Cursov2 / ЗАЩИТА И ОТВЕТЫ / ВОПРОСЫ К ЗАЩИТЕ КУРСОВЫХ

ЗАЩИТА КУРСОВЫХ РАБОТ

Биполярный интегральный транзистор

1. Нарисовать структуру БТ и пояснить назначение всех областей.

2. Распределение доноров и акцепторов в структуре транзистора.

3. Назначение скрытого слоя и разделительной диффузии в интегральном транзисторе.

4. Коэффициенты передачи тока нормальный , инверсный и коэффициент передачи в подложку.

5. От чего зависит эффективность эмиттера и эффективность переноса?

6. Как влияет глубина эмиттерного перехода на коэффициент передачи тока?

7. Чем отличаются ВАХ в схемах ОБ и ОЭ?

8. Почему ток коллектора не зависит от напряжения на коллекторе?

9. Влияние емкости на частотные свойства транзистора

10. Напряжение смыкания, от чего оно зависит?

МОП транзисторы

1. Объяснить выходные и передаточные характеристики МОП транзисторов с n- и p- каналом.

2. Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?

3. От чего зависит пороговое напряжение МОП транзистора?

4. Что называется удельной крутизной МОП транзистора?

5. Влияние подложки на ВАХ транзистора.

6. Объяснить зависимость порога от толщины подзатворного диэлектрика.

7. Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?

8. Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?

9. От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

1. Преимущества полевых транзисторов перед биполярными.

2. Назначение областей в конструкции ПТУП.

3. Зависимость ширины ОПЗ под затвором от напряжения на пeреходе.

4. Что называется крутизной полевого транзистора?

5. Объяснить зависимость крутизны от напряжения на затворе.

6. Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени легирования и размеров областей.

7. Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?

8. От чего зависит положение границы крутой и пологой областей?

ЛИТЕРАТУРА

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб., ЛАНЬ, 2000.

2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов,1980,1990.

3. Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Учебн. пособие. НГТУ, 2004.

4. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ИС,1991.

5. Сугано Т. Введение в микроэлектронику,1988

6. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника,1991.

7. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,1990.

8. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991.