1 и 2 контрольная / 2012 - 1кр / 2 вариант-2012
.doc2 вариант (1 контрольная)
2 вариант (1 контрольная)
1. При образовании кристаллических зародышей:
В данном уравнении слагаемое σF:
а - больше 0, б - меньше 0,
в - равно 0, г - в разных системах по-разному.
2. При гомогенной изотропной кристаллизации радиус критических зародышей при увеличении пересыщения в системе:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не зависит, г - в разных системах по-разному.
3. Как влияют поверхности раздела фаз (другие частицы, уже образовавшиеся кристаллы, стенки сосуда и др.) при гетерогенной кристаллизации на вероятность образовании зародышей новой фазы:
а - уменьшают, б - увеличивают,
в - не влияют, г - в разных системах по-разному.
4. При уменьшении диэлектрической проницаемости растворителя устойчивость пересыщенных растворов:
а - уменьшается, б - увеличивается,
в - не влияет, г - в разных системах по-разному.
5. Если в раствор с кристаллизующимся соединением добавить другое вещество, которое сильно гидратируется, то скорость образования центров кристаллизации:
а - не изменится,
б - уменьшится,
в - увеличится,
г - в разных системах по-разному.
6. Недостатком теории дислокаций является то, что она не учитывает:
а - конечной формы кристаллов,
б - механизм отложения вещества на гранях,
в - виды образующихся дефектов,
г - свойств среды и ее взаимодействия с растущим кристаллом.
7. Недостатком диффузионной теории роста кристаллов является то, что она не учитывает:
а - механизм перехода вещества из раствора в кристаллическую решетку,
б - конечную форму кристаллов,
в - адсорбцию двухмерных зародышей на поверхности граней,
г - все три варианта (а) + (б) + (в).
8. При увеличении пересыщения раствора скорость роста кристаллов:
а - больше скорости образования центров кристаллизации,
б - меньше скорости образования центров кристаллизации,
в - они приблизительно равны,
г - в разных системах по-разному.
9. Изогидрическая кристаллизация протекает при:
а - постоянной температуре,
б - постоянном давлении,
в - постоянной массе растворителя,
г - постоянной гидродинамической обстановке в реакционном сосуде.
10. Золи золота, синтезированные Фарадеем устойчивы из-за:
а - наличия адсорбционного слоя ПАВ,
б - электростатического отталкивания наночастиц,
в - структурирования водного раствора полимером,
г - хемосорбции веществ на поверхности.
11. В методе Туркевича в качестве прекурсора золота используется:
а - гидроксид золота,
б - хлорид золота,
в - золотохлористоводородная кислота,
г - оксид золота.
12. При использовании метода Браста для синтеза наночастиц золота в качестве восстановителя используется:
а - борогидрид натрия,
б - цитрат натрия,
в - лимонная кислота,
г - аскорбиновая кислота.
13. Рост наностержней золота протекает из-за:
а - подбора соответствующих концентрация восстановителя,
б - избирательной адсорбции ПАВ на определенных гранях нанокристалла,
в - добавок сильно гидратирующихся соединений,
г - добавок солей, сильно увеличивающих ионную силу раствора.
14. При получении магнитных жидкостей для стабилизации наночастиц наиболее часто используется:
а - пальмитиновая кислота,
б - пальмитат натрия,
в - олеиновая кислота,
г - олеат натрия.
15. В качестве молекулярного прекурсора Cd при синтезе полупроводниковых наночастиц по методу молекулярных прекурсоров наиболее часто используется:
а - дипропилкадмий,
б - диэтилкадмий,
в - метилэтилкадмий,
г - диметилкадмий.
16. Необходимо ли присутствие ПАВ при синтезе полупроводниковых наночастиц по методу молекулярных прекурсоров:
а - нет, так как образуются мелкие НЧ, которые не агрегируют из-за участия в броуновском движении,
б - нет, так как образуются НЧ, стабилизированные двойным электрическим слоем на поверхности,
в - да, для адсорбции на поверхности НЧ, что препятствует их агрегации,
г - да, для увеличения вязкости жидкой фазы.
17. Оболочка SiO2 на поверхности наночастиц металлов разрушается:
а - при низких рН,
б - при высоких рН,
в - при нейтральных рН,
г - не разрушается, устойчива при любых значениях рН.
18. Скорость образования частиц SiO2 по методу Штобера наиболее высокая в:
а - метаноле,
б - этаноле,
в - пропаноле,
г - бутаноле.
19. Чтобы получить оболочку золота на поверхности частиц SiO2 необходимо:
а - функционализировать поверхность SiO2 цитрат-ионами,
б - функционализировать поверхность SiO2 триоктилфосфиноксидом,
в - функционализировать поверхность SiO2 (3-аминопропил)триметоксисиланом,
г - функционализация не нужна, золото хорошо осаждается на поверхности частиц SiO2.
20. Для синтеза полых структур, содержащих ядро и несколько оболочек, в качестве исходных следует использовать наночастицы, содержащие:
а - чистое Au,
б - чистое Ag,
в - смесь НЧ Au и Ag,
г - такие структуры в природе не существуют.