Лабы / 9206_Талгатулы_ЛР№2_Усикова

Вывод

В данной лабораторной работе было измерено удельное сопротивление полупроводниковых тонких пленок 4-х зондовым методом, суть которого заключается в пропускании постоянного тока чере одну пару зондов, а между другой парой измерять разность потенциалов.

Так как толщина резистивного диэлектрика тонкой пленки меньше расстояния между иголками S = 1 мм, при рассчёте была использована формула для тонкого образца (S ›› d), подразумевающая соответствующее соотношение между током, напряжением и удельным объемным сопротивлением. Была построена гистограмма распределения удельного сопротивления.

Также была построена зависимость удельного сопротивления от расстояния до диэлектрической границы при различных значениях тока (0,2 и 0,4 мА).

Были сделаны следующие выводы: результат исследования не изменится при смены местами токовых и потенциальных зондов, что связано с высоким качеством пластины, и как следствие равномерным растеканием заряда. Также было выяснено, что при приближении к границе образца, сопротивление растет, это связано с неравномерным растеканием заряда. Исследования показали, что при увеличении тока в 2 раза удельное сопротивление образца не меняется – закон Ома.