Некоторые варианты 1ой КР по мэту
.docxВ21 2. Все чистые металлы с наиболее правильной кристаллической решеткой характеризуются наименьшими значениями удельного сопротивления. Микродефекты там создают значительное рассеяние, уменьшающее подвижность электронов, и, следовательно, приводит к росту удельного сопротивления. Т.к. нихром – это сплав, там влияние случайных примесей слабее сказывается на относительном изменении удельного сопротивления, чем у никеля. |
3. МОНОКРИСТАЛЛ - это отдельный кристалл с непрерывной кристаллической решеткой. ПОЛИКРИСТАЛЛЫ - это агрегаты хаотически ориентированных мелких кристаллов разного размера и неправильной формы, которые называются кристаллитами или кристаллическими зернами. Зерна в поликристаллах могут быть ориентированы хаотически или иметь ту или иную преимущественную кристаллографическую ориентацию. АМОРФНОЕ ВЕЩЕСТВО - это вещество, находящееся в твердом конденсированном состоянии, характеризующемся неупорядоченным расположением атомов и молекул. В аморфных веществах, в отличие от кристаллических, отсутствует дальний порядок в расположении частиц вещества, но присутствует ближний порядок, соблюдаемый на расстояниях, соизмеримых с размерами частиц. |
1. S=pi×d^2/4= 2.46*10^-7 м2 R=ρl/S= 17/41 Ом I=U/R= 41/170 А n=I×t/e = 1.5*10^19 |
В25 2. В магнитном поле снижается критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние. В сильном магнитном поле невозможна сверхпроводимость, ни при какой температуре. У сверхпроводников 1-го рода переход из сверхпроводящего состояние в состояние обычной электропроводимости под действием магнитного поля происходит скачкообразно, как только напряженность поля достигнет критического значения. Сверхпроводники 2-го рода переходят из одного состояния в другое постепенно.
|
3. Относительное изменение удельного сопротивления при изменении температуры на один кельвин называют температурным коэффициентом удельного сопротивления. Температурный коэффициент может считаться приблизительно постоянным в определенном диапазоне температур. |
1. ε=α(T2-T1)=1,5 мВ α=ε/(T2-T1)=1,5/(200-20) А) ε=1,5/(200-20)*(200-0)=5/3 мВ Б) ε=1,5/(200-20)*(200-100)=5/6 мВ |
В7 2. Чем выше разница в валентностях, тем выше рассеивание электронов на примесях. Влияние Ме примесей на снижение проводимости сказывается сильнее чем влияние примесей металлоидных элементов |
3. Вероятность обнаружения частицы на уровне Ферми составляет 0,5 при любых температурах, кроме T = 0. Самый высокий энергетический уровень потенциальный ямы Ме занятый электронами при Т=0к. |
|
В6 2. В нихроме, т.к. это сплав на основе самого никеля, а значит электроны в нем подвергаются дополнительному рассеянию на статических дефектах кристаллической решетки, которое не зависит от температуры. |
3. Монокристалл — отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств. Поликристаллы состоят из огромного числа мелких монокристаллов (кристаллических зёрен) .Аморфные вещества не имеют кристаллической структуры и в отличие от кристаллов не расщепляются с образованием кристаллических граней, как правило — изотропны, то есть не обнаруживают различных свойств в разных направлениях, не имеют определённой точки плавления. |
1. I=q/t q=I*t I=U/R R=ρl/S I=US/ρl q=USt/ρl |
В3 2. Критическая индукция магнитного поля Вс и критическая температура Тс. Электрон в металле ведет себя обычным образом как свободная частица. Электрон отталкивается другими электронами из-за их одинаковых зарядов , но он притягивается к положительным ионам, составляющим жесткую решетку металла. Это притяжение может искривлять решетку положительных ионов таким образом, что другие электроны также будут притягиваться. На большом расстоянии это взаимодействие между электронами из-за смещенных ионов может преодолеть электронное отталкивание и заставить их образовывать пары. |
3. Вещество является диэлектриком, когда валентная зона заполнена полностью, в высших зонах нет электронов, также отсутствует перекрытие зон. Вещество является полупроводником, если валентная зона разделена с соседними зонами узкой запрещающей зоной. Разделение веществ на полупроводники и диэлектрики весьма условно. Вещества с шириной запрещённой зоны более 3—4 эВ и менее 4—5 эВ совмещают свойства диэлектриков и полупроводников. В металлах валентная зона занята не полностью, и при воздействии на проводник разности потенциалов электроны могут свободно перемещаться из точек с меньшим потенциалом в точку с большим потенциалом. Отсутствует запрещенная зона. |
1. I=U/R j=I/S=U/RS R=ρl/S j=U/ρl |
В1 2. На высоких частотах наблюдается неравномерное распределение электрического тока по сечению проводников; плотность тока максимальна на поверхности и убывает по мере проникновения в глубь проводника. Это поверхностный эффект (скин). |
3. Виды проводников: Ме, электролиты и плазма. Ещё сплавы Ме и электролитов. |
1.
|
В2 2. Чистый металл имеет регулярную структуру - кристаллическую решётку. Сплав состоит из смеси разных кристаллических решёток и регулярность структуры нарушена. Получается больше помех для электронов. |
3. Электроны, принадлежащие изолированным атомам, имеют определённые дискретные значения энергии. В твёрдом теле энергетический спектр электронов существенно иной, он состоит из отдельных разрешённых энергетических зон, разделённых зонами запрещённых энергий. |
1. αR=αp-αl αR=(R2-R1)/R1(T2-T1) R1=R2/(αR(T2-T1)+1) R1=ρl/S l=R1S/ρ |
В22 2. Чем выше разница в валентностях, тем выше рассеивание электронов на примесях. Влияние Ме примесей на снижение проводимости сказывается сильнее чем влияние примесей металлоидных элементов |
3. Вероятность обнаружения частицы на уровне Ферми составляет 0,5 при любых температурах, кроме T = 0. Самый высокий энергетический уровень потенциальный ямы Ме занятый электронами при Т=0к. |
|
В13 2. Анизотропией особого рода в масштабах всего кристалла или его областей обладают ферромагнетики и сегнетоэлектрики. |
3. Поскольку удельное сопротивление металлов определяется в основном длиной свободного пробега электронов, то он будет зависеть от совершенства кристаллической решетки вещества. Добавка в медь цинка снижает – на 5, а фосфора 0,1 % |
3. n=Kя/V V=d3 |
В17 2. Примеры композиционных материалов: пластик, армированный борными, углеродными, стеклянными волокнами, жгутами или тканями на их основе; алюминий, армированный нитями стали, бериллия, различные смеси, термопласты и реактопласты, различные сплавы из макронеоднородных фаз, а также материалы порошковой металлургической индустрии, полимеры. Области применения: автомобилестроение, авиастроение, судостроение, ракетостроение, ветроэнергетика, спортивные товары, медицина |
3. Это обусловлено наличием в их кристаллических решётках подвижных электронов, перемещающихся под действием электрического поля. |
3. ρ= ρ0(1+ α)△T |
В14 2. Никак не изменится. Изменятся удельные сопротивления по отдельности. График зависимости удельного сопротивления от частоты:
|
3. Переход электронов улучшается с увеличением температуры, а удельное сопротивление лимитируется поверхностным сопротивлением участков подложки, где нет зерен металла. Поэтому с ростом температуры удельное сопротивление падает, а температурный коэффициент удельного сопротивления имеет отрицательный знак. |
3. N=4/a^3 n=3N=12/a^3 n1/n2 =(a2^3)/(a1^3 )=(a1+Δa)^3/(a1)^3 Δa=a1*αl*ΔT |