Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

1 и 2 контрольная / 2012 - 1кр / 2 вариант-2012

.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
13.02.2015
Размер:
38.4 Кб
Скачать

2 вариант (1 контрольная)

2 вариант (1 контрольная)

1. При образовании кристаллических зародышей:

В данном уравнении слагаемое σF:

а - больше 0, б - меньше 0,

в - равно 0, г - в разных системах по-разному.

2. При гомогенной изотропной кристаллизации радиус критических зародышей при увеличении пересыщения в системе:

а - уменьшается, б - увеличивается,

в - не зависит, г - в разных системах по-разному.

3. Как влияют поверхности раздела фаз (другие частицы, уже образовавшиеся кристаллы, стенки сосуда и др.) при гетерогенной кристаллизации на вероятность образовании зародышей новой фазы:

а - уменьшают, б - увеличивают,

в - не влияют, г - в разных системах по-разному.

4. При уменьшении диэлектрической проницаемости растворителя устойчивость пересыщенных растворов:

а - уменьшается, б - увеличивается,

в - не влияет, г - в разных системах по-разному.

5. Если в раствор с кристаллизующимся соединением добавить другое вещество, которое сильно гидратируется, то скорость образования центров кристаллизации:

а - не изменится,

б - уменьшится,

в - увеличится,

г - в разных системах по-разному.

6. Недостатком теории дислокаций является то, что она не учитывает:

а - конечной формы кристаллов,

б - механизм отложения вещества на гранях,

в - виды образующихся дефектов,

г - свойств среды и ее взаимодействия с растущим кристаллом.

7. Недостатком диффузионной теории роста кристаллов является то, что она не учитывает:

а - механизм перехода вещества из раствора в кристаллическую решетку,

б - конечную форму кристаллов,

в - адсорбцию двухмерных зародышей на поверхности граней,

г - все три варианта (а) + (б) + (в).

8. При увеличении пересыщения раствора скорость роста кристаллов:

а - больше скорости образования центров кристаллизации,

б - меньше скорости образования центров кристаллизации,

в - они приблизительно равны,

г - в разных системах по-разному.

9. Изогидрическая кристаллизация протекает при:

а - постоянной температуре,

б - постоянном давлении,

в - постоянной массе растворителя,

г - постоянной гидродинамической обстановке в реакционном сосуде.

10. Золи золота, синтезированные Фарадеем устойчивы из-за:

а - наличия адсорбционного слоя ПАВ,

б - электростатического отталкивания наночастиц,

в - структурирования водного раствора полимером,

г - хемосорбции веществ на поверхности.

11. В методе Туркевича в качестве прекурсора золота используется:

а - гидроксид золота,

б - хлорид золота,

в - золотохлористоводородная кислота,

г - оксид золота.

12. При использовании метода Браста для синтеза наночастиц золота в качестве восстановителя используется:

а - борогидрид натрия,

б - цитрат натрия,

в - лимонная кислота,

г - аскорбиновая кислота.

13. Рост наностержней золота протекает из-за:

а - подбора соответствующих концентрация восстановителя,

б - избирательной адсорбции ПАВ на определенных гранях нанокристалла,

в - добавок сильно гидратирующихся соединений,

г - добавок солей, сильно увеличивающих ионную силу раствора.

14. При получении магнитных жидкостей для стабилизации наночастиц наиболее часто используется:

а - пальмитиновая кислота,

б - пальмитат натрия,

в - олеиновая кислота,

г - олеат натрия.

15. В качестве молекулярного прекурсора Cd при синтезе полупроводниковых наночастиц по методу молекулярных прекурсоров наиболее часто используется:

а - дипропилкадмий,

б - диэтилкадмий,

в - метилэтилкадмий,

г - диметилкадмий.

16. Необходимо ли присутствие ПАВ при синтезе полупроводниковых наночастиц по методу молекулярных прекурсоров:

а - нет, так как образуются мелкие НЧ, которые не агрегируют из-за участия в броуновском движении,

б - нет, так как образуются НЧ, стабилизированные двойным электрическим слоем на поверхности,

в - да, для адсорбции на поверхности НЧ, что препятствует их агрегации,

г - да, для увеличения вязкости жидкой фазы.

17. Оболочка SiO2 на поверхности наночастиц металлов разрушается:

а - при низких рН,

б - при высоких рН,

в - при нейтральных рН,

г - не разрушается, устойчива при любых значениях рН.

18. Скорость образования частиц SiO2 по методу Штобера наиболее высокая в:

а - метаноле,

б - этаноле,

в - пропаноле,

г - бутаноле.

19. Чтобы получить оболочку золота на поверхности частиц SiO2 необходимо:

а - функционализировать поверхность SiO2 цитрат-ионами,

б - функционализировать поверхность SiO2 триоктилфосфиноксидом,

в - функционализировать поверхность SiO2 (3-аминопропил)триметоксисиланом,

г - функционализация не нужна, золото хорошо осаждается на поверхности частиц SiO2.

20. Для синтеза полых структур, содержащих ядро и несколько оболочек, в качестве исходных следует использовать наночастицы, содержащие:

а - чистое Au,

б - чистое Ag,

в - смесь НЧ Au и Ag,

г - такие структуры в природе не существуют.

Соседние файлы в папке 2012 - 1кр