Лабы 1 вариант / 7_1
.docxМинобрнауки России
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет
«Московский институт электронной техники»
Лабораторная работа №7 по дисциплине
«Схемотехника телекоммуникационных устройств: аналоговые устройства»
«Изучение основных способов уменьшения нелинейных искажений проходного
ключа в схемах на переключаемых конденсаторах»
Вариант 1
№ варианта |
Wn, мкм |
Ln,p, мкм |
Mn,Mp |
1 |
1 |
0.6 |
1 |
Таблица 1: Вариант
Исследуемая схема |
Входное напряжение, В |
Экспериментальное значение тока стока, А |
Экспериментальная проводимость ключа, А/В |
КМДП-ключ с компенсацией инжекции заряда |
0,1 Vdd |
445.614n |
445.614u |
0,5 Vdd |
117.877n |
11.877u |
|
0,9 Vdd |
89.2297n |
82.2297u |
|
КМДП-ключ с макс.линейностью проводимости |
0,1 Vdd |
|
|
0,5 Vdd |
|
|
|
0,9 Vdd |
|
|
|
n-МДП ключ с вольтодобавкой |
0,1 Vdd |
|
|
0,5 Vdd |
|
|
|
0,9 Vdd |
|
|
Ввод схемы формирования постоянных потенциалов по варианту
Рисунок 1 – Схема измерения проводимости КМДП ключа
Рисунок 2 – График зависимости тока и проводимости КМДП-ключа от входного напряжения
Рисунок 3 – Результат более точного анализа
Рисунок 4 – Установление тока через резистор
Моделирование схемы и подбор параметров транзисторов с целью получения требуемых рабочих характеристик
Рисунок 5 – Приближение рисунка 4
Рисунок 6 – Результаты параметрического анализа для vbn2
Рисунок 7 – Результаты моделирования с wtn = 510n
Рисунок 8 – Результаты параметрического анализа для vbp2
Рисунок 9 – Результаты моделирования с wtp = 2.745u
Рисунок 10 – Общая схема, где видно, что значения напряжений в узлах vbn2 и vbp2 совпадают со значениями по варианту
Вывод
При выполнении данной лабораторной работы было проведено моделирование источника опорного тока и каскодного источника смещений. Также были подобраны параметры транзисторов, чтобы работа схемы отвечала требованиям по заданию.
2022