Электронная Оже-спектроскопия (ЭОС)
Применение метода ЭОС делает возможным:
1.Элементный анализ приповерхностного слоя с разрешением по глубине 0,5-1,0нм, и чувствительностью О.1-О.5%ат.
2.Определение концентраций элементов в относительных и абсолютных единицах с точностью 1-20%.
3.Исследование профилей концентраций элементов по глубине (послойная ЭОС), куда входит:
3.1. Определение толщин пленок и толщин границ раздела между тонкими пленками с разрешением до 3,0нм.
3.2.Исследование диффузионных процессов.
3.3.Исследование сегрегации элементов и сегрегации примесей на границах зерен. 3.4.Анализ фазового состава и межфазных взаимодействий (факторный анализ).
4.Определение профилей концентраций элементов по поверхности.
5.Идентификация частиц и включений на поверхности образцов (диаметром >0.1мкм).
6.Измерение энергетических положений остовных уровней атомов и исследование энергетических сдвигов уровней при переходе от объема к поверхности.
7.Исследование изменений плотности электронных состояний в валентной зоне в зависимости от видов химических связей и количества, входящих в эти связи элементов.
8.Исследование переноса заряда с атома на атом при образовании между ними химической связи.
Оже-спектрометр ‘’Шхуна-2’’
Профили концентраций элементов в ат/см2, полученные методом послойной ЭОС при исследовании эталона D2
Концентрация Сх, 1015ат/см2 |
• Вольфрам 7,27 1016 |
ат/см2 ( 1 %), |
|
титан 3,38 1016 ат/см2 ( 1%)
•По результатам послойной ЭОС:
Вольфрам - 6,19 1016 ат/см2 - относительная погрешность 14,4%, титан - 2,82 1016 ат/см2 -
относительная погрешность 1б%.
Толщина d. нм
Определение химического состава методом ЭОС
Оже-спектры N(E) от
Ti, TiN и TiAlxNy
В оже-электронных спектрах могут проявляться (в виде структуры, изменения формы и ширины) детали, вследствие изменения химических связей и строения энергетических зон твердого тела.
Изображение анализируемой поверхности
• Изображение поверхности 12Х18Н10Т после облучения электронным пучком.
• Рамками обозначена площадь, на которой проводилось исследование элементного состава.
Профилометрия
Внешний вид ЗD- профилометра MICRO MEASURE 3D station;
Возможности
•Трехмерное изображение участка (80х50мкм2) объект- микрометра (ширина штриха 2мкм, расстояние между штрихами 5 мкм)
Оптическое изображение Трехмерное изображение объект-микрометра участка (70х17мкм2)
объект-микрометра
Трехмерное изображение эталона из стекла
Оптическое изображение эталона из стекла
Применение
Трехмерное изображение поверхности упрочняющего четырехслойного покрытия TiN-TiC-TiNC- TiC на BK после проведения послойной ЭОС.