Elektronnaya_tehnika_1_Gulin
.doc
|
Тест |
Электронная техника |
|
Тема |
Физические основы полупроводниковых приборов |
|
В1 |
Что такое электронно-дырочный переход? |
|
О+ |
Это переходный слой между областями полупроводника с электропроводностью p- и n- типа |
|
О |
Это переход атома полупроводника из одного состояния в другое |
|
О |
Это переход между различными состояниями вещества |
|
О |
Это переход между собственным и примесным полупроводником |
|
В1 |
Какое включение p-n перехода называется прямым? |
|
О+ |
Включение p-n перехода, при котором происходит снижение потенциального барьера, при котором протекает относительно большой ток |
|
О |
Включение, при котором питание диода осуществляется напрямую от источника питания |
|
В2 |
Что представляет собой прямой ток через p-n переход? |
|
О+ |
Ток диффузии, образованный основными носителями заряда |
|
О+ |
Тепловой ток |
|
О |
Ток, при котором питание диода осуществляется напрямую от источника питания |
|
В2 |
Что представляет собой обратный ток через p-n переход? |
|
О+ |
Ток, образованный неосновными носителями заряда |
|
О+ |
Тепловой ток |
|
О |
Это ток, текущий от приемника к источнику |
|
В1 |
Какое включение p-n перехода называется обратным? |
|
О+ |
Включение, при котором происходит повышение потенциального барьера |
|
О |
Включение, при котором питание диода осуществляется напрямую от источника питания |
|
О |
Включение p-n перехода, при котором происходит снижение потенциального барьера, при котором протекает относительно большой ток |
|
В2 |
Что такое инжекция неосновных носителей заряда |
|
О+ |
Процесс введения носителей заряда из области, где они были основными в область,где они становятся неосновными через пониженный потенциальный барьер |
|
О+ |
При прямом включении pn-перехода |
|
О |
Процесс отвода неосновных носителей заряда в смежную область через pn- переход |
|
О |
Когда на него подано обратное напряжение |
|
В2 |
Что такое экстракция неосновных носителей заряда? |
|
О+ |
Процесс отвода неосновных носителей заряда в смежную область через pn- переход |
|
О+ |
Когда на него подано обратное напряжение |
|
О |
При прямом включении pn-перехода |
|
В1 |
Что такое электрический пробой p-n перехода? |
|
О+ |
Это обратимое резкое увеличение дифференциальной проводимости при достижении обратным напряжением критическим для этого перехода |
|
О |
Это необратимое резкое увеличение дифференциальной проводимости при достижении обратным напряжением критическим для этого перехода |
|
В1 |
Что такое тепловой пробой p-n перехода? |
|
О+ |
Это необратимое резкое увеличение дифференциальной проводимости при достижении обратным напряжением критическим для этого перехода |
|
О |
Это обратимое резкое увеличение дифференциальной проводимости при достижении обратным напряжением, критическим для этого перехода |
|
О |
Это пробой, возникающий при нагреве транзистора |
|
В1 |
Почему барьерная ёмкость зависит от приложенного к p-n переходу напряжения? |
|
О+ |
Потому что при этом изменяется толщина pn-перехода |
|
О |
Потому что происходит электрический пробой |
|
О |
Потому что добавляется паразитная ёмкость монтажа |
|
Тема |
Полупроводниковые диоды |
|
В1 |
Почему характеристика обратного тока выпрямительного диода, снятая при комнатной температуре, отличается от идеальной характеристики pn-перехода? |
|
О+ |
Из-за возникновения токов термогенерации и утечки |
|
О |
Из-за несовершенства конструкции диода |
|
О |
Из-за усталости материала |
|
В2 |
Почему выпрямительные диоды изготавливают, как правило, из кремния |
|
О+ |
Потому что у них меньше обратный ток |
|
О+ |
Потому что пробой происходит при более высоком напряжении |
|
О |
Потому что требуется меньшее напряжение питания |
|
В1 |
Как определяется сопротивление диода постоянному току? |
|
О+ |
Как отношение прямого тока к прямому напряжению в выбранной рабочей точке |
|
О |
Как отношение прямого тока к прямому напряжению |
|
О |
Отношение приращения прямого напряжения на диоде к вызванному им приращению тока |
|
В1 |
Что такое дифференциальное сопротивление диода постоянному току? |
|
О+ |
Отношение приращения прямого напряжения на диоде к вызванному им приращению тока |
|
О |
Как отношение прямого тока к прямому напряжению |
|
О |
Как отношение прямого тока к прямому напряжению в выбранной рабочей точке |
|
В1 |
Время восстановления обратного сопротивления диода это: |
|
О+ |
Интервал времени от момента переключения до момента, когда обратный ток уменьшится до заданного уровня |
|
О |
Время переключения диода |
|
О |
Время выключения диода |
|
В1 |
Почему на СВЧ хорошо работают диоды Шотки? |
|
О+ |
Из-за высокого быстродействия при переключении из прямого состояния в обратное и наоборот |
|
О |
Из-за большого прямого тока |
|
О |
Из-за большого обратного тока |
|
В1 |
Особенностью СВЧ диодов является: |
|
О+ |
Малая площадь pn- перехода |
|
О |
Тем, что у них используется прямая ветвь ВАХ |
|
О |
Нет особенностей |
|
В1 |
Из какого полупроводникового материала изготавливаются стабилитроны? |
|
О+ |
Из кремния |
|
О |
Из германия |
|
О |
Из арсенида галлия |
|
О |
Из индия |
|
В2 |
Чем отличается стабистор от стабилитрона? |
|
О+ |
Тем, что они используются для стабилизации напряжения менее 3В |
|
О+ |
Тем, что у них используется прямая ветвь ВАХ |
|
О |
Ничем |
|
В1 |
Что такое варикап? |
|
О+ |
Полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость, величина которой варьируется при изменении обратного напряжения |
|
О |
СВЧ диод |
|
О |
Выпрямительный диод |
|
О |
Импульсный диод |
|
В1 |
Выберите условное изображение выпрямительного диода |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное изображение стабилитрона |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное изображение варикапа |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное изображение туннельного диода |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное изображение диода Шотки |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Расшифруйте обозначение диода: ГИ304Б |
|
О+ |
Германиевый туннельный диод |
|
О |
Германиевый импульсный диод |
|
О |
Кремниевый выпрямительный диод |
|
О |
Арсенид- галлиевый варикап |
|
В1 |
Расшифруйте обозначение диода: КС196А |
|
О+ |
Кремниевый стабилитрон |
|
О |
Германиевый выпрямительный диод |
|
О |
Кремниевый туннельный диод |
|
В1 |
Расшифруйте обозначение диода: ГД507А |
|
О+ |
Германиевый импульсный диод |
|
О |
Арсенид- галлиевый варикап |
|
О |
Кремниевый выпрямительный диод |
|
В1 |
Расшифруйте обозначение диода: 2А601А |
|
О+ |
Кремниевый СВЧ диод |
|
О |
Германиевый импульсный диод |
|
О |
Кремниевый туннельный диод. |
|
Тема |
Биполярные транзисторы |
|
В1 |
Выберите условное обозначение npn- транзистора |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное обозначение pnp- транзистора. |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В2 |
Сущность процесса инжекции неосновных носителей заряда состоит в том, что: |
|
О+ |
Процесс введения носителей заряда из области, где они были основными, в область, где они становятся неосновными, через пониженный потенциальный барьер |
|
О+ |
При прямом включении pn-перехода |
|
О |
Процесс отвода неосновных носителей заряда в смежную область через pn- переход |
|
О |
Когда на него подано обратное напряжение |
|
В2 |
Основные недостатки схемы с ОБ. |
|
О+ |
Дифференциальное входное сопротивление – низкое |
|
О+ |
Выходное сопротивление – велико |
|
О+ |
Нет усиления по току |
|
О |
Большое входное сопротивление |
|
О |
Сильное влияние ёмкости СКЭ |
|
В2 |
Достоинства схемы с ОБ. |
|
О+ |
Хорошие температурные свойства |
|
О+ |
Хорошие частотные свойства |
|
О |
Дифференциальное входное сопротивление – низкое |
|
О |
Нет усиления по току |
|
В1 |
Выберите схему с ОБ |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В2 |
Достоинства схемы с ОЭ. |
|
О+ |
Большее, чем в схеме с ОБ.входное сопротивление. |
|
О+ |
Большой коэффициент усиления по напряжению и по току, а следовательно, и по мощности. |
|
О+ |
Меньшее, чем в схеме с ОБ выходное сопротивление. |
|
О |
Нет усиления по току |
|
О |
Хорошие температурные свойства |
|
В2 |
Недостатки схемы с ОЭ. |
|
О+ |
Худшие, по сравнению со схемой с ОБ, температурные свойства |
|
О+ |
Худшие, по сравнению со схемой с ОБ частотные свойства |
|
О |
Дифференциальное входное сопротивление – низкое |
|
О |
Нет усиления по току |
|
В1 |
Выберите схему с ОЭ. |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите схему с ОК. |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В2 |
Достоинства схемы с ОК. |
|
О+ |
Входное сопротивление – высокое |
|
О+ |
Выходное сопротивление – низкое |
|
О |
Входное сопротивление – низкое |
|
О |
Выходное сопротивление – велико |
|
О |
Нет усиления по току |
|
В1 |
Недостатки схемы с ОК. |
|
О+ |
Нет усиления по напряжению |
|
О |
Входное сопротивление – низкое |
|
О |
Выходное сопротивление – велико |
|
О |
Входное сопротивление – высокое |
|
О |
Выходное сопротивление – низкое |
|
В1 |
Почему система h-параметров имеет наибольшее применение на практике? |
|
О+ |
Наиболее простая система измерения |
|
О |
Наиболее простая система расчетов |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В2 |
Чем определяется режим работы транзистора? |
|
О+ |
Режим работы транзистора определяется напряжением на коллекторе |
|
О+ |
Режим работы транзистора определяется током эмиттера |
|
О |
Режим работы транзистора определяется током коллектора |
|
О |
Режим работы транзистора определяется потребляемым током |
|
В2 |
Как зависит параметры транзистора от температуры? |
|
О+ |
При нагревании транзистора сопротивление базы и закрытого коллекторного перехода уменьшается |
|
О+ |
При нагревании транзистора возрастает обратный ток коллектора |
|
О+ |
Ток коллектора увеличивается |
|
О+ |
Напряжение UКЭ уменьшается |
|
О |
При нагревании транзистора сопротивление базы и закрытого коллекторного перехода увеличивается |
|
О |
При нагревании транзистора падает обратный ток коллектора |
|
В2 |
Чем определяется снижение на высоких частотах усилительной способности транзистора? |
|
О+ |
Наличие барьерных ёмкостей на р-n переходах |
|
О+ |
Возникновение разности фаз между токами эмиттерами и коллектора |
|
О |
Отсутствие барьерных ёмкостей на р-n переходах |
|
В1 |
Что такое предельная частота? |
|
О+ |
Предельной частотой называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается в √2 раз |
|
О |
Предельной называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается до 1 |
|
О |
Предельной частотой называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается до 0 |
|
В1 |
Что такое граничная частота? |
|
О+ |
Граничной частотой называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается до 1 |
|
О |
Граничной частотой называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается в √2 раз |
|
О |
Граничной частотой называется такая частота, на которой коэффициент усиления уменьшается до 0 |
|
В1 |
В каком случае транзистор имеет лучшие частотные свойства: |
|
О+ |
В схеме с ОБ |
|
О |
В схеме с ОЭ |
|
О |
В схеме с ОК |
|
В1 |
КТ 315 это: |
|
О+ |
Кремниевый биполярный маломощный высокочастотный транзистор. |
|
О |
Германиевый биполярный мощный высокочастотный транзистор |
|
О |
Арсенид-галлиевый биполярный мощный низкочастотный транзистор |
|
В1 |
Режим насыщения - это: |
|
О+ |
Режим, когда оба перехода - и эмиттерный, и коллекторный открыты |
|
О |
Режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт |
|
О |
Режим, при котором оба его перехода закрыты (и эмиттерный и коллекторный) |
|
В1 |
Режим отсечки это: |
|
О+ |
Режим, при котором оба его перехода закрыты (и эмиттерный и коллекторный) |
|
О |
Режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт |
|
О |
Режим, когда оба перехода - и эмиттерный, и коллекторный открыты |
|
В1 |
Линейный режим это: |
|
О+ |
Режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт |
|
О |
Режим, когда оба перехода - и эмиттерный, и коллекторный открыты |
|
О |
Режим, при котором оба его перехода закрыты (и эмиттерный и коллекторный) |
|
Тема |
Полевые транзисторы |
|
В1 |
При большом входном сопротивлении: |
|
О+ |
Требуется малая мощность управления |
|
О |
Требуется большая мощность управления |
|
О |
Падает коэффициент передачи |
|
В2 |
Почему полевые транзисторы с управляющим pn-переходом не должны работать при прямом напряжении на затворе? |
|
О+ |
При этом pn- переход открыт |
|
О+ |
Поперечное сечение канала не изменяется |
|
О+ |
Не происходит управления выходным током |
|
В1 |
Режимом обогащения называется: |
|
О+ |
Процесс увеличения количества носителей заряда в токопроводящем канале |
|
О |
Процесс уменьшения количества носителей заряда в токопроводящем канале при их выталкивании из канала |
|
В1 |
Режимом обеднения называется: |
|
О+ |
Процесс уменьшения количества носителей заряда в токопроводящем канале при их выталкивании из канала |
|
О |
Процесс увеличения количества носителей заряда в токопроводящем канале |
|
В1 |
Полевые МДП- транзисторы со встроенным каналом могут работать при: |
|
О+ |
Любой полярности поданного на вход напряжения |
|
О |
Только в режиме обеднения |
|
О |
Только в режиме обогащения |
|
В2 |
Полевые МДП-транзистор с индуцированным каналом каналом могут работать при: |
|
О+ |
Только в режиме обогащения |
|
О |
Любой полярности поданного на вход напряжения |
|
О |
Только в режиме обеднения |
|
В1 |
Какие из полевых транзисторов при прочих равных условиях могут работать на более высоких частотах? |
|
О+ |
С n-каналом |
|
О |
С p-каналом |
|
О |
Нет верного ответа |
|
В1 |
Какие из полевых транзисторов при прочих равных условиях могут работать на более высоких частотах? |
|
О |
Двухзатворные |
|
О |
Однозатворные |
|
О |
Нет верного ответа |
|
В1 |
Выберите условное обозначение полевого транзистора с управляющим pn-переходом n-типа |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное обозначение полевого транзистора с управляющим pn-переходом n-типа |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное обозначение полевого МДП транзистора со встроенным каналом. |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное обозначение полевого МДП транзистора с индуцированным каналом. |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
Тема |
Тиристоры |
|
В1 |
Выберите условное обозначение динистора |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
О |
|
|
В1 |
Выберите условное обозначение неуправляемого симистора |
|
О+ |
|
|
О |
|
|
Тема |
Усилители и генераторы |
|
В1 |
Какова роль источника питания в процессе усиления сигнала? |
|
О+ |
Это источник энергии, которая используется для усиления сигнала. |
|
О |
Это источник усиливаемого сигнала |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Что такое каскад усиления? |
|
О+ |
Это совокупность усилительного элемента со всеми дополнительными элементами, обеспечивающими заданный режим работы |
|
О |
Это усилитель |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Чем определяется число каскадов усиления? |
|
О+ |
Необходимой амплитудой выходного сигнала |
|
О |
Помехами |
|
О |
Температурой окружающей среды |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Линейные искажения обусловлены : |
|
О+ |
Неравномерностью частотной характеристики усилителя |
|
О |
Неравномерностью амплитудной характеристики усилителя |
|
В1 |
Как оценивают нелинейные искажения? |
|
О+ |
По величине коэффициента нелинейных искажений |
|
О |
По величине помех на выходе усилителя |
|
О |
По величине динамического диапазона |
|
В1 |
Как влияет ООС на АЧХ усилителя? |
|
О+ |
Расширяет диапазон рабочих частот усилителя |
|
О |
Сужает диапазон рабочих частот усилителя |
|
О |
Не влияет на АЧХ |
|
В1 |
Как влияет ООС на нелинейные искажения усилителя? |
|
О+ |
Снижает |
|
О |
Увеличивает |
|
О |
Не влияет |
|
В1 |
Как влияет ООС на коэффициент усиления? |
|
О+ |
Снижает |
|
О |
Увеличивает |
|
О |
Не влияет |
|
В1 |
Определите коэффициент усиления в дБ, если Uвх=20мВ, Uвых=2В |
|
О+ |
40 |
|
О |
10 |
|
О |
20 |
|
О |
60 |
|
В2 |
Определите режимы работы УЭ с отсечкой выходного тока |
|
О+ |
B |
|
О+ |
C |
|
О+ |
D |
|
О |
А |
|
В1 |
Определите режимы работы УЭ без отсечки выходного тока |
|
О+ |
А |
|
О |
В |
|
О |
С |
|
О |
D |
|
В2 |
Какими факторами ограничивается динамический диапазон усилителя? |
|
О+ |
Шумами усилителя |
|
О+ |
ВАХ усилительного прибора |
|
О |
Уровнем помех на выходе усилителя |
|
О |
Уровнем помех на входе усилителя |
|
В1 |
Что такое РКПУ? |
|
О+ |
Резисторный каскад предварительного усиления |
|
О |
Резервный контур питания усилителя |
|
О |
Реактивный контур передачи усиления |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Что такое УПТ? |
|
О+ |
Усилитель постоянного тока |
|
О |
Устройство питания термопары |
|
О |
Усилитель на полевом транзисторе |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Что такое ОУ? |
|
О+ |
Операционный усилитель |
|
О |
Опорное устройство |
|
О |
Оценка усилителя |
|
О |
Нет правильного ответа |
|
В1 |
Как изменяются нелинейные искажения с ростом амплитуды сигнала? |
|
О+ |
Растут |
|
О |
Уменьшаются |
|
О |
Не изменяются |
|
В1 |
Можно ли усиливать медленно изменяющиеся во времени сигналы с помощью усилителя переменного тока? |
|
О+ |
Нет |
|
О |
Да |
