лб8 / Лаб-8_ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
.docxСАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
ИМ. ПРОФ. М.А.БОНЧ-БРУЕВИЧА
Факультет фундаментальной подготовки
Кафедра электроники и схемотехники
Отчёт
к лабораторной работе № 8
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ
|
|
Группа |
|
|
|
|
(номер группы) |
|
|
Выполнил студент |
|
|
|
|
|
|
|
(ФИО) |
Цель работ
|
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
UВХ |
В |
0 |
0,45 |
0,5 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
0,75 |
0,8 |
0,85 |
0,9 |
1,0 |
1,5 |
3,0 |
||||
IБ |
мкА |
0 |
0 |
3 |
9 |
18 |
29 |
42 |
54 |
69 |
83 |
115 |
250 |
730 |
||||
UВЫХ |
В |
5,0 |
5,0 |
4,9 |
4,5 |
3,8 |
2,95 |
1,75 |
0,65 |
0,15 |
0,10 |
0,08 |
0,05 |
0,03 |
||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
Переход ключа в отрытое состоянеи Uвх = 0,5 В Ток базы, при котором транзистор переходит в режим насыщения Iб мин = 3 мкА |
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
tз = 4 мкс; tф = 8 мкс; tp = 2 мкс; tc = 3 мкс |
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
Uмакс |
В |
2 |
4 |
8 |
||||||||||||||
tф |
мкс |
8 |
1 |
0,1 |
||||||||||||||
tр |
мкс |
2 |
6 |
8 |
||||||||||||||
Iб |
мкА |
303 |
606 |
1 212 |
||||||||||||||
n |
- |
1 |
2 |
4 |
||||||||||||||
|
Санкт-Петербург