Cursov2 / Задание на КР по ПТУП
.doc
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
Студент_____________________________________Код_____________Группа______________
фамилия, инициалы
1. Тема: Расчет параметров полевого транзистора с управляющим
p-n-переходом
Срок предоставления проекта (работы) к защите
«___»_____________200 г.
-
Исходные данные для проектирования
3.1. Толщина эпитаксиальной пленки канала и концентрации примесей в канале и подложке.
3.2. Концентрация примеси и глубина залегания переходов истока и стока.
3.3. Размеры канала.
По заданным концентрациям и глубинам залегания переходов рассчитать напряжение отсечки и крутизну транзистора, построить передаточную и три выходных характеристики транзистора при разных напряжениях на затворе.
-
Содержание пояснительной записки курсовой работы:
4.1.Титульный лист и лист задания на курсовую работу.
4.2.Расчеты основных электрических параметров.
4.3.Вольтамперные характеристики.
-
Перечень графического материала
5.1.Физическая структура транзистора с обозначениями областей и глубин залегания слоев и переходов.
5.2.Топология транзистора.
5.3.Передаточная и выходные характеристики транзистора.
5.4.Зависимости основных электрических параметров от толщины эпитаксиальной пленки канала и концентрации акцепторов в подложке.
Руководитель проекта (работы) Макаров Е.А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2012 г.
подпись