5 лаба / Lab_5

МИНОБРНАУКИ РОССИИ 

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 

«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА) 

Кафедра МИТ 

 

 

 

 

 

 

ОТЧЕТ 

по лабораторной работе № 5

по дисциплине «ОЭиРМ» 

ТЕМА: ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С

УПРАВЛЯЮЩИМ ПЕРЕХОДОМ

 

 

  

Студенты                        

 

Преподаватель

 

Санкт-Петербург

2023

Цель работы: проведение исследования выходных и передаточных характеристик полевого транзистора. Построение графиков и определение статических и динамических коэффициентов усиления транзистора. Рассчитать сопротивление канала при различных значениях напряжения между затвором и истоком. Построение графика нагрузочной характеристики как функции сопротивления канала от напряжения на затворе полевых транзисторов.

Основные теоретические положения.

Полевой транзистор (ПТ) – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, управляемый электрическим полем. Управление потоком основных носителей зарядов в канале осуществляется с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении. ПТ с управляющим переходом имеет два омических перехода в области полупроводника, по которой проходит управляемый и регулируемый поток основных носителей заряда и один или два управляющих p–n-перехода, смещенных в обратном направлении. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводящим каналом. Электрод ПТ, через который в проводящий канал входят носители заряда, называется истоком и обозначается точкой на эквивалентной схеме в среде MicroCap. Электрод ПТ, через который из канала выходят носители заряда, называется стоком. Электрод ПТ, на который подают сигнал – затвор.

Экспериментальные результаты

Схема включения полевого транзистора 2N4393.

Рисунок 1-Схема включения полевого транзистора

Передаточная характеристика полевого транзистора.

Рисунок 2-Передаточная характеристика полевого транзистора

Исходя из графика Ic=39,587мА, Vзи=-2,629 В.

Выходная характеристика полевого транзистора при различных Vзи.

Рисунок 3- Выходная характеристика полевого транзистора

Обработка результатов эксперимента

Измеренные значения заносятся в протокол по форме таблицы

Расчет сопротивлений канала при различных Vзи:

78Ом

87Ом

97Ом

103Ом

113Ом

Рисунок 4-зависимость U_uc от I_c

Вывод: в ходе лабораторной работы была получены несколько выходных и передаточных характеристик транзистора p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393, коэффициенты усиления. Рассчитано сопротивление канала при различных значениях напряжения между затвором и истоком.