Лр3

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МВЭ

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №3

по дисциплине «Твердотельная электроника»

Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ полевого транзистора с управляющим переходом»

Студент гр. 9201		Кобзев Д.О.
Преподаватель		Тупицын А. Д.

Санкт-Петербург

2022

Цель работы: исследование характеристик кремниевого полевого транзистора с p–n-переходом и определение его физико-топологических параметров.

Характеристики транзистора КП103:

Рассеиваемая мощность сток-исток: ..............................7 мВт

Напряжение отсечки транзистора: .................................0.4…1.5 В

Максимальное напряжение сток-исток: ........................10 В

Начальный ток стока: .......................................................0.3…2.5 мА

Крутизна характеристики полевого транзистора: ........0.4…2.4 мА/В

Рис. 1 – Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

Рис. 2 – Схема экспериментальной установки

Обработка результатов

Выходные характеристики транзистора:

В	0	-0,2	-0,6	-0,76	-0,8	-0,92	-0,96	-1
	0	-0,2	-0,6	-1	-1,2	-2	-3	-5

Таблица 1. Выходные характеристики транзистора при

В	0	-0,3	-0,4	-0,5	-1	-1,5	-2,5	-3,5	-5
	0	-0,08	-0,16	-0,18	-0,2	-0,21	-0,23	-0,24	-0,25

Таблица 2. Выходные характеристики транзистора при

В	0	-5
	0	-0,02

Таблица 3. Выходные характеристики транзистора при

Рис. 3 – Выходные характеристики транзистора

Передаточные характеристики транзистора:

В	0	-0,1	-0,2	-0,3	-0,4	-0,5	-0,6	-0,7	-0,8	-0,9
	1,1	0,96	0,78	0,6	0,58	0,36	0,24	0,18	0,1	0,04

Таблица 4. Передаточные характеристики транзистора при

В	0	-0,1	-0,2	-0,3	-0,4	-0,5	-0,6	-0,7	-0,8	-0,9
	0,8	0,66	0,56	0,44	0,36	0,24	0,18	0,1	0,08	0,04

Таблица 5. Передаточные характеристики транзистора при

Рис. 4 – Передаточные характеристики транзистора

При аппроксимации зависимостей пороговое напряжение затвора для случая U_c = 5 B составляет U_of = -0,96 B.

• Проводимость канала при :

• Проводимость канала при :

• Проводимость канала при :

Рис.5. График функции F(φ_K).

Определение уровня легирования р+ слоя.

Определение толщины эпитаксиальной пленки.

=

Определение длины канала.

Определение ширины эпитаксиальной пленки.

Вывод:

В результате выполнения данной лабораторной работы нами был исследован полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Мы построили и рассмотрели его выходные и передаточные характеристики (Рис. 3 и 4). Также нами была рассчитана проводимость канала, диффузионный потенциал и напряжение отсечки. В результате этих расчетов удалось определить физико-топологические параметры транзисторной структуры