1 и 2 контрольная / 2012 - 1кр / 3 вариант-2012
.doc3 вариант (1 контрольная)
3 вариант (1 контрольная)
1. Зависимость ΔG при образовании центров нуклеации от радиуса кристаллов:
а - имеет максимум, б - имеет минимум,
в - возрастает, г - уменьшается.
2. При гомогенной изотропной кристаллизации радиус критических зародышей при увеличении межфазного натяжения в системе:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не зависит, г - в разных системах по-разному.
3. При увеличении пересыщения в системе скорость образования центров кристаллизации:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не изменяется, г - в разных системах по-разному.
4. В модели Косселя-Странского образование новых рядов присоединения двухмерных зародышей возможно:
а - одновременно может заполняться два соседних ряда,
б - одновременно может заполняться неограниченное количество рядов,
в - по одному ряду может заполняться на всех гранях одновременно,
г - после завершения построения предыдущего.
5. Теория дислокаций - это теория роста:
а - неидеального кристалла,
б - идеального кристалла,
в - идеального кристалла при постоянной температуре,
г - идеального кристалла при постоянном давлении.
6. При уменьшении пересыщения растут кристаллы, ограненные:
а - меньшим количеством граней, б - большим количеством граней,
в - не влияет, г - нет закономерности.
7. Если растворимость соединения слабо зависит от температуры, то целесообразно использовать:
а - изотермическую кристаллизацию,
б - изогидрическую кристаллизацию,
в - и ту и другую,
г - в разных случаях по-разному,
8. Энтропийный фактор вносит большой вклад в устойчивость дисперсных систем, если частицы:
а - мелкие, б - крупные,
в - не имеет значения, г - нет закономерности.
9. Дисперсии сферических наночастиц золота размером более 100 нм имеют окраску:
а - красную,
б - желтую,
в - сине-фиолетовую,
г - зеленую.
10. При использовании метода Браста синтезируются наночастицы золота по сравнению с методом Туркевича:
а - такие же,
б - более мелкие,
в - более крупные,
г - другой формы, поэтому трудно сравнивать.
11. Для синтеза нановолокон серебра в этиленгликоле необходимы:
а - короткие новостержни серебра, предварительно синтезированные другим методом,
б - НЧ платины для гетерогенной кристаллизации серебра,
в - НЧ любого другого металла для гетерогенной кристаллизации серебра,
г - ничего не надо, рост нановолокон протекает самопроизвольно.
12. При синтезе магнитных наночастиц в водной среде необходимо:
а -использовать хлорид Fe3+ и частично восстановить ее до Fe2+,
б -использовать хлорид Fe2+ и частично окислить ее до Fe3+,
в - использовать смесь хлоридов двух- и трехвалентного железа,
г - использовать металлическое железо, при растворении которого в соляной кислоте образуется смесь двух солей.
13. При использовании метода молекулярных прекурсоров для синтеза полупроводниковых наночастиц в качестве молекулярных прекурсоров используются:
а - неорганическая соль металла и комплекс триоктилфосфина с Se (S или др.),
б - органометаллическое соединение Cd (или др.) и комплекс триоктилфосфина с Se (S или др.),
в - органометаллическое соединение Cd (или др.) и неорганическое соединение Se (S или др.),
г - неорганические соединения.
14. При синтезе полупроводниковых наночастиц по методу молекулярных прекурсоров анизотропные формы образуются:
а - при низких концентрациях мономеров,
б - при высоких концентрациях мономеров,
в - не зависит от концентраций мономеров,
г - в каждом конкретном случае по-разному.
15. Наночастицы, состоящие из сплава двух металлов, синтезируются:
а - при добавке веществ, снижающих поверхностное натяжение синтезируемых НЧ,
б - при добавке веществ, снижающих степень гидратации ионов в растворе,
в - при одновременном присутствии в растворе двух катионов,
г - при резком изменении температуры раствора.
16. Устойчивы ли дисперсии, содержащие наночастицы с оболочкой из SiO2, в изоэлектрической точке:
а - нет, сразу же происходит агрегация,
б - нет, происходит растворение оболочки,
в - нет, уменьшается адгезия SiO2 к поверхности НЧ, и они распадаются на НЧ и отдельные частицы SiO2,
г - да, устойчивы.
17. При использовании метода Штобера наиболее мелкие частицы SiO2 образуются:
а - бутаноле,
б - пропаноле,
в - этаноле,
г - метаноле.
18. Из-за высокой кривизны поверхности наночастиц металлов и оксидов металлов формирование оболочки SiO2 проводят в две стадии:
а - нанесение толстого слоя в растворе силиката натрия, затем модификация его поверхности - в растворе тетраалкилсиликата,
б - нанесение толстого слоя в растворе тетраалкилсиликата силиката натрия, затем модификация его поверхности - в растворе силиката натрия,
в - нанесение тонкого слоя в растворе тетраалкилсиликата, затем толстого слоя - в растворе силиката натрия,
г - нанесение тонкого слоя в растворе силиката натрия, затем толстого слоя - в растворе тетраалкилсиликата.
19. Можно ли (3-аминопропил)триметоксисиланом изменить адгезию SiO2 к поверхности наночастиц золота:
а - улучшится, но незначительно,
б - значительно улучшится,
в - ухудшится, но незначительно,
г - не изменится.
20. При синтезе полых структур, состоящих из Ag и Au, происходит образование отверстий из-за:
а - осаждения 1 атома золота и растворения 3 атомов серебра,
б - осаждения 1 атома золота и растворения 2 атомов серебра,
в - осаждения 1 атома серебра и растворения 3 атомов золота,
г - осаждения 1 атома серебра и растворения 2 атомов золота.