Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Cursov2 / ОБРАЗЦЫ / БТ-Чайкин.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
27.03.2015
Размер:
2.08 Mб
Скачать

Входная вах биполярного транзистора

Iэ, a uбэ, в

Рис.6 Входная характеристика биполярного транзистора

На рисунке показана входная или базовая характеристика транзистора, то есть зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора Iэ=f(Uбэ).

Выходные вах биполярного транзистора

U1ЭБ = -0.946В

U2ЭБ = -0.964 В

U3ЭБ = -0.982 В

UКБ, В

IК, A

Рис.7 Выходные характеристики биполярного транзистора

На рисунке показана выходная (коллекторная) характеристика биполярного транзистора, зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.

Распределение примесей Профиль распределения примесей в структуре транзистора

Рис. 8. Распределение примесей

На рисунке показано распределение донорной и акцепторной примеси в биполярном транзисторе.

Na(X)-распределение акцепторов;

Nd(X)-распределение доноров.

Выводы

В данной работе мы изучили структуру биполярного транзистора, его вольт-амперные характеристики.

Построили графики: входных и выходных ВАХ, распределение примесей и топологию транзистора.

Получили качественно ожидаемые результаты.

В ходе проделанной работе можно сделать следующие выводы:

  1. Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе.

  2. Также основные свойства биполярного транзистора определяются соотношениями токов и напряжений в различных его цепях и взаимным их влиянием друг на друга.

Транзистор может работать на постоянном и переменном сигнале, большом переменном сигнале и импульсном сигнале.

Чтобы рассмотреть работу транзистора на постоянном токе, необходимо изучить стационарные потоки носителей в нем. Это дает возможность получить статические характеристики и статические параметры транзистора - соотношения между его постоянными и переменными токами и напряжениями, выраженные графически или в виде численных значений.

Список используемой литературы:

  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб., ЛАНЬ, 2000.

  2. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов,1973,1984 в 2 т.

  3. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов,1980,1990.

  4. Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Учебн. пособие. НГТУ, 2004.

  5. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ИС,1991.

  6. Сугано Т. Введение в микроэлектронику,1988

  7. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника,1991.

  8. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,1990.

  9. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлектроники.-

М.: Радио и связь, 1991.

26

Соседние файлы в папке ОБРАЗЦЫ