лб6 / tekstraboti6
.docxЛабораторная работа 6
Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора
Цель работы
Освоить методику экспериментального исследования статических характеристик биполярного транзистора.
Исследовать входную и управляющую характеристики и семейство выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Рассчитать значения малосигнальных параметров транзистора.
Подготовка к выполнению работы
Изучите разделы курса, посвященные биполярному транзистору, его статическим характеристикам и малосигнальным параметрам [1, п. 3.1, 3.5, 3.9].
Изучите порядок выполнения работы и подготовьте протокол для ее выполнения.
Порядок выполнения работы
1. Исследование входной и управляющей характеристик биполярного транзистора
Соберите схему, приведенную на рис. 6.1, установив напряжение источника питания E2 = Uкэ = 5 В (обозначения выводов транзистора приведены на рис. 6.2).
Рис.6.1
Рис. 6.2
Увеличивая напряжение источника питания E1, проследите за изменением токов базы Iб и коллектора Iк и напряжения Uбэ.
Зафиксируйте значение тока коллектора, близкое к максимально допустимому значению Iк макс = 20 мА, и соответствующие ему значения тока базы и напряжения Uбэ.
Уменьшая напряжение источника питания E1 до нуля, снимите зависимость тока базы от напряжения Uбэ (входную характеристику) и зависимость тока коллектора от напряжения Uбэ (управляющую характеристику транзистора); значения измеряемых величин записывайте в табл. 6.1 и одновременно отмечайте точки на графике 6.1.
Таблица 6.1
Uбэ |
В |
|
|
|
|
Iб |
мкА |
|
|
|
|
Iк |
мА |
|
|
|
|
2. Исследование семейства выходных характеристик биполярного транзистора
Используя график входной характеристики транзистора, определите максимальный ток базы Iб макс для исследуемого транзистора.
С помощью источника питания E2 установите максимально допустимое напряжение Uкэ макс = 10 В.
С помощью источника питания E1 установите ток базы Iб = 0,8 Iб макс.
Уменьшая напряжение источника питания E2 до нуля, снимите зависимость тока коллектора от напряжения Uкэ (выходную характеристику транзистора); значения измеряемых величин записывайте в табл. 6.2 и одновременно отмечайте точки на графике 6.2.
Таблица 6.2
Uкэ |
В |
|
|
|
|
Iк |
мА |
|
|
|
|
Аналогичным образом снимите выходные характеристики для токов базы Iб = 0,6 Iб макс и Iб = 0,4 Iб макс. Значения измеряемых величин записывайте в табл. 6.3 и 6.4, характеристики постройте на графике 6.2.
Таблица 6.3 (6.4)
Uкэ |
В |
|
|
|
|
Iк |
мА |
|
|
|
|
3. Расчет малосигнальных параметров биполярного транзистора
На входной и выходной характеристиках отметьте рабочие точки, соответствующие напряжению Uкэ = 5 В и току базы Iб = 0,6 Iб макс.
С помощью входной характеристики определите параметр h11э.
С помощью семейства выходных характеристик определите параметры h21э и h22э.
Приведите названия этих параметров и единицы их измерения.