Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
shpory_silovaya_elektronika.doc
Скачиваний:
100
Добавлен:
08.03.2015
Размер:
15.12 Mб
Скачать

34. Принципы построения современных силовых биполярных транзисторов, основные параметры.

Стремление объединить в одном транзисторе положительные свойства биполярного и полевого транзисторов привело к созданию IGBT – транзистора (рис. 1., d).

IGBT – транзистор имеет низкие потери мощности во включенном состоянии подобно биполярному транзистору и высокое входное сопротивление цепи управления, характерное для полевого транзистора.

Рис. 1. Условно-графические обозначения транзисторов: a) – биполярный транзистор п-р-п-типа; b) – MOSFET-транзистор с каналом п-типа; c) – SIT-транзистор с управляющим p-n-переходом; d) – IGBT-транзистор.

Коммутируемые напряжения силовых IGBT – транзисторов, так же как и биполярных, не более 1200 В, а предельные значения токов достигают нескольких сот ампер при частоте 20 кГц.

Приведённые выше характеристики обуславливают области применения различных типов силовых транзисторов в современных силовых электронных устройствах. Традиционно применялись биполярные транзисторы, основной недостаток которых заключается в потреблении значительного тока базы, что требовало мощного оконечного каскада управления и приводило к снижению КПД устройства в целом.

Затем были разработаны полевые транзисторы, более быстродействующие и потребляющие небольшие мощности из системы управления. Основным недостатком МОП – транзисторов являются большие потери мощности от протекания силового тока, что определяется особенностью статической ВАХ.

В последнее время лидирующее положение в области применения занимают IGBT – транзисторы, сочетающие в себе достоинства биполярных и полевых транзисторов.

25. Характеристики управляющего перехода тиристора и параметры цепи управления.

Вольт-амперная характеристика управляющего перехода тиристора: Uт - отпирающее постоянное напряжение управления; 

Iт - отпирающий постоянный ток управления; 

А1 - область негарантированного отпирания; 

А2 - область гарантированного отпирания

Параметры, характеризующие силовую цепь тиристора:

1.Напряжение переключения: постоянное - , импульсное -  (десятки – сотни вольт).

2.Напряжение в открытом состоянии  – падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии ().

3.Обратное напряжение  – напряжение, при котором тиристор может работать длительное время без нарушения его работоспособности (единицы – тысячи вольт).

4.Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии  – максимальное значение прямого напряжения, при котором не происходит включение тиристора (единицы – сотни вольт).

5.Неотпирающее напряжение на управляющем электроде  – наибольшее напряжение, не вызывающее отпирание тиристора (доли вольт).

8.Запирающее напряжение на управляющем электроде  – напряжение, обеспечивающее требуемое значение запирающего тока управляющего электрода (единицы – десятки вольт).

7.Ток в открытом состоянии  – максимальное значение тока открытого тиристора (сотни миллиампер – сотни ампер).

8.Обратный ток  (доли миллиампер).

9.Отпирающий ток  – наименьший ток управляющего электрода, необходимый для включения тиристора (десятки миллиампер).

10.Ток утечки  – это ток, протекающий через тиристор с разомкнутой цепью управления при прямом напряжении между анодом и катодом.

11.Ток удержания  – минимальный прямой ток, проходящий через тиристор при разомкнутой цепи управления, при котором тиристор еще находится в открытом состоянии.

12.Время включения  – это время от момента подачи управляющего импульса до момента снижения напряжения  тиристора до 10 % от начального значения при работе на активную нагрузку (единицы – десятки микросекунд).

13.Время выключения , называемое также временем восстановления управляющей способности тиристора. Это время от момента, когда прямой ток тиристора становится равным нулю, до момента, когда прибор снова будет способен выдерживать прямое напряжение между анодом и катодом. Это время в основном определяется временем рассасывания неосновных носителей в зонах полупроводника (десятки - сотни микросекунд).

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]