- •111Equation Chapter 1 Section 1минобрнауки россии
- •1. Общие сведения о цкп
- •2. Области и основные направления научных исследований
- •3. Лаборатории
- •4. Методики
- •5. Оборудование
- •6. Расчет поля постоянного цилиндрического магнита.
- •Текст программы для расчета составляющих магнитной индукции в MatLab
111Equation Chapter 1 Section 1минобрнауки россии
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
ЯРОСЛАВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
КАФЕДРА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
КАФЕДРА НАНОТЕХНОЛОГИЙ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
ДНЕВНИК
производственной практики
Студента 4 курса Ольшанова Дмитрия Валерьевича
Учебной группы МЭ-41 СО/010803.65
Вид практики: производственная
Сроки практики: 6.07.2012 – 19.07.2012
Место практики Ярославский Филиал Учреждения Российской академии наук Физико-Технологического института РАН (ЯФ ФТИАН)
Руководитель практики: с.н.с. Постников А.В.
________________________
(подпись студента)
Ярославль 2012 г.
Тема практики:
Расчет магнитного поля постоянного цилиндрического магнита
Задание на производственную практику и календарный план выполнения работ:
1. Знакомство с текущей научной деятельностью Ярославского Филиала Учреждения Российской академии наук Физико-Технологического института РАН (ЯФ ФТИАН)
2. Расчет магнитного поля постоянного цилиндрического магнита.
Задание выдал: ________________________________________________
(подпись руководителя, дата)
Задание получил: ______________________________________________
(подпись студента, дата)
Заключение научного руководителя (заполняется после завершения практики)
__________________________
(подпись, фамилия руководителя)
1. Общие сведения о цкп
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» (ЦКП ДМНС) создан при Ярославском госуниверситете 1 ноября 2006 г., приказ № 382, решение Ученого совета ЯрГУ от 24.10.2006 г.
C 07.11.2007 г. ЦКП ДМНС - интегрированное структурное подразделение ЯрГУ и ФТИАН.
С июня 2008 г. Центр участвует в мероприятиях Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
2. Области и основные направления научных исследований
Комплексные исследования в области микро- и наноэлектроники. Разработка физических, технологических и метрологических основ создания критических элементов структур интегральных приборов наноэлектроники. Методы диагностики микро- и наноструктур электроники, наноматериалов, биоорганических нанообъектов. Разработка нанокомпозитных и наноструктурированных материалов для солнечной энергетики и химических источников тока.
3. Лаборатории
1. Лаборатория диагностики микро- и наноструктур
2. Лаборатория наноэлектроники и спинтроники
3. Лаборатория исследования формирования многослойных структур.
4. Лаборатория физики и технологии наноструктур.
4. Методики
Вторичная ионная масс-спектрометрия:
- послойный физико-химический анализ конструкционных материалов;
- послойный анализ функциональных элементов интегральных микросхем;
- послойный анализа сверхрешеток;
- контроль дозы легирующих примесей в полупроводниках и структурах на их основе;
- физико-химический анализ микрочастиц с размерами менее 0,1 мкм
- трехмерный анализа распределения элементов;
- исследования примесей и дефектов в кристаллах и минералах;
- физико-химический анализ биоорганических нанообъектов;
- количественный микроанализ для геологии и экологии.
Сканирующая электронная микроскопия:
- исследование морфологии и дефектоскопия конструкционных материалов и деталей;
- исследование наночастиц и наноматериалов;
- исследование и диагностика приборов микро- и наноэлектроники;
- исследование биологических нанообъектов;
- исследование материалов химической промышленности.
Сканирующая зондовая микроскопия и профилометрия:
- исследование топографии поверхности конструкционных материалов;
- исследование морфологии поверхности полимерных и органических материалов;
- исследование поверхности материалов и приборов микро- и наноэлектроники;
- исследование биомакромолекул и живых клеток.
- диагностика образцов в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения;
- электрофизические измерения структур микро- и наноэлектроники в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения;
- нанолитографии в 3D-нанозондовай системе субатомарного разрешения;
- спектроскопические исследования структур микро- и наноэлектроники в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения.
Рентгеноструктурный анализ:
- определение одной или нескольких фаз в неизвестной пробе;
- количественное определение известных фаз в смеси;
- определение структуры кристаллов и параметров элементарной ячейки;
- анализ поведения вещества в различных газовых средах, если структура кристаллов изменяется при изменении температуры, давления или газовой фазы;
- анализ поверхности и тонких пленок;
- анализ текстуры, возникающей в условиях прокатки, волочения
Просвечивающая электронная микроскопия:
- контроль продуктов современных литографических технологий;
- исследование микро- и нанорельефа поверхности образца и получение стереоизображения топографии поверхности;
- анализ распределения химических элементов в объекте (на основе рентгеноспектрального анализа);
- исследование точечных и линейных дефектов материалов – вакансий и дислокаций;
- анализ распределения потенциалов в сложных микроизделиях;
- исследование распределения магнитных полей в образце;
- метрология микроизделий.
Оже-спектроскопия
- сканирующая электронная микроскопия;
- оже-электронная спектроскопия;
- сканирующая электронная микроскопия и оже-электронная спектроскопия.
Фотовольтаика
измерение и анализ световых и темновых вольтамперных характеристик солнечных элементов.