерить зависимость параметров α, rб , rвх и rk от тока эмиттера (IЭ =2-10mA) , подав на него переменное напряжение 15 В частотой 1000 Гц. Построить графики.

  1. Используя соотношение и полагая IЭО=0, построить теоретическую кривую rЭ=rЭ(IЭ) и сравнить ее с экспериментальной кривой,

. Использовать значение ≈ 0,025 В для комнатной температуры.

  1. При постоянном токе эмиттера Iэ = 2 мА измерить зависимость параметров α , rб , rвх и rк от напряжения на коллекторе, изменяя его в пределах 5-12 В. Построить графики.

Соседние файлы в папке Описания вып.работ