Экзамен / Доп. вопросы / К предыдущим / 1-2
.docx
Дополнительные вопросы по предыдущим лекциям (в дополнения к присланным ранее общим вопросам).
1. Наилучшее пространственное разрешение в современных растровых электронных микроскопах.
до 0,4 нм (в лучшем случае до 1 нм)
2. Почему пространственное разрешение в режиме регистрации медленных вторичных электронов (энергия менее 50 эВ) существенно (более, чем на порядок) лучше, чем в режиме регистрации обратно-рассеянных электронов?
Растровый электронный микроскоп (РЭМ) близок по конструкции электронному микрозонду, но более приспособлен для получения изображений , нежели для анализа. Изображение формируется при сканировании пучка. Выбор того или иного типа изображений, определяется задачей – топография образца исследуется с использованием вторичных электронов, а состав – с использованием отраженных ( обратно-рассеянных) электронов. Под понятием «состав» подразумевается эффективный (средний) атомный номер, а не атомный номер конкретного элемента. Лучшее поперечное разрешение (локальность) в режиме «топография» достигает 10 нм, а в режиме «состав» - 100 нм.