- •Министерство образования российской федерации
- •Министерство образования Российской Федерации новосибирский государственный технический университет пояснительная записка
- •Новосибирск 2012г. Теоретические сведения.
- •Конструкция и принципы работы мдп-транзисторов с индуцированным каналом.
- •Рис 1. Структура n-канального мдп-транзистора с индуцированным каналом.
- •Топология.
- •44 4
- •4 5
- •Выходные вах.
- •Передаточные вах.
- •Основные формулы для расчётов
- •Параметры мoп - транзистора:
- •Физические константы
- •Зависимость удельной крутизны от концентрации примеси в подложке.
- •Список литературы
Министерство образования российской федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ПП и МЭ
Курсовая работа
Тема: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Факультет: РЭФ
Группа: РП4-03
Студент: Козлов П. В.
Преподаватель: Макаров Е.А.
Дата: 26.11.2012
Отметка о защите:
Новосибирск 2012г.
Министерство образования Российской Федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ____ Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ (работу)
Студент Козлов П. В. код020400302 группаРП4-03
фамилия, инициалы
1. Тема МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Вариант №5
2. Срок предоставления проекта (работы) к защите
«___»_____________2012 г.
3. Исходные данные для проектирования (научного исследования)
Затвор |
Тип |
SiПК |
|
Толщина диэлектрика |
500 | ||
Фиксированный заряд | |||
Концентрация примеси | |||
Подложка |
Тип |
p |
|
Концентрация примеси | |||
Исток-сток |
Концентрация примеси | ||
Глубина залегания |
0.2 | ||
Канал |
Подвижность |
800 | |
Длина |
3 | ||
Ширина |
20 |
Содержание пояснительной записки курсового проекта (работы):
Теоретические сведения
Основные электрические параметры, исходные данные, константы
Расчет параметров транзистора
Графический материал
Рассчитанные значения
Список литературы
Перечень графического материала Выходные вольтамперные характеристики, передаточная характеристика транзистора, зависимости параметров от концентрации примеси в подложке, зависимости параметров от толщины диэлектрика.
Руководитель проекта (работы) _________________ _ Макаров Е. А.___
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2012 г.
подпись
Министерство образования Российской Федерации новосибирский государственный технический университет пояснительная записка
к курсовому проекту (работе) по ___« Твердотельная электроника»_____
наименование учебной дисциплины
на тему: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Вариант №5
Автор проекта (работы) _________Козлов П. В.
подпись, дата, инициалы, фамилия
Специальность ______210100, Электроника и микроэлектроника
номер, наименование
Факультет РЭФ группа РП4-03
Руководитель проекта ________________________ ___ Макаров Е. А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Проект (работа) защищен(а) ____________________ Оценка_______________________
дата