- •Министерство образования российской федерации
- •Теоретические сведения.
- •Конструкция и принципы работы мдп-транзисторов с индуцированным каналом.
- •Рис 1. Структура n-канального мдп-транзистора с индуцированным каналом.
- •Топология.
- •44 4
- •4 5
- •Выходные вах.
- •Передаточные вах.
- •Основные формулы для расчётов
- •Параметры мoп - транзистора:
- •Физические константы
- •Зависимость удельной крутизны от концентрации примеси в подложке.
- •Список литературы
Министерство образования российской федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ПП и МЭ
Курсовая работа
Тема: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Факультет: РЭФ
Группа: РМС7-11
Студент: Шигаев В.А.
Преподаватель: Макаров Е.А.
Отметка о защите:
Новосибирск 2012г.
Министерство образования Российской Федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к курсовому проекту (работе) по ___« Элементная база электроники»_____
наименование учебной дисциплины
на тему: МОП-транзистор с индуцированным каналом.
Вариант №7
Автор проекта (работы) _________Шигаев В.А.
подпись, дата, инициалы, фамилия
Специальность ______222900 – Нанотехнология и микросистемная техника
номер, наименование
Факультет РЭФ группа РМС7-11
Руководитель проекта ________________________ ___ Макаров Е. А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Проект (работа) защищен(а) ____________________ Оценка_______________________
дата
Новосибирск 2012г.
Теоретические сведения.
В данной работе будет рассмотрен МДП транзистор с индуцированным n-каналом. Реальная структура МДП - транзистора с n-каналом, выполненного на основе полупроводниковой подложки p-типа, показана на рисунке 1.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. По конструктивному исполнению и технологии изготовления полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р- n - переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.
В микросхемах наиболее широко распространены МДП–транзисторы с индуцированными каналами n-типа. Транзисторы со встроенными каналами используют реже, в основном как пассивные элементы (нелинейные резисторы). В комплементарных МДП–микросхемах применяют транзисторы с индуцированными каналами n- и p-типа. При одинаковой конструкции n-канальные транзисторы имеют большую крутизну и более высокую граничную частоту, чем p-канальные, вследствие большей подвижности электронов по сравнению с дырками. В большинстве микросхем используются транзисторы с горизонтальным каналом, однако существуют транзисторы с вертикальным каналом, образующимся на стенках вытравленных канавок. Такие транзисторы занимают меньшую площадь на кристалле.