лб5 / Лаб-5
.docxСАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
ИМ. ПРОФ. М.А.БОНЧ-БРУЕВИЧА
Факультет фундаментальной подготовки
Кафедра электроники и схемотехники
Отчёт
к лабораторной работе № 5
Исследование биполярного транзистора в режиме насыщения
исследование электронного ключа на биполярном транзисторе
|
|
Группа |
|
|
|
|
(номер группы) |
|
|
Выполнил студент |
|
|
|
|
|
|
|
(ФИО) |
Цель работ
Ход работы
|
UКЭ |
В |
0 |
0,025 |
0,050 |
0,080 |
0,105 |
0,140 |
0,180 |
0,260 |
1,00 |
IК |
мА |
0 |
1,5 |
3,0 |
5,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
9,6 |
10,0 |
Uкэ нас = 0,140 В r нас = 16 Ом
ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТРОНОГО КЛЮЧА
Uвх макс = 9,5 В и Uг макс = 9,5 В
U1 = Uвых макс = 10 В
U0 = Uвых мин = 90 мВ
Uл = 9,9 В
Санкт-Петербург