лб7 / Лаб-7_ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

Группа

(номер группы)

Выполнил студент

(ФИО)

Цель работ

• Освоить методику экспериментального исследования статических характеристик полевых транзисторов.

• Исследовать семейства управляющих и выходных характеристик транзистора с управляющим p-n-переходом (ПТУП), включенного по схеме ОИ.

• Рассчитать значения малосигнальных параметров транзистора.

1. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА УПРАВЛЯЮЩИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Uси = 10 В Uзи пор = -1,85 В

Uзи

В

0

-0,11

-0,3

-0,4

-0,7

-0,9

-1,15

-1,4

-1,7

-1,85

Iс

мА

5,44

4,95

4,14

3,75

2,74

1,97

1,18

0,57

0,11

0,01

Uси = 5 В

Uзи

В

0

-0,11

-0,3

-0,4

-0,7

-0,9

-1,15

-1,4

-1,78

Iс

мА

5,3

4,8

4,0

3,6

2,6

1,8

1,00

0,42

0,01

2. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Uзи = 0 В

Uси

В

0

0,2

0,5

1,0

2,0

3,0

5,0

7,0

10,0

Iс

мА

0

1,6

2,4

3,6

4,7

5,15

5,3

5,38

5,44

Uзи = 0,25Uзи пор = -0,46 В

Uси

В

0

0,2

0,5

1,0

2,0

3,0

5,0

7,0

10,0

Iс

мА

0

1,2

1,8

2,5

2,9

3,15

3,3

3,4

3,5

Uзи = 0,5Uзи пор = -0,93 В

Uси

В

0

0,2

0,5

1,0

2,0

3,0

5,0

7,0

10,0

Iс

мА

0

0,45

0,7

1,1

1,4

1,6

1,8

1,9

2,0

3. РАСЧЕТ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

rс (Ом)

Uзи = 0

Uзи = - 0,46 В

Uзи = - 0,93 В

Uси = 0

125

166

444

Uси = 5 В