Министерство Образования и Науки Российской Федерации
Новосибирский Государственный Технический Университет
Курсовая работа по твердотельной электронике
Биполярный транзистор (БТ-2)
Факультет: РЭФ
Группа: РНТ1-12
Выполнил: Поляков А.В.
Проверил: Макаров Е.А.
Новосибирск 2013
Новосибирский государственный технический университет
Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
Задание на курсовую работу
Студент_____________________________________Код_____________Группа___________
фамилия, инициалы
1. Тема: Расчет параметров биполярного транзистора
Срок предоставления работы к защите
«___»_____________200 г.
Исходные данные для проектирования
3.1. Глубины залегания эмиттерного и коллекторного переходов.
3.2. Толщина эпитаксиальной пленки коллектора и параметры скрытого слоя и разделительной диффузии.
3.3. Концентрация примесей в подложке, базе и эмиттере.
3.4. Концентрация примеси и истока и стока.
3.5. Размеры канала.
По заданным концентрациям и глубинам залегания переходов рассчитать нормальный,
инверсный коэффициенты передачи тока и коэффициент передачи тока в подложку.
Рассчитать начальные токи.
По модели Эберса – Молла рассчитать входные и выходные характеристики транзистора в режиме IE =1 мА и Uc =5 В.
Содержание пояснительной записки курсовой работы:
Титульный лист и лист задания на курсовую работу.
Расчеты профилей распределения примесей, начальных токов переходов и основных электрических параметров.
Емкости переходов и частотные свойства транзисторов.
Вольтамперные характеристики.
Перечень графического материала
5.1.Физическая структура транзистора с обозначениями областей и глубин залегания слоев и переходов.
5.2.Профили распределения примесей в активной области транзистора под эмиттером.
5.3.Топология транзистора.
5.4.Входные характеристики транзистора в схеме ОБ для напряжения на коллекторе 0 В и 5 В.
5.5.Три выходных характеристики в схеме ОБ для входных токов 0.5 мА, 1 мА и 2 мА.
Зависимости нормального коэффициента передачи от глубины залегания эмиттерного перехода.
Руководитель работы Макаров Е.А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2013 г.
подпись
План курсовой работы
Исходные данные для проектирования
Структура биполярного транзистора
Топология биполярного транзистора
Расчёты с помощью MathCad
Графический материал
Рассчитанные параметры транзистора
Вывод
Список литературы
Исходные данные для проектирования
Глубина залегания эмиттерного перехода =0,7 (мкм)
Глубина залегания коллекторного перехода =1.5 (мкм)
Концентрация доноров на поверхности эмиттера =3*1020 (см-3)
Концентрация акцепторов на поверхности базы =5*1018 (см-3)
Концентрация доноров в эпитаксиальной пленке коллектора =1016 (см-3)
Поверхностная концентрация доноров в скрытом слое =3*1014 (см-2)
Толщина эпитаксиальной пленки коллектора =2,5 (мкм)
Время жизни электронов в базе =80 (нс)
Скорость поверхностной рекомбинации =2*103 (см/с)
Диффузионная длина в эпитаксиальной пленке =0,1 (мм)
Площадь эмиттера =10 (мкм2)
Используемые константы:
= 3,14
q = 1,610-19 Кл
T = 300 К
kТ/q = 0,025
= 8,8510-14 Ф/см
Предложенные данные:
В
Носители заряда | ||||
электроны |
65 |
1265 |
8.5.1016 |
0.76 |
дырки |
47.7 |
447 |
6.3.1016 |
0.72 |