- •Новосибирский Государственный Технический Университет
- •Топология биполярного транзистора
- •Рассчитанные параметры транзистора
- •Расчет параметров.
- •Входная вах биполярного транзистора
- •Iэ, a uбэ, в
- •Выходные вах биполярного транзистора
- •Распределение примесей Профиль распределения примесей в структуре транзистора
- •Список используемой литературы:
Входная вах биполярного транзистора
Iэ, a uбэ, в
Рис.6 Входная характеристика биполярного транзистора
На рисунке показана входная или базовая характеристика транзистора, то есть зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора Iэ=f(Uбэ).
Выходные вах биполярного транзистора
U1ЭБ
= -0.946В U2ЭБ
= -0.964 В
U3ЭБ
= -0.982 В
UКБ,
В IК,
A
Рис.7 Выходные характеристики биполярного транзистора
На рисунке показана выходная (коллекторная) характеристика биполярного транзистора, зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.
Распределение примесей Профиль распределения примесей в структуре транзистора
Рис. 8. Распределение примесей
На рисунке показано распределение донорной и акцепторной примеси в биполярном транзисторе.
Na(X)-распределение акцепторов;
Nd(X)-распределение доноров.
Выводы
В данной работе мы изучили структуру биполярного транзистора, его вольт-амперные характеристики.
Построили графики: входных и выходных ВАХ, распределение примесей и топологию транзистора.
Получили качественно ожидаемые результаты.
В ходе проделанной работе можно сделать следующие выводы:
Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе.
Также основные свойства биполярного транзистора определяются соотношениями токов и напряжений в различных его цепях и взаимным их влиянием друг на друга.
Транзистор может работать на постоянном и переменном сигнале, большом переменном сигнале и импульсном сигнале.
Чтобы рассмотреть работу транзистора на постоянном токе, необходимо изучить стационарные потоки носителей в нем. Это дает возможность получить статические характеристики и статические параметры транзистора - соотношения между его постоянными и переменными токами и напряжениями, выраженные графически или в виде численных значений.
Список используемой литературы:
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб., ЛАНЬ, 2000.
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов,1973,1984 в 2 т.
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов,1980,1990.
Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Учебн. пособие. НГТУ, 2004.
Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ИС,1991.
Сугано Т. Введение в микроэлектронику,1988
Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника,1991.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,1990.
Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлектроники.-
М.: Радио и связь, 1991.