9201_Рауан_ЛР2

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МВЭ

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №2

по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы»

Тема: «: «Определение параметров spice моделей»

Студент гр. 9201		Рауан М.
Преподаватель		Шевченко С.А.

Санкт-Петербург

2022

Задание 1. Расчет ВАХ SPICE-модели диода с параметрами, заданными по умолчанию

Рисунок 1. ВАХ диода

Рисунок 2. Таблица результатов моделирования диода

Рисунок 3. Прямой ВАХ диода в Pi-Spice

Рисунок 4. Результаты значений в PSpice.

Рисунок 5. ВАХ обратной ветви

Рисунок 6. ВАХ обратной ветви в PSpice

В результате моделирования диода в PSpice были рассчитаны данные параметры:

IS – Ток насыщения;

RS – Объёмное сопротивление;

IKF – ток перехода к высокому уровню инжекции;

CJO – барьерная емкость в отсутствии смещения;

M – коэффициент резкость p-n перехода;

VJ – контактная разность потенциалов;

ISR – рекомбинационный ток насыщения;

NR – коэффициент эмиссии;

BV – напряжение пробоя;

IBV – ток, соответствующий напряжению пробоя;

ТТ – время пролета носителей заряда через базу диода;

IS – ток насыщения, N – коэффициент эмиссии

Задание 2. Моделирование диода A931BCEX

Рисунок 7. ВАХ диода A931ВСЕХ

Рисунок 8. Таблица результатов моделирования диода А931ВСЕХ

Рисунок 9. Модель ВАХ диода А931ВСЕХ в PiSpice

Рисунок 10. Таблица параметров ВАХ диода А931ВСЕХ

В данной работе были рассчитаны ВАХ SPICE-модели диода А931ВСЕХ

Задание 3. Моделирование диода по экспериментальным ВАХ.

Для диода KD512A:

Рисунок 7. Входная ВАХ для диода KD512A

Рисунок 8. Зависимость обратного напряжения для данного диода

Рисунок 9. Обратный ВАХ диода

Рисунок 10. Обратный пробой

Рисунок 11. Зависимость времени от тока.

Параметры диода:

*DEVICE=diode, D

* diode1 D model

* created using Model Editor release 9.1 on 11/03/22 at 12:41

* Model Editor is an OrCAD product.

.MODEL diode1 D

+ RS=1.0000E-3

+ CJO=1.0000E-12

+ M=.3333

+ VJ=.75

+ ISR=100.00E-12

+ BV=100

+ IBV=100.00E-6

+ TT=5.0000E-9

В ходе работы были рассчитаны параметры диода по экспериментальным данным.