лб7 / krabote7

К лабораторной работе № 7

Эта работа под номером пять приведена в изданной в 2010 году и представленной на сайте кафедры книжке («Электроника» методичка).

Работа очень простая, выполняется на постоянном токе. Работа рассчитана на два часа. Особых пояснений не требует. За исключением двух моментов.

Во-первых, поскольку напряжение затвор-исток n-канального транзистора отрицательно, семейство управляющих характеристик удобно строить во втором квадранте декартовой системы координат.

Во-вторых, при исследовании семейства управляющих характеристик необходимо определить пороговое напряжение затвор-исток, при котором ток стока становится равным нулю. Однако, при этом мы сталкиваемся с проблемой низкой (а точнее конечной) чувствительности наших миллиамперметров. При исследовании обратной ветви ВАХ кремниевого диода (см. работу № 2) мы уже сталкивались с ситуацией, при которой наши миллиамперметры не могут зарегистрировать ток меньший 0,5 мкА и высвечивают на табло ноль. Такая же ситуация неизбежно возникнет при определении порогового напряжения. При определенной величине напряжения затвор-исток (напомним, что это напряжение отрицательно) миллиамперметр покажет нулевой ток, и, строго говоря, эту величину напряжения и следует считать пороговой. Но, если использовать для измерения тока более чувствительный прибор, то он покажет при данном напряжении конечный (не равный нулю ток), и для получения тока равного нулю будет необходимо несколько увеличить напряжение затвор-исток (по модулю). В результате мы получим другое значение порогового напряжения.

Для того, чтобы исключить зависимость порогового напряжения транзистора (это параметр, который приводится в справочниках) от чувствительности измерительного прибора, поступают следующим образом. Задается малое значение тока (на два-три порядка меньшее максимального тока стока), но, в то же время, уверенно измеряемое достаточно грубыми приборами. И пороговым считается напряжение, при котором достигается именно это значение тока. В нашем случае это значение тока равно 10 мкА.

Крутизна управляющей характеристики транзистора измеряется во внесистемных единицах измерения: мА/В.

При расчете дифференциального выходного сопротивления в режиме насыщения приращение напряжения сток-исток следует выбирать таким, чтобы «не сваливаться» на начальный крутой участок.

При расчете дифференциального выходного сопротивления в линейном режиме приращение напряжения сток-исток следует отсчитывать от нуля, так, чтобы оно соответствовало самому начальному крутому участку характеристики и «не залезало» на более пологий насыщающийся участок.